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女人长期喝补血口服液好不好,女人补气补血口服液十大品牌 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大家好,来看一则突发消息。

  美光公司在华(huá)销售的产品未通过网络安全审查(chá)

  据网(wǎng)信办消(xiāo)息,日前,网络安(ān)全审查办(bàn)公室依法对美光公司在华销售(shòu)产品进行了网(wǎng)络(luò)安全审查。

  审(shěn)查发现,美光公司产品存(cún)在(zài)较严重网络安(ān)全问题隐患,对我国关(guān)键信息基(jī)础设施供应链(liàn)造成重大(dà)安全风(fēng)险,影(yǐng)响我国(guó)国家安全。为此,网络安全审查(chá)办公室依法作出不(bù)予通过网络(luò)安(ān)全审查(chá)的结(jié)论。按(àn)照《网络安全法》等(děng)法律法规,我国(guó)内关键(jiàn)信息(xī)基(jī)础设施的运营者应(yīng)停止采(女人长期喝补血口服液好不好,女人补气补血口服液十大品牌cǎi)购美光公(gōng)司(sī)产品。

  此(cǐ)次对美光公司产品(pǐn)进行网络安全审查,目(mù)的是(shì)防范产(chǎn)品(pǐn)网络(luò)安全问(wèn)题危害国家关(guān)键信息基础设施安全(quán),是(shì)维护国家安全的必要(yào)措施(shī)。中国坚定(dìng)推进高(gāo)水平对外开放,只要遵守中(zhōng)国法律法规要求,欢迎各国企业、各类平台产(chǎn)品服务进入中国市场。

  半导体突发!中国出手:停止采(cǎi)购!

  3月31日,中(zhōng)国网信网发文(wén)称(chēng),为保障关(guān)键信息基(jī)础设施供应链安(ān)全,防(fáng)范产品问题隐患造成网络安全风险,维护国家安全,依(yī)据《中华人(rén)民共和国国家安全法(fǎ)》《中华人民(mín)共和国网(wǎng)络安全法》,网络安全审查办公室按(àn)照《网络安全审查办法》,对美(měi)光公司(Micron)在华销售的产品(pǐn)实(shí)施(shī)网络(luò)安全(quán)审查。

  半(bàn)导体突发!中国出手(shǒu):停止采购!

  美(měi)光(guāng)是美国的(de)存储芯片行业(yè)龙头(tóu),也是全球存储芯片巨(jù)头之一,2022年收入(rù)来自中国市(shì)场收入从此前(qián)高峰(fēng)57%降(jiàng)至2022年(nián)约11%。根据市(shì)场咨询机构 Omdia(IHS Markit)统计(jì),2021 年三星电(diàn)子、 铠(kǎi)侠、西(xī)部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全(quán)球(qiú) NAND Flash (闪存)市(shì)场份额约为 96.76%,三星电子、 SK 海力(lì)士、美光在(zài)全球 DRAM (内存)市场份额(é)约为(wèi) 94.35%。

  A股上(shàng)市(shì)公司中,江波龙、佰维存储等公司披露过(guò)美光等国际存(cún)储厂(chǎng)商为公司供(gōng)应商。

  美光在江波龙(lóng)采购(gòu)占比已经显著下降,至少已经(jīng)不是主要大供应商。

  公告显示, 2021年美(měi)光(guāng)位列江波龙第(dì)一大存储晶(jīng)圆供应(yīng)商,采购约31亿元(yuán),占(zhàn)比33.52%;2022年,江波龙(lóng)第一大、第二(èr)大和第三(sān)大供(gōng)应商采购金额占比分别是26.28%、22.85%和5.76%。

  目(mù)前(qián)江波龙已经在存储产(chǎn)业链上下游建(jiàn)立国内外广泛合(hé)作。2022年年报(bào)显(xiǎn)示女人长期喝补血口服液好不好,女人补气补血口服液十大品牌,江波龙与(yǔ)三星、美光、西部数据等(děng)主要存储晶圆原厂签署了(le)长期合约,确保存储晶圆供应的(de)稳定性(xìng),巩固(gù)公司在下游市场(chǎng)的供(gōng)应(yīng)优(yōu)势,公司也与国内国产存储晶圆原厂武汉长江存储、合肥长(zhǎng)鑫(xīn)保(bǎo)持良好的(de)合作。

  有券商此前就分析(xī),如果美光在中国(guó)区销(xiāo)售受到限制,或将导致(zhì)下游(yóu)客(kè)户转(zhuǎn)而采(cǎi)购国外三(sān)星、 SK海力(lì)士,国内长江存储、长鑫(xīn)存储等竞对产品

  分(fēn)析称,长(zhǎng)存、长鑫的(de)上游设备厂或从中受益。存(cún)储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺(yì)。另外(wài)NAND Flash现(xiàn)在已经进入3D NAND时代,2 维(wéi)到3维的(de)结构(gòu)转(zhuǎn)变使(shǐ)刻蚀和薄膜成为(wèi)最(zuì)关键、最大量的加工设备。3D NAND每层均(jūn)需要(yào)经(jīng)过薄膜沉积(jī)工艺步骤,同时(shí)刻蚀(shí)目前前沿(yán)要刻到(dào) 60:1的(de)深孔,未来可能会更深(shēn)的孔或者沟槽,催生更多设(shè)备(bèi)需(xū)求。据东京电(diàn)子披(pī)露,薄膜沉积(jī)设备及刻蚀占3D NAND产(chǎn)线资本开(kāi)支(zhī)合(hé)计为75%。自长江存储被加入美国限制名(míng)单(dān),设备国产化(huà)进(jìn)程加速,看好拓荆(jīng)科(kē)技(薄膜沉积)等相关公(gōng)司(sī)份额提升,以(yǐ)及存储业务占比较(jiào)高的华(huá)海(hǎi)清科(CMP)、盛美上海(清洗)等(děng)收入(rù)增长。

 

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