大家(jiā)好(hǎo)，来看一则突发消息。

　　美光(guāng)公(gōng)司在华销售的产品(pǐn)未(wèi)通过网络安全审查

　　据网信办消息(xī)，日前(qián)，网络安全审查(chá)办公(gōng)室(shì)依(yī)法对(duì)美光公司在华(huá)销售(shòu)产品进行了网络(luò)安全审(shěn)查。

　　审查发现，美光公(gōng)司产品存在较严重网络安全问(wèn)题隐(yǐn)患，对(duì)我国关(guān)键信息基础设施(shī)供应链造(zào)成重(zhòng)大安全风险(xiǎn)，影响我国国家安(ān)全。为(wèi)此，网络(luò)安全审查办(bàn)公室依法作出不予(yǔ)通过网络安全审(shěn)查的结论。按(àn)照《网络安全法》等(děng)法(fǎ)律法规(guī)，我国内(nèi)关键信(xìn)息基础设施的运营(yíng)者(zhě)应停止(zhǐ)采购美光公(gōng)司(sī)产品。

　　此次(cì)对美(měi)光(guāng)公司产品进行网络(luò)安全(quán)审(shěn)查，目的(de)是防范产品网络(luò)安全问题危害国(guó)家关键信息(xī)基础设施安全，是维护国家(jiā)安全的必要措施(shī)。中国坚定推(tuī)进高水平对外开放，只要遵守中国法律法规要求(qiú)，欢迎各国企业、各类平(píng)台产品服务(wù)进入中(zhōng)国(guó)市场。

　　3月(yuè)31日(rì)，中(zhōng)国网信网发(fā)文(wén)称，为保障关键信息基础(chǔ)设施供应(yīng)链(liàn)安全，防范产品问题隐患造成网络安全(quán)风险(xiǎn)，维(wéi)护国家安全，依据《中(zhōng)华人民(mín)共和国国家(jiā)安全法》《中华人民共(gòng)和国(guó)网(wǎng)络(luò)安(ān)全法》，网(wǎng)络安全(quán)审查办公室按照《网(wǎng)络安全审查办(bàn)法》，对美光公司（Micron）在华销售的产品实施网(wǎng)络安全(quán)审查。

　　美光是美(měi)国的存储芯片行(xíng)业(yè)龙头，也是(shì)全球存储(chǔ)芯片(piàn)巨(jù)头之一，2022年收(shōu)入(rù)来自中国市场收(shōu)入从此(cǐ)前高峰(fēng)57％降至2022年约(yuē)11％。根据(jù拜拜肉好减吗，拜拜肉难减吗)市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计(jì)，2021 年三星(xīng)电子、 铠(kǎi)侠(xiá)、西(xī)部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份额约为(wèi) 96.76％，三星电子、 SK 海力(lì)士(shì)、美光在全球 DRAM （内存）市场(chǎng)份额(é)约为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公司中，江波(bō)龙(lóng)、佰维存储等公司披露过美光等(děng)国际存储厂商为(wèi)公司(sī)供应商。

　　美光在江波龙采(cǎi)购(gòu)占比已经显著下(xià)降(jiàng)，至少(shǎo)已经不是主要(yào)大供应(yīng)商。

　　公(gōng)告显(xiǎn)示(shì)， 2021年(nián)美光(guāng)位(wèi)列(liè)江波龙第(dì)一大存储晶(jīng)圆供(gōng)应商，采(cǎi)购约31亿元，占比33.52％；2022年(nián)，江(jiāng)波(bō)龙第一大、第二(èr)大和第三(sān)大供应商采(cǎi)购金额占比分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙(lóng)已(yǐ)经在存储产业链上下游建立国内外广泛合作。2022年(nián)年报显示，江波(bō)龙与三星、美(měi)光、西部(bù)数据等主要存储(chǔ)晶圆原厂签署了长(zhǎng)期(qī)拜拜肉好减吗，拜拜肉难减吗合约，确保存储晶圆供(gōng)应(yīng)的稳定性，巩固公(gōng)司在下游市场的(de)供应优(yōu)势，公司也与国内国产存储晶圆原厂武汉长江存储、合肥长鑫(xīn)保持良好(hǎo)的(de)合作。

　　有券商此(cǐ)前就分(fēn)析，如果美(měi)光在中国区销售受到(dào)限(xiàn)制(zhì)，或将导致下游客户(hù)转而采购(gòu)国外(wài)三星、 SK海力士，国内(nèi)长(zhǎng)江(jiāng)存储(chǔ)、长鑫存储等竞对产品(pǐn)

　　分析称，长存(cún)、长鑫的上游设备(bèi)厂或从中受益。存储器的生产(chǎn)已经演(yǎn)进到(dào)1Xnm、1Ynm甚(shèn)至(zhì)1Znm的工艺。另(lìng)外(wài)NAND Flash现在(zài)已经(jīng)进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使刻蚀和薄(báo)膜成(chéng)为最(zuì)关键(jiàn)、最(zuì)大量的加工设备。3D NAND每层(céng)均需要经过薄膜沉积(jī)工艺(yì)步骤，同时刻(kè)蚀(shí)目前前(qián)沿要刻到(dào) 60：1的深孔，未来可能会更深的孔或者沟槽，催生更多设备需(xū)求。据东京(jīng)电子披露，薄(báo)膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资(zī)本开支(zhī)合计为(wèi)75％。自长江(jiāng)存(cún)储被加入美国限(xiàn)制名单(dān)，设备国产化进(jìn)程加速，看好拓荆科技（薄膜沉积(jī)）等相关公司份额提升，以及存(cún)储业(yè)务占比较高的华海清科（CMP）、盛(shèng)美(měi)上(shàng)海（清洗）等收入(rù)增长。

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