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　　美(měi)光公司(sī)在华(huá)销售的(de)产(chǎn)品(pǐn)未通(tōng)过网络安全审查(chá)

　　据网(wǎng)信办消息，日前，网络安全审查办公室依(yī)法对美(měi)光公(gōng)司在华销售产(chǎn)品进行了网络(luò)安(ān)全审查(chá)。

　　审查发现，美光公司产品存在较(jiào)严(yán)重(zhòng)网络安全问题隐患，对我国关(guān)键信息(xī)基础(chǔ)设(shè)施(shī)供应链造成重大安全(quán)风险(xiǎn)，影(yǐng)响我国国家安(ān)全。为此，网络安(ān)全审查办(bàn)公室依法作出不(bù)予通过网(wǎng)络安全审查的结论。按照《网络安全(quán)法》等法律法规(guī)，我国内关(guān)键信息(xī)基础设(shè)施的运(yùn)营者应停止采购美光公司(sī)产品。

　　此次对(duì)美光公司产品进行网络安全审查，目的是防范产品(pǐn)网络安(ān)全(quán)问题危(wēi)害国家关键信(xìn)息(xī)基(jī)础设施安(ān)全，是维护国(guó)家安全的必要措(cuò)施(shī)。中国坚定推进(jìn)高(gāo)水平对外开放，只要遵守中国法律法规要求，欢迎各(gè)国企业(yè)、各类平台产品服务进入中国市场。

　　3月31日，中国网(wǎng)信网发文称，为保障关键信息(xī)基础设施供应链安全，防(fáng)范(fàn)产品问题(tí)隐患造成网(wǎng)络安全风险，维护国家安全，依(yī)据《中华(huá)人民共(gòng)和国国家安全法》《中华人民共和国网络安(ān)全法》，网络(luò)安全审(shěn)查办公(gōng)室(shì)按照《网(wǎng)络安全(quán)审(shěn)查办法》，对美光公(gōng)司（Micron）在华(huá)销售的产品实施网(wǎng)络安全审查。

　　美光是美国的存储(chǔ)芯片行业(yè)龙头，也是全球存储芯(xīn)片巨(jù)头之一，2022年收入来自中国市场收入(rù)从此前高峰57％降至2022年约11％。根据市(shì)场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年(nián)三(sān)星(xīng)电(diàn)子、 铠侠、西(xī)部数据(jù)、SK 海力士、美(měi)光、Solidigm 在全(quán)球(qiú) NAND Flash （闪存）市场份额约为(wèi) 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海力士、美光在全球(qiú) DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市(shì)公司(sī)中，江波龙、佰维存(cún)储(chǔ)等公司披(pī)露过美(měi)光等国际(jì)存(cún)储厂商为公司供应商。

　　美光在江波龙采购占比已经(jīng)显著下(xià)降，至少(shǎo)已(yǐ)经不(bù)是主要大供应商。

　　公告显示， 20粗犷，粗旷和粗犷区别在哪21年美光位列江(jiāng)波龙第一大存储晶圆供应商，采(cǎi)购约31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波龙(lóng)第一大、第二(èr)大和第三(sān)大供应商采购(gòu)金额占比分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波龙已(yǐ)经在存储(chǔ)产业链上(shàng)下游建立国内外(wài)广泛合作。2022年(nián)年报显示，江波龙与三星、美光、西部数据等主要存(cún)储晶圆原厂签(qiān)署了长期合约，确保(bǎo)存储(chǔ)晶圆供(gōng)应的稳(wěn)定性(xìn粗犷，粗旷和粗犷区别在哪g)，巩固(gù)公司在下游市场的供应优势，公司也与(yǔ)国内国产(chǎn)存(cún)储晶圆原(yuán)厂武(wǔ)汉长(zhǎng)江存储、合肥(féi)长鑫保(bǎo)持良好(hǎo)的合作。

　　有券商此前就分析(xī)，如果美光在中国区销售(shòu)受到限制，或(huò)将导(dǎo)致下游客(kè)户转而采购国外三星、 SK海(hǎi)力(lì)士(shì)，国内长江存储(chǔ)、长鑫存储(chǔ)等竞对产品

　　分析称，长存、长鑫的(de)上(shàng)游设备厂或从中受(shòu)粗犷，粗旷和粗犷区别在哪益。存(cún)储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另(lìng)外NAND Flash现在(zài)已经进(jìn)入3D NAND时代，2 维到3维的(de)结构(gòu)转变(biàn)使刻(kè)蚀和(hé)薄(báo)膜成为最(zuì)关键、最大量(liàng)的加(jiā)工设备。3D NAND每层均需要(yào)经过薄膜沉积工(gōng)艺步骤，同时刻蚀目前前沿要(yào)刻到 60：1的深(shēn)孔，未来可能(néng)会更(gèng)深的孔或者沟槽，催(cuī)生更多设(shè)备需求(qiú)。据(jù)东(dōng)京电子(zi)披(pī)露(lù)，薄(báo)膜沉积设(shè)备(bèi)及刻蚀占3D NAND产线资本开支(zhī)合计为(wèi)75％。自长江存储被加入(rù)美国限制名单，设(shè)备国产化进程加速(sù)，看好拓荆科技(jì)（薄膜沉积）等相关公(gōng)司份额提升，以及存储业务占比较高的华海清(qīng)科(kē)（CMP）、盛(shèng)美上海（清洗）等收(shōu)入(rù)增长。

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