大家好，来看一则突发(fā)消息。

　　美光公(gōng)司在华(huá)销(xiāo)售的产品未通过网络安(ān)全审查

　　据(jù)网信(xìn)办消(xiāo)息，日(rì)前，网络安全审(shěn)查(chá)办公室(shì)依法对(duì)美光公司(sī)在华(huá)销售产品进行了网络安全审查。

　　审(shěn)查发现，美光公司产品存(cún)在较严重网络安全问题隐患，对我(wǒ)国(guó)关键信息基础(chǔ)设(shè)施供应(yīng)链(liàn)造成重大安全风(fēng)险，影响我国国(guó)家安(ān)全。为此，网络安(ān)全(quán)审查办公室依法(fǎ)作出不(bù)予(yǔ)通过网络(luò)安全审查的结(jié)论(lùn)。按照《网络安全法》等法律法规，我国内(nèi)关键信息基础设施的运营者应停止采购美光公司产(chǎn)品。

　　此(cǐ)次对美光(guāng)公司产品进行网络安全审(shěn)查，目的是防范产品网络(luò)安全问题危害国家关键信息(xī)基础设(shè)施安全(quán)，是(shì)维护国家安全的(de)必要措施(shī)。中国(guó)坚定推进高(gāo)水平对(duì)外开放，只要遵守中(zhōng)国法律(lǜ)法(fǎ)规要求，欢迎(yíng)各国企业(yè)、各(gè)类平台产品(pǐn)服务进入(rù)中(zhōng)国市场。

　　3月31日，中国网信网(wǎng)发文称，为(wèi)保障(zhàng)关(guān)键信(xìn)息(xī)基(jī)础设施供(gōng)应链安全(quán)，防范产(chǎn)品问题隐患造成(chéng)网络安全风险，维护国家安(ān)全，依据《中华人民共和国国(guó)家安全法(fǎ)》《中华人民共和国网络安全(quán)法(fǎ)》，网(wǎng)络安全审查办公室按照《网(wǎng)络安全(quán)审查办法》，对美(měi)光公(gōng)司（Micron）在华销(xiāo)售的(de)产品实施(shī)网络安全(quán)审(shěn)查。

　　美光是美(měi)国的存储芯片行业龙头(tóu)，也是全球存储芯片巨头之一，2022年收(shōu)入来自(zì)中国市场收入(rù)从(cóng)此前(qián)高峰57％降至2022年约(yuē)11％。根据(jù)市(shì)场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三(sān)星电(diàn)子、 铠侠、西(xī)部数据、SK 海力士、美(měi)光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市(shì)场(chǎng)份额约为 96.76％，三(sān)星(xīng)电子、 SK 海(hǎi)力士、美光在全球 DRAM （内存）几率和机率哪个正确一点，几率和机率有何不同市(shì)场(chǎng)份额约为 94.35％。

　　A股上市公司(sī)中(zhōng)，江波(bō)龙、佰维(wéi)存储等公司披露过(guò)美光等国际存(cún)储厂商为公(gōng)司供应商(shāng)。

　　美(měi)光在江波龙采(cǎi)购占(zhàn)比已经显著下降，至(zhì)少已经不(bù)是主要大(dà)供应(yīng)商(shāng)。

　　公(gōng)告(gào)显示(shì)， 2021年美光(guāng)位(wèi)列(liè)江波龙第一大存储晶圆供应商，采购约31亿(yì)元，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙(lóng)第一大、第二大和第三大(dà)供应(yīng)商采购(gòu)金额占比分(fēn)别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波(bō)龙已经在存储产业链上下游建立国内外广泛合(hé)作。2022年年(nián)报(bào)显示(shì)，江波龙(lóng)与(yǔ)三星、美光(guāng)、西部数据等主要存(cún)储晶圆原(yuán)厂签署了长几率和机率哪个正确一点，几率和机率有何不同;'>几率和机率哪个正确一点，几率和机率有何不同(zhǎng)期合约，确保存储晶圆供应的稳定(dìng)性，巩固(gù)公司在下(xià)游市场的供应优(yōu)势，公司也(yě)与国内国产存储(chǔ)晶(jīng)圆(yuán)原厂武汉长江存储、合肥长(zhǎng)鑫保持良好的合作。

　　有券商此前就分析(xī)，如果(guǒ)美光在中国(guó)区(qū)销售受到限制，或将导致下(xià)游客户转(zhuǎn)而采购国外三星、 SK海力(lì)士(shì)，国内长江存储(chǔ)、长鑫存储等竞对(duì)产品

　　分(fēn)析称(chēng)，长存、长鑫的上游设备厂或(huò)从中受益。存储器(qì)的生产已经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另外(wài)NAND Flash现在(zài)已经进入3D NAND时(shí)代(dài)，2 维到3维的结构转变使(shǐ)刻(kè)蚀和薄(báo)膜成为(wèi)最关键、最大量的(de)加(jiā)工设备。3D NAND每层均(jūn)需要(yào)经过薄膜沉积(jī)工艺(yì)步骤，同时(shí)刻蚀目前(qián)前沿要刻(kè)到 60：1的深孔，未来可能会更深的孔或(huò)者沟(gōu)槽(cáo)，催生更(gèng)多设备需求。据东京(jīng)电(diàn)子披(pī)露，薄(báo)膜(mó)沉积设(shè)备及(jí)刻蚀占3D NAND产(chǎn)线资本开支合计为75％。自长(zhǎng)江存储被加入美(měi)国(guó)限制名单，设备(bèi)国(guó)产(chǎn)化进程加速，看好拓荆科(kē)技（薄(báo)膜沉积）等相关公司份额提升，以(yǐ)及存储业(yè)务(wù)占比较高的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长。

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