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　　美(měi)光(guāng)公司(sī)在华销售的产品未(wèi)通过网络安(ān)全审查

　　据网(wǎng)信办消(xiāo)息，日(rì)前，网络(luò)安(ān)全审查(chá)办公室依(yī)法对(duì)美光公司(sī)在(zài)华(huá)销售产品进(jìn)行了网络安全审(shěn)查。

　　审查(chá)发现(xiàn)，美光公(gōng)司产品(pǐn)存在较(jiào)严重网(wǎng)络安全(quán)问题隐患，对我国关键信息基础设施供应链造成重大安全风(fēng)险，影响(xiǎng)我国(guó)国家安全(quán)。为此，网络安(ān)全审查(chá)办公(gōng)室依法作出不予通过网(wǎng)络安全审(shěn)查的结论。按(àn)照《网(wǎng)络安全(quán)法》等法律法规，我国内关(guān)键信息基础设(shè)施的运营者应停止采购美光公司产品。

　　此次对美光(guāng)公(gōng)司产品(pǐn)进行网络安(ān)全(quán)审查(chá)，目的是防(fáng)范产(chǎn)品网络安全问题危害国家关键信息基础(chǔ)设施(shī)安全，是(shì)维护国家安全的必(bì)要(yào)措(cuò)施(shī)。中(zhōng)国坚定推进高水平对(duì)外开放，只要(yào)遵守中国(guó)法(fǎ)律法(fǎ)规要求(qiú)，欢迎各国企业、各类平台产品服务进入中国市场。

　　3月31日，中国网信网发(fā)文(wén)称，为保障关键信息基础(chǔ)设施供应(yīng)链安(ān)全，防范产品问(w气概和气慨哪个正确些，气概与气概的区别èn)题(tí)隐患造成网(wǎng)络安全风险，维护(hù)国家(jiā)安全，依据《中华人民共和国(guó)国家安全法》《中(zhōng)华人民共和(hé)国网(wǎng)络安全法》，网(wǎng)络安全审查办公室按照(zhào)《网络安全审(shěn)查办法》，对美光公司（Micron）在华销售的产品实施网(wǎng)络安(ān)全审查。

　　美光是美(měi)国的存储芯(xīn)片(piàn)行业龙头，也(yě)是(shì)全(quán)球(qiú)存储芯(xīn)片巨头之一，2022年收入来自中(zhōng)国市场收(shōu)入从此前高峰57％降至2022年约(yuē)11％。根据市场(chǎng)咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠(xiá)、西部数据(jù)、SK 海力士(shì)、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存(cún)）市场份额约为 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海力(lì)士、美光(guāng)在全球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司(sī)中，江波龙(lóng)、佰维存储等公(gōng)司(sī)披露(lù)过美光等(děng)国际存储(chǔ)厂商为公(gōng)司供(gōng)应商。

　　美(měi)光在江波龙采购占比已经显著下降，至少已经(jīng)不是主要(yào)大供应商(shāng)。

　　公(gōng)告显示， 2021年(nián)美光位列江(jiāng)波龙第(dì)一大存储晶圆供应(yīng)商，采购约31亿元(yuán)，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波(bō)龙第一大(dà)、第二大和第三大供应商采购(gòu)金(jīn)额占比分别(bié)是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙已经在存(cún)储产业链上下游建立国内外广泛合作。2022年年(nián)报显示(shì)，江波(bō)龙与(yǔ)三星、美光、西部数据等(děng)主要存储晶圆原厂签(qiān)署(shǔ)了长(zhǎng)期(qī)合(hé)约，确保(bǎo)存储晶(jīng)圆供应(yīng)的稳定性(xìng)，巩(gǒng)固公司在下游市(shì)场(chǎng)的供应优势，公司也(yě)与(yǔ)国内国(guó)产存储晶圆原厂武(wǔ)汉长江存储、合肥长鑫(xīn)保持良好的合作(zuò)。<气概和气慨哪个正确些，气概与气概的区别/p>

　　有(yǒu)券(quàn)商此前就分析，如果美(měi)光在中(zhōng)国(guó)区销售(shòu)受到限制，或(huò)将导致(zhì)下游客户转而采(cǎi)购国外三星(xīng)、 SK海力士，国内(nèi)长江存储、长鑫存储等竞对产(chǎn)品(pǐn)

　　分析称，长存、长鑫(xīn)的(de)上(shàng)游设备(bèi)厂或(huò)从中受益。存(cún)储器的(de)生产(chǎn)已经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺(yì)。另(lìng)外NAND Flash现在已经进(jìn)入3D NAND时代，2 维到3维的结构转(zhuǎn)变使刻蚀(shí)和薄(báo)膜成为最(zuì)关(guān)键、最(zuì)大量的加(jiā)工设备。3D NAND每层均(jūn)需(xū)要经过薄(báo)膜沉积工艺步骤，同时刻蚀目(mù)前(qián)前沿(yán)要(yào)刻到 60：1的(de)深孔，未来可能会更深的(de)孔或者沟槽，催生(shēng)更多设备(bèi)需求。据东京电子披露(lù)，薄膜沉积设(shè)备及刻(kè)蚀(shí)占3D NAND产线资(zī)本开支合计为75％。自长江存储被加入美国限(xiàn)制名单，设(shè)备国产化进(jìn)程加速(sù)，看好(hǎo)拓荆科技（薄(báo)膜(mó)沉积(jī)）等相关公司份额提升，以及存储业务占(zhàn)比较高的(de)华海(hǎi)清科（CMP）、盛美(měi)上海（清洗）等收入增长。

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