大家好，来看一(yī)则突(tū)发消息。

　　美光公(gōng)司在华销售的产品未通过(guò)网络安(ān)全审(shěn)查

　　据网信(xìn)办消息，日前(qián)，网络(luò)安全审查(chá)办公(gōng)室依法对(duì)美光公司在华(huá)销售产品进行了(le)网络安全审查。

　　审查发现，美(měi)光公(g放在里面睡一晚是什么感受，放里面睡觉是什么样的感受ōng)司产品(pǐn)存在(zài)较(jiào)严重网络安(ān)全问(wèn)题(tí)隐(yǐn)患，对我国关键信息基础(chǔ)设施供应链造成重大(dà)安全(quán)风险，影响(xiǎng)我国(guó)国家安全。为此(cǐ)，网络(luò)安全审查办(bàn)公(gōng)室(shì)依法(fǎ)作出(chū)不予通过网络(luò)安全审查的(de)结论(lùn)。按照《网络(luò)安全(quán)法》等法律法规，我国(guó)内关键信息基础设施的运(yùn)营者应停止采(cǎi)购(gòu)美光公司产品。

　　此次对美(měi)光公司产品进行网络安(ān)全审查，目的是防范(fàn)产品网(wǎng)络安(ān)全问题危(wēi)害(hài)国(guó)家关键信(xìn)息基础设施安全，是维(wéi)护(hù)国家安全(quán)的必要(yào)措(cuò)施。中国(guó)坚定推进高水平对外开放，只要遵守(shǒu)中国法律法规(guī)要求(qiú)，欢(huān)迎各(gè)国企业、各类平台(tái)产品(pǐn)服务进入中(zhōng)国市场。

　　3月(yuè)31日，中国网信(xìn)网(wǎng)发文(wén)称，为保障(zhàng)关键信(xìn)息基础(chǔ)设施供应链安全(quán)，防范(fàn)产品问题(tí)隐患造成网络安全风险，维护国家(jiā)安全，依据《中华人民(mín)共(gòng)和国国家安全法》《中华人民共和国网络安全(quán)法》，网(wǎng)络安(ān)全(quán)审查办公室按照《网络安全审查办法》，对美光公司（Micron）在华(huá)销售(shòu)的产品实(shí)施网络安全审查(chá)。

　　美光是美国的(de)存储芯(xīn)片行业龙头，也(yě)是全球存储芯片巨头(tóu)之一，2022年收(shōu)入来自中国市(shì)场收入从此(cǐ)前高峰57％降至2022年约11％。根据市场(chǎng)咨(zī)询机(jī)构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三(sān)星(xīng)电(diàn)子(zi)、 铠侠(xiá)、西部(bù)数(shù)据、SK 海(hǎi)力士、美光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份额约为(wèi) 96.76％，三星电子、 SK 海力(lì)士、美光在全(quán)球 DRAM （内存）市(shì)场份额(é)约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司中(zhōng)，江波龙、佰维存储(chǔ)等公司披露过(guò)美光(guāng)等国际存储厂(chǎng)商为公司供应商。

　　美光在江波龙采购占比已经(jīng)显(xiǎn)著下(xià)降，至少(shǎo)已(yǐ)经(jīng)不是主(zhǔ)要大供应(yīng)商。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年美(měi)光位列(liè)江波龙第一大存储晶圆供应商(shāng)，采购(gòu)约(yuē)31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年(nián)，江波龙第一大(dà)、第二大和第三大供应商采购金额占比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙(lóng)已经(jīng)在存储产业链(liàn)上下游建立(lì)国内(nèi)外广(guǎng)泛合(hé)作。2022年年报(bào)显(xiǎn)示，江波龙与三星、美光、西部数据等主要存储晶(jīng)圆原厂签署了(le)长期合约，确保存储晶圆(yuán)供(gōng)应(yīng)的(de)稳定(dìng)性，巩固公司在下游市场的供(gōng)应优势(shì)，公司也与国(guó)内国产存储晶(jīng)圆原厂武(wǔ)汉(hàn)长江(jiāng)存放在里面睡一晚是什么感受，放里面睡觉是什么样的感受: #ff0000; line-height: 24px;'>放在里面睡一晚是什么感受，放里面睡觉是什么样的感受储、合肥长鑫保(bǎo)持(chí)良好的(de)合作。

　　有(yǒu)券商此前就(jiù)分(fēn)析，如果美光在中国区销售受到限制，或将导致下(xià)游客户转而采购(gòu)国(guó)外三(sān)星、 SK海力士(shì)，国内长(zhǎng)江存储、长鑫存储等(děng)竞对(duì)产品

　　分析称，长存、长鑫的上游设备厂(chǎng)或从中受益。存储器的生产(chǎn)已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已(yǐ)经进入3D NAND时(shí)代，2 维到3维(wéi)的结构(gòu)转变使刻蚀和薄膜成为最关键、最大量的加工设备。3D NAND每层均(jūn)需要经过薄膜(mó)沉(chén)积(jī)工艺步骤(zhòu)，同时刻蚀目前前沿要刻到 60：1的深孔，未来可能会更深的孔或者沟槽，催(cuī)生更(gèng)多(duō)设备(bèi)需(xū)求(qiú)。据东京(jīng)电子披(pī)露(lù)，薄膜沉积设备(bèi)及刻蚀占3D NAND产(chǎn)线资本(běn)开支合(hé)计为75％。自(zì)长江存(cún)储被加入美国限制名单(dān)，设备国产化进程(chéng)加速，看好拓(tuò)荆(jīng)科(kē)技（薄膜沉(chén)积）等相关公(gōng)司(sī)份额提升，以及(jí)存储业务占比(bǐ)较高的(de)华海(hǎi)清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入(rù)增长。

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