5月23日，日本(běn)经(jīng)济产(chǎn)业(yè)省(shěng)宣布修(xiū)正了所谓强化(huà)高性能半导体(tǐ)制造装置出口(kǒu)管(guǎn)制措施的省(shěng)令，并(bìng)明确将于(yú)7月23日实施。日本(běn)此举定(dìng)会对(duì)自身经(jīng)济、科(kē)技发(fā)展和(hé)国际形象造成反噬(shì)效应，最终得不偿失。

　　日(rì)本经济产业大臣西村康稔曾(céng)在公布规则方案时称(chēng)“我们的出(chū)口限制并不针对某一(yī)特定国家(jiā)”，但(dàn)这种“此地无银(yín)三百(bǎi)两”的(de)说法显然没有说服力(lì)。

　　事实(shí)上，日本政府限(xiàn)制(zhì)高性能(néng)半导体设(shè)备(bèi)出(chū)口指(zhǐ)向明确，意图清晰。从去年10月份开始，美(měi)国就对华(huá)实施了16纳(nà)米以下半导体设备出口管制措施，并多次诱压日(rì)本、荷兰等在半导体设备领域(yù)具有优势地位的国家(jiā)紧跟其脚步，形成(chéng)美日荷半(bàn)导体(tǐ)遏华同(tóng)盟(méng)，试图(tú)通过出口管制阻断中国在尖端半(bàn)导体(tǐ)领域的技术(shù)发展进(jìn)程。日(rì)本此次也正(zhèng)是顺应(yīng)美(měi)国政(zhèng)府要求，强(qiáng)化(氧化铁和稀盐酸反应现象及方程式，氧化铁和稀盐酸反应现象原因huà)对抗(kàng)中(氧化铁和稀盐酸反应现象及方程式，氧化铁和稀盐酸反应现象原因zhōng)国(guó)的姿态(tài)，与美(měi)国沆(hàng)瀣一气，将(jiāng)经贸(mào)和科技问题政治(zhì)化、工具化、武器化，强(qiáng)行(xíng)割裂半导体全球大市(shì)场，塑造封闭“小(xiǎo)圈(quān)子(zi)”，加大(dà)尖端半(bàn)导体领域对(duì)华遏制打压力度(dù)。

　　从西村(cūn)康稔的(de)解释来看，日本政府显(xiǎn)然在随(suí)美遏华上底气不(bù)足(z氧化铁和稀盐酸反应现象及方程式，氧化铁和稀盐酸反应现象原因ú)。一方面，日本(běn)政(zhèng)府难(nán)以承受正面对抗中(zhōng)国的后果。多家日本媒体报道认为，虽然此(cǐ)次管(guǎn)制措施未点(diǎn)名中国，但一定(dìng)会引(yǐn)发中(zhōng)国的“强烈反(fǎn)制(zhì)措(cuò)施”。中(zhōng)国商(shāng)务部在5月(yuè)23日的(de)答记者(zhě)问中已经明确，中方将保留采取措施的权(quán)利，坚决(jué)维护自身(shēn)合法权益。而近(jìn)日中国关键基础设施(shī)停购美光科技产品(pǐn)，也足以(yǐ)证明中国在(zài)半导体反制方面的工(gōng)具储备十分丰富。

　　另一(yī)方面，日本(běn)政府强(qiáng)行随美起舞只会损害(hài)本国经济利益。在限制出口规则(zé)实施后，日(rì)本东京电子、尼(ní)康等(děng)十(shí)几家企(qǐ)业的经(jīng)营(yíng)将受到直接影响(xiǎng)。而自美国去年10月(yuè)实施对华出口管制以来，日本半导体企(qǐ)业整体对华出(chū)口额已(yǐ)呈(chéng)下降趋势。5月23日修正案公布后，多家日半(bàn)导体企业(yè)股(gǔ)价下跌。对华出口(kǒu)管制造成(chéng)的不(bù)安全感，将(jiāng)迫使日半导体企业调(diào)整长期经营战略(lüè)，为日本半导体产业的未来(lái)发展增添了(le)极大不确定性。

　　长久以来，中日两国在半导体领(lǐng)域(yù)分工(gōng)明确，合作(zuò)紧密(mì)，为世界(jiè)半导体产业(yè)发展和国际(jì)市场稳定作出了突出贡(gòng)献。然而，为配合美(měi)遏(è)华(huá)举措，日(rì)本政府(fǔ)近(jìn)年来不惜挥(huī)舞(wǔ)经济安保(bǎo)大棒(bàng)实施“无差别攻击(jī)”，这既(jì)打伤了中日半(bàn)导体(tǐ)等经贸(mào)科(kē)技领域合作的良好基础，更打伤了日本本国(guó)企业的发展(zhǎn)信心和前景。希(xī)望日(rì)本政府尽快(kuài)修正错误，回(huí)到中日合(hé)作共赢(yíng)的(de)正轨。

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