大家好(hǎo)，来看(kàn)一则突发消息。

　　美光公司在华销售的产(chǎn)品未通过网(wǎng)络安全审查

　　据(jù)网信(xìn)办消息，日前，网络安全审查办(bàn)公室(shì)依法(fǎ)对美光公司(sī)在(zài)华销售(shòu)产(chǎn)品进行了网(wǎng)络安(ān)全审(shěn)查。

　　审查发(fā)现，美光(guāng)公司产品存在较严重(zhòng)网(wǎng)络安(ān)全(quán)问题隐患，对我国关键信(xìn)息基础设施供应链造成重大安全风险，影响(xiǎng)我(wǒ)国国家安全。为(wèi)此(cǐ)，网络安全审查办公室依法作出不予(yǔ)通过网(wǎng)络安全审查的结(jié)论(lùn)。按照《网络安全法》等法律法规，我国内关键信(xìn)息基础(chǔ)设施的运(yùn)营者应(yīng)停止采购美光(guāng)公(gōng)司产品。

　　此次(cì)对美光公(gōng)司产品进行网络安全(quán)审查，目的(de)是防范产(chǎn)品网络安全问题危害(hài)国家关(guān)键信息(xī)基础设(shè)施安(ān)全，是维护国家安全的必要措施。中国坚定推进高水平对外开放(fàng)，只(zhǐ)要遵守中国(guó)法(fǎ)律法规(guī)要求，欢迎各国企业(yè)、各类平台产品服务(wù)进入中国市场(chǎng)。

　　3月31日，中国网信网发文(wén)称，为保障(zhàng)关(guān)键(jiàn)信息(xī)基础设施供应链安全，防范产品问(wèn)题隐患造成网络(luò)安全风险(xiǎn)，维护国家(jiā)安全，依(yī)据《中华人(rén)民共(gòng)和国国家(jiā)安(ān)全法》《中华人民共和(hé)国网络安全法》，网(wǎng)络(luò)安全审查办公(gōng)室按照《网络安全审查办法》，对美光公司（Micron）在华(huá)销售的(de)产(chǎn)品实施网络安全审查(chá)。

　　美光(guāng)是美(měi)国的存储芯片行业龙头，也是全球存(cún)储芯(xīn)片巨(jù)头之(zhī)一(yī)，2022年收入(rù)来自中国市场(chǎng)收入从此前(qián)高峰57％降至2022年约(yuē)11％。根据市场咨(zī)询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海(hǎi)力士(shì)、美(měi)光(guāng)、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场(chǎng)份(fèn)额约为(wèi) 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全(quán)球(qiú) DRAM （内存）市(shì)场(chǎng)份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江(jiāng)波龙(lóng)、佰(bǎi)维存储等公司(sī)披露过美光等国际存储(chǔ)厂(chǎng)商为公(gōng)司供应商。

　　美光在江波(bō)龙采购占比已(yǐ)经显著下降，至少已经(jīng)不是主要大供应商(shāng)。

　　公告显示， 2021年(nián)美光(guāng)位列江波龙第一大存储晶圆供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年(nián)，江(jiāng)波(bō)龙第(dì)一大、第(dì)二(èr)大和第(dì)三大供应商采购金(jīn)额占比分(fēn)别(bié)是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波(bō)龙已经(jīng)在(zài)存(cún)储(chǔ)产业链上下(xià)游建立国内外广泛合(hé)作。2022年年报显(xiǎn)示(shì)，江波龙与三(sān)星(xīng)、美光、西部(bù)数据等主(zhǔ)要存储(chǔ)晶圆原厂签署了长期(qī)合约，确保存储晶圆供应的稳定性，巩固(gù)公(gōng)司在(zài)下游市场(chǎng)的供应(yīng)优势，公司(sī)也与(yǔ)国内国产鸭绒被好还是鹅绒被好，鹅绒被最大的缺点存(cún)储晶圆原厂(chǎng)武汉长江存(cún)储、合肥长鑫(xīn)保持良(liáng鸭绒被好还是鹅绒被好，鹅绒被最大的缺点)好的合(hé)作(zuò)。

　　有(yǒu)券(quàn)商(shāng)此前就分析(xī)，如果美光在中国区销售(shòu)受到限制，或将导(dǎo)致下游(yóu)客户转而采购国外三星鸭绒被好还是鹅绒被好，鹅绒被最大的缺点、 SK海力士，国内(nèi)长(zhǎng)江(jiāng)存储、长(zhǎng)鑫(xīn)存储等竞对产品

　　分(fēn)析称(chēng)，长存(cún)、长(zhǎng)鑫的上(shàng)游(yóu)设备(bèi)厂或从中受益。存(cún)储器的生产(chǎn)已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺(yì)。另外(wài)NAND Flash现(xiàn)在已经进(jìn)入(rù)3D NAND时代，2 维(wéi)到3维的结构转变使刻蚀和薄膜成为(wèi)最关键、最大(dà)量的加工(gōng)设备。3D NAND每层均(jūn)需要经过薄(báo)膜沉(chén)积(jī)工艺步骤，同时刻蚀目前前沿要(yào)刻到 60：1的深孔，未来可能会更深的(de)孔或者沟槽，催生(shēng)更多设备需(xū)求(qiú)。据东(dōng)京(jīng)电子(zi)披露，薄(báo)膜沉(chén)积设(shè)备及刻蚀占(zhàn)3D NAND产(chǎn)线资本开(kāi)支(zhī)合计为75％。自长江存储被加入(rù)美国(guó)限制名单，设备(bèi)国产化(huà)进程(chéng)加速(sù)，看好拓荆科技（薄膜沉积）等相关公(gōng)司份(fèn)额提升，以及存储业务占比(bǐ)较高的华海清科（CMP）、盛美上海（清(qīng)洗）等收入增长。

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