大家(jiā)好，来看一则突发(fā)消(xiāo)息。

　　美光(guāng)公司在华销售(shòu)的产(chǎn)品(pǐn)未通过网络安全审查

　　据网信办消(xiāo)息，日前，网络安全(quán)审查办公室(shì)依(yī)法对(duì)美光公司(sī)在华(huá)销售(shòu)产品(pǐn)进行了网络安全审查。

　　审(shěn)查发现，美光公司产(chǎn)品存在较严重网络安(ān)全问题隐患，对(duì)我国关键信息(xī)基(jī)础设施供(gōng)应链造成(chéng)重大安全风险，影响我国国家(jiā)安(ān)全(quán)。为此，网络(luò)安全审(shěn)查办公室依法作出不予通过网络安全审查的结论。按(àn)照(zhào)《网(wln函数的运算法则求导，ln运算六个基本公式ǎng)络安(ān)全(quán)法(fǎ)》等法律(lǜ)法规，我国(guó)内关键信息基础(chǔ)设(shè)施的运(yùn)营者应停止采购(gòu)美光公(gōng)司产(chǎn)品。

　　此(cǐ)次对美(měi)光公司产(chǎn)品进(jìn)行网络(luò)安全审(shěn)查，目的是防范产品网络(luò)安全问(wèn)题危害国家关键信(xìn)息基础(chǔ)设施安全，是维护国家安全的必要(yào)措施。中国坚定推进高水(shuǐ)平对外开放，只(zhǐ)要遵守(shǒu)中国法律法规要求，欢迎(yíng)各国企业、各类平台产品服务进入(rù)中(zhōng)国(guó)市(shì)场(chǎng)。

　　3月31日，中国网(wǎng)信网发文称，为保障(zhàng)关键信息(xī)基(jī)础(chǔ)设施供(gōng)应链安全，防范(fàn)产(chǎn)品问题隐(yǐn)患造成网络安(ān)全风险，维护国家安全(quán)，依(yī)据《中华人民共(gòng)和国国(guó)家安全法(fǎ)》《中华人民共和国网络安全(quán)法》，网络安全审查(chá)办公(gōng)室按照《网络安全审查办(bàn)法》，对美(měi)光公(gōng)司（Micron）在华销(xiāo)售的产品实施网络安全审(shěn)查。

　　美光是(shì)美国的存储芯片行业龙头，也是全(quán)球存储芯片巨头之一，2022年(nián)收入来自中国市场收入从此(cǐ)前(qián)高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠(kǎi)侠(xiá)、西部数据、SK 海(hǎi)力士、美(měi)光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全(quán)球 DRAM （内存）市(shì)场份额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司中，江波(bō)龙、佰维存储(chǔ)等公司披露过美光等国际存(cún)储厂商为(wèi)公司供(gōng)应(yīng)商。

　　美(měi)光在(zài)江波龙采(cǎi)购占(zhàn)比已经(jīng)显(xiǎn)著(zhù)下降(jiàng)，至少已经不(bù)是主要大供应商。

　　公告(gào)显(xiǎn)示， 2021年美光位列江波龙第一大存储(chǔ)晶(jīng)圆供应商，采购(gòu)约31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波(bō)龙(lóng)第一(yī)大、第二大和第三大(dà)供应商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波(bō)龙已经在存储产(chǎn)业链上下(xià)游建立(lì)国内外广泛合作。2022年(nián)年报显示，江波(bō)龙与三星、美光、西部ln函数的运算法则求导，ln运算六个基本公式数据等主要存储晶圆原厂签(qiān)署了长期合(hé)约，确保(bǎo)存储晶圆(yuán)供(gōng)应ln函数的运算法则求导，ln运算六个基本公式的稳(wěn)定性，巩(gǒng)固公司在(zài)下游市场(chǎng)的供(gōng)应优(yōu)势，公司也与国内国产存储晶圆原厂武汉长江存储(chǔ)、合肥(féi)长鑫保持良好的合(hé)作。

　　有券商此前就分析，如果美光在中国(guó)区销售受到限制，或将导(dǎo)致下游(yóu)客户转而采购国(guó)外三星、 SK海力士，国内(nèi)长江(jiāng)存储、长鑫存储等竞对产品

　　分(fēn)析称，长存(cún)、长鑫的上游(yóu)设备厂或(huò)从(cóng)中(zhōng)受益。存储器的生产已经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺。另外NAND Flash现(xiàn)在已经(jīng)进入3D NAND时(shí)代，2 维到3维的结(jié)构转变使刻蚀和(hé)薄(báo)膜成为最关键、最大量的加工(gōng)设备。3D NAND每(měi)层均需要经过薄膜(mó)沉积工艺步骤，同(tóng)时刻蚀目前前(qián)沿要(yào)刻到 60：1的深孔，未来可(kě)能会(huì)更深的孔或者沟槽，催(cuī)生更多(duō)设(shè)备(bèi)需(xū)求。据东京(jīng)电(diàn)子披露，薄膜(mó)沉积设备及刻蚀占(zhàn)3D NAND产线(xiàn)资本(běn)开(kāi)支合计为(wèi)75％。自(zì)长江存储被加入美国(guó)限制名单，设备国产化进程加速，看好拓荆科技（薄(báo)膜沉积）等(děng)相(xiāng)关(guān)公司(sī)份额提(tí)升，以及(jí)存(cún)储(chǔ)业务占(zhàn)比较(jiào)高的华海清科（CMP）、盛美(měi)上海(hǎi)（清洗）等(děng)收(shōu)入增长。

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