大家(jiā)好，来看一(yī)则突(tū)发消息。

　　美光公司在华销售的产品(pǐn)未通过网络安(ān)全审查

　　据(jù)网信办消息(xī)，日(rì)前(qián)，网络安全审查办公(gōng)室依法对(duì)美光公司在华销售产(chǎn)品进行了网络安全审查。

　　审查发现，美光公司产品(pǐn)存在(zài)较严重网络安全(quán)问题(tí)隐(yǐn)患，对我国关键信息基(jī)础(chǔ)设施供应链造成重大安(ān)全风险，影响我国国家安全。为此(cǐ)，网络(luò)安全审查办(bàn)公室依法(fǎ)作出不予通(tōng)过网(wǎng)络(luò)安全审查的(de)结论。按照《网络安全法》等法律法规，我国(guó)内关键信息基础设(shè)施的运营者应停止采购美(měi)光公司(sī)产品。

　　此次(cì)对(duì)美光(guāng)公(gōng)司产品进行网络安全审查，目的是防(fáng)范(fàn)产品网络安全问题(tí)危害国家关键信息基础设施安全(quán)，是维护(hù)国(guó)家(jiā)安(ān)全(quán)的必要措施(shī)。中国坚定推进高水平对外开放，只要遵守(shǒu)中(zhōng)国法律(lǜ)法规(guī)要求，欢迎(yíng)各国企(qǐ)业、各类平台产品服务进入(rù)中国(guó)市(shì)场(chǎng)。

　　3月31日，中(zhōng)国(guó)网信网发文称(chēng)，为保障关键(jiàn)信息基(jī)础设施供应链安全，防范产品问题隐(yǐn)患造成网(wǎng)络安全(quán)风险，维(wéi)护国家安全，依据(jù)《中华人民共和国国(guó)家安(ān)全法》《中华人(rén)民共和(hé)国网络安全法》，网络(luò)安全审(shěn)查办公室按照《网络安全审查办法》，对美光公(gōng)司(sī)（c上标3下标5怎么算公式，c上标2下标5怎么算Micron）在华销(xiāo)售的(de)产(chǎn)品实施(shī)网(wǎng)络安全审查(chá)。

　　美光是美国的存(cún)储芯片行业(yè)龙(lóng)头(tóu)，也是(shì)全(quán)球存储芯(xīn)片巨头之一，2022年收入来自中国(guó)市场收入从(cóng)此前高峰(fēng)57％降至(zhì)2022年约11％。根据市(shì)场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三(sān)星电子、 铠侠(xiá)、西部数据、SK 海(hǎi)力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存(cún)）市场(chǎng)份额约(yuē)为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市(shì)场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中(zhōng)，江波龙、佰维(wéi)存储等公司(sī)披露过(guò)美光等(děng)国际(jì)存储厂商为公(gōng)司供应商。

　　美光在江波龙采(cǎi)购占比已(yǐ)经显著下降(jiàng)，至少(shǎo)已(yǐ)经不是主要大(dà)供(gōng)应(yīng)商。

　　公告显示， 2021年(nián)美光位(wèi)列江波龙第一大(dà)存(cún)储(chǔ)晶圆供应(yīng)商，采购(gòu)约(yuē)31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年(nián)，江波(bō)龙(lóng)第(dì)一(yī)大、第二大和第三大供(gōng)应商采购金额占(zhàn)比分别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波龙已(yǐ)经在存储产业链(liàn)上下游建立国内外广泛(fàn)合作。2022年(nián)年报显示，江波龙与三(sān)星、美(měi)光、西部数据(jù)等主要存储晶圆原厂签署了长(zhǎng)期(qī)合约，确保存储晶(jīng)圆供(gōng)应(yīng)的稳定(dìng)性(xìng)，巩(gǒng)固公司(sī)在下(xià)游市场的供应优(yōu)势，公(gōng)司也(yě)与国内国产存储晶(jīng)圆(yuán)原厂武(wǔ)汉长江存储、合肥长鑫(xīn)保持(chí)良好的(de)合作。

　　有券商此前就分析，如果美光在(zài)中国区销售(shòu)受到限制，或(huò)将导致(zhì)下(xià)游客户转而采购(gòu)国外三(sān)星、 SK海力士，国内长(zhǎng)江存储、长鑫存储等竞(jìng)对产品(pǐn)

　　分(fēn)析称，长存、长鑫的上(shàng)游设备厂或从中(zhōng)受(shòu)益。存储(chǔ)器的生产已经演进(jìn)到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现(xiàn)在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构(gòu)转变使(shǐ)刻(kè)蚀和薄膜(mó)成为最(zuì)关键(jiàn)、最(zuì)大量(liàng)的加工设备。3D NAND每(měi)层(céng)均需要(yào)经(jīng)过薄膜(mó)沉积工艺(yì)步骤，同时刻蚀目(mù)前前沿要刻(kè)到(dào) 60：1的深孔，未来可能会更深的孔或(huò)者沟槽，催生更多设备需求。据东京(jīng)电子披露，薄膜沉积(jī)设(shè)备及刻蚀占(zhàn)3D NAND产(chǎn)线资本开支合计为(wèi)75％。自长江存储被加入美国限制名单，设(shè)备国(guó)产化进程加速，看好拓(tuò)荆科技（薄膜(mó)沉积）等相关公司份额(é)提升，以及(jí)存储业务占比较高的(de)华海(hǎi)清科（CMP）、盛(shèng)美上(shàng)海（清洗）等收入增长。

未经允许不得转载：成都工装公司_工装装修效果图_专注公装设计装修 - 无同之家装饰 c上标3下标5怎么算公式，c上标2下标5怎么算