大家好(hǎo)，来看(kàn)一则突发(fā)消(xiāo)息(xī)。

　　美光(guāng)公司(sī)在华销售的(de)产品未(wèi)通过网络安全审(shěn)查

　　据网(wǎng)信(xìn)办消息(xī)，日前，网络安(ān)全审查(chá)办(bàn)公室依法对美光公司在华销(xiāo)售(shòu)产(chǎn)品进行了网络安全审查。

　　审(shěn)查发现，美光公司(sī)产品存在(zài)较严重网络安全问(wèn)题隐患，对我国关键信息基础设施(shī)供应链(liàn)造(zào)成重大安(ān)全风险，影响我国国(guó)家安全。为此，网络安(ān)全审查办公室依法作出(chū)不予(yǔ)通过网络安(ān)全审查的结(jié)论。按照(zhào)《网(wǎng)络安全法》等(děng)法律法规，我国(guó)内关键信息基础设施的(de)运营者应停止采购美光公司产品。

　　此次对美光公(gōng)司产品进行网(wǎng)络安全审查，目的是防范(fàn)产品网络(luò)安(ān)全问题危害国家关(guān)键信息基础设施安全，是维护国(guó)家安(ān)全的必要措施。中国坚(jiān)定推进高水(shuǐ)平对外开放(fàng)，只要(yào)遵(zūn)守中国法(fǎ)律法(fǎ)规要求，欢迎各国企业、各类平台(tái)产品服务进入(rù)中国(guó)市场。

　　3月31日，中国网信网(wǎng)发文称，为保(bǎo)障关键信(xìn)息基础设施供应链(liàn)安(ān)全(quán)，防范(fàn)产品问题隐(yǐn)患造成网(wǎng)络安全风险，维护国家安全，依据(jù)《中(zhōng)华人民共和国(guó)国(guó)家安全法》《中华人民共和国网络安全法》，网络安全审查办公室按(àn)照《网络(luò)安(ān)全审(shěn)查办法》，对美(měi)光公(gōng)司（Micron）在(zài)华销售的(de)产(chǎn)品实施网络安全审查。

　　美光(guāng)是美国的存储芯片(piàn)行业龙头，也是全球(qiú)存储芯片(piàn)巨(jù)头之一(yī)，2022年收入来自中(zhōng)国市夏朝距今多少年，夏朝距今多少年2022(shì)场收入从(cóng)此(cǐ)前高峰(fēng)57％降至2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠(xiá)、西部数据、SK 海力(lì)士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存(cún)）市场份(fèn)额约(yuē)为 96.76％，三星电子(zi)、 SK 海力士、美(měi)光(guāng)在全球(qiú) DRAM （内存(cún)）市场份额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公(gōng)司中，江波龙、佰维(wéi)存储等公司披(pī)露过美光等国(guó)际存储厂商为公司供应商。

　　美光在江波龙(lóng)采购占比(bǐ)已经显著下降，至少已经不是主要大供应(yīng)商(shāng)。<夏朝距今多少年，夏朝距今多少年2022/p>

　　公告显(xiǎn)示， 2021年(nián)美光位列江波龙第一大存储晶圆供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江(jiāng)波(bō)龙(lóng)第一(yī)大(dà)、第二大和第三大供应商采购金额占比分别(bié)是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目(mù)前江(jiāng)波(bō)龙已经在存储产业链(liàn)上下游建立国内外广(guǎng)泛合作。2022年年报(bào)显示，江(jiāng)波龙与三星(xīng)、美光、西部数(shù)据等(děng)主要(yào)存储(chǔ)晶圆(yuán)原厂签署了长(zhǎng)期合约，确(què)保存储晶圆(yuán)供应(yīng)的稳(wěn)定性，巩固公司在(zài)下游市场的(de)供应(yīng)优势，公(gōng)司也与国内国(guó)产存储晶圆原厂武汉长江存储、合(hé)肥长鑫保持良好(hǎo)的(de)合作(zuò)。

　　有券商(shāng)此前就分析，如果美(měi)光在中国区(qū)销售受到限(xiàn)制，或将导致下游客户转而采购国外三星、 SK海力士，国内长江存储(chǔ)、长鑫存(cún)储等竞(jìng)对产品

　　分(fēn)析称，长(zhǎng)存(cún)、长(zhǎng)鑫的(de)上(shàng)游设备厂或(huò)从中受益。存储(chǔ)器的生产已(yǐ)经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在(zài)已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使(shǐ)刻蚀和薄膜成为最关键、最大量的加工设备。3D NAND每层均需(xū)要经过薄膜沉积工艺步骤(zhòu)，同时刻蚀目前前沿要刻到 60：1的深(shēn)孔，未(wèi)来可能会更深的(de)孔或者沟(gōu)槽(cáo)，催(cuī)生更(gèng)多设备需(xū)求(qiú)。据东京电(diàn)子披露，薄膜沉积设备及刻(kè)蚀占3D NAND产线资本开支合(hé)计(jì)为75％。自长江存储(chǔ)被(bèi)加入美国限制名单，设(shè)备国产化进(jìn)程加速，看好拓荆科技（薄膜沉积(jī)）等相(xiāng)关公司(sī)份额提升，以及存储业务占比较高(gāo)的华海(hǎi)清(qīng)科(kē)（CMP）、盛美(měi)上海(hǎi)（清洗(xǐ)）等(děng)收(shōu)入增长。

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