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　　美光(guāng)公司在华(huá)销售的产品未通(tōng)过网(wǎng)络(luò)安全审查

　　据(jù)网(wǎng)信办(bàn)消息，日前，网络安全(quán)审查办公(gōng)室依(yī)法对美光公司在华销售产品进(jìn)行(xíng)了网络安全审查(chá)。

　　审查发现，美光公(gōng)司产(chǎn)品(pǐn)存在较严重网络安(ān)全问题(tí)隐患(huàn)，对我(wǒ)国关键信息基础设(shè)施供(gōng)应链造成重大安全(quán)风险，影(yǐng)响我国国家安(ān)全。为(wèi)此，网络(luò)安(ān)全审查办公室依法作出(chū)不予(yǔ)通过网络安全审查的结论。按照(zhào)《网络安全(quán)法》等法(fǎ)律(lǜ)法规，我国内关键(jiàn)信息(xī)基础(chǔ)设(shè)施的运营者应停止(zhǐ)采购美光公司产(chǎn)品(pǐn)。

　　此(cǐ)次对美光公司产(chǎn)品进行网络安全审查，目的(de)是防范产(chǎn)品网络安全问题(tí)危(wēi)害国(guó)家(jiā)关键信息(xī)基础设(shè)施安全，是维护国家安(ān)全的必(bì)要措施(shī)。中国坚(jiān)定推进高水平对外开放，只(zhǐ)要遵守中(zhōng)国法律(lǜ)法规要求，欢迎各国企业(yè)、各类平台(tái)产品(pǐn)服务进入(rù)中国市(shì)场。

　　3月(yuè)31日(rì)，中国网信网发文称，为保障关键信息基础设施供应链安全，防范产(chǎn)品(pǐn)问题隐(yǐn)患造成网络安全风险，维护国家安全，依据(jù)《中华人民共和国(guó)国家(jiā)安(ān)全法》《中华人民共(gòng)和(hé)国网(wǎng)络安全法》，网络(luò)安全审查(chá)办公室按照《网(wǎng)络安全审查办法》，对(duì)美(měi)光公司（Micron）在(zài身份证号码150开头是哪里的，身份证号150开头的是哪里的)华销售(shòu)的产品实施网络(luò)安全审查(chá)。

　　美(měi)光是(shì)美国的存储芯片(piàn)行业龙头(tóu)，也是全球(qiú)存储(chǔ)芯片巨头之(zhī)一，2022年收(shōu)入(rù)来自中国(guó)市场收入(rù)从此前高峰57％降至2022年约11％。根据(jù)市场(chǎng)咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力(lì)士、美光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存）市(shì)场份(fèn)额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光(guāng)在全球 DRAM （内(nèi)存）市场份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司中(zhōng)，江波龙、佰维存储(chǔ)等公司披身份证号码150开头是哪里的，身份证号150开头的是哪里的露过美光等国际存储厂商为公司供(gōng)应商。

　　美光在江波(bō)龙采(cǎi)购占比已(yǐ)经显(xiǎn)著下(xià)降(jiàng)，至少已经不是主要大供应商。

　　公告显示， 2021年美(měi)光(guāng)位列江波龙第一大(dà)存(cún)储晶(jīng)圆(yuán)供应(yīng)商，采购约31亿元(yuán)，占(zhàn)比33.52％；2022年(nián)，江波(bō)龙第(dì)一大、第(dì)二大和第三大供应商采购金额占(zhàn)比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波(bō)龙已(yǐ)经(jīng)在存储产业链(liàn)上下(xià)游建立国内(nèi)外广泛合作。2022年年(nián)报显示(shì)，江波龙(lóng)与三星、美光、西(xī)部数据(jù)等主(zhǔ)要存储晶圆原厂签(qiān)署了长期合约，确保(bǎo)存(cún)储(chǔ)晶(jīng)圆供应的稳(wěn)定性，巩固公司在下游市场的供应优(yōu)势，公司也(yě)与国内国产存(cún)储晶圆原厂武汉长江存储、合肥长鑫保持良好的(de)合作。

　　有券商(shāng)此前(qián)就分析，如果美光在中(zhōng)国(guó)区销售受到限制，或将导致下游客户(hù)转而(ér)采(cǎi)购(gòu)国(guó)外三星、 SK海力士，国(guó)内长江(jiāng)存储、长鑫(xīn)存(cún)储等竞对产品

　　分(fēn)析称，长存、长鑫(xīn)的上游设备(bèi)厂(chǎng)或从中受益。存储器的生产已经演(yǎn)进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺。另外(wài)NAND Flash现在已经进(jìn)入3D NAND时代，2 维到3维的结构转(zhuǎn)变使刻蚀和(hé)薄膜(mó)成为最关键、最(zuì)大(dà)量的加工设备。3D NAND每层均需要(yào)经过薄(báo)膜沉积工(gōng)艺步(bù)骤，同(tóng)时刻蚀目(mù)前前沿要(yào)刻到(dào) 60：1的深孔(kǒng)，未来可(kě)能会更(gèng)深的孔或者沟槽，催生更多设备需求(qiú)。据东京电(diàn)子(zi)披露，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为75％。自长江(jiāng)存储被加(jiā)入(rù)美国(guó)限制名(míng)单，设备国产化进程加速，看好拓(tuò)荆科技(jì)（薄膜沉积）等相关公司份(fèn)额提(tí)升(shēng)，以及存储(chǔ)业务占比(bǐ)较高的华(huá)海清科（CMP）、盛美上海(hǎi)（清洗）等收入增(zēng)长(zhǎng)。

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