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　　美光公司(sī)在华销售的产(chǎn)品未通过网络(luò)安全(quán)审查

　　据网信办消息，日前，网络安全审查办公室依法(fǎ)对美光(guāng)公(gōng)司在华销售产品进(jìn)行了(le)网络(luò)安全审查。

　　审查发(fā)现，美光公司(sī)产(chǎn)品存在(zài)较(jiào)严重网络安全问(wèn)题隐患，对我国关键信息基础(chǔ)设施供应链造成(chéng)重大安全风(fēng)险，影响我国国家安全。为此(cǐ)，网络安(ān)全审查办公室(shì)依(yī)法作(zuò)出不予通过网络(luò)安全审查的结论。按照《网络(luò)安(ān)全法》等法(fǎ)律法规，我国内关键信息基础设施的运营者应停(tíng)止采购美光公司产(chǎn)品。

　　此(cǐ)次对(duì)美光公司产品进行(xíng)网(wǎng)络安全审(shěn)查(chá)，目(mù)的是(shì)防(fáng)范产品网络安全问题危害国家(jiā)关键信(xìn)息基(jī)础设施安全，是(shì)维护国家安全的(de)必要措施。中(zhōng)国坚定推进高水(shuǐ)平对外开放，只要遵守中国法律法(fǎ)规要求，欢迎各国(guó)企业、各(gè)类平台产品服务(wù)进入中国市(shì)场。

　　3月(yuè)31日，中国网信(xìn)网发(fā)文称，为保(bǎo)障关键信息基础(chǔ)设施(shī)供应链(liàn)安全，防范产品问题(tí)隐患造成(chéng)网络安全风险，维护国家安全，依据(jù)《中华人(rén)民共和国(guó)国(guó)家安全法(fǎ)》《中华人民共和国网络安全法》，网络安全(quán)审查办(bàn)公室(shì)按照《网络安全审查办法》，对美光公司（Micron）在华销售的(de)产品实(shí)施网络安(ān)全审查。

　　美(měi)光是美国的存储芯片行业龙头(tóu)，也(yě)是全球存(cún)储芯片巨头之一，2022年收入来(lái)自中国市场收(shōu)入(rù)从此前高峰57％降至(zhì)2022年约11％。根(gēn)据(jù)市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星电子、 铠侠(xiá)、西部(bù)数据、SK 海力士、美光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市(shì)场份额约(yuē)为 9大冤种什么意思，大冤种是骂人吗6.76％，三星电子、 SK 海(hǎi)力士、美光在全(quán)球(qiú) DRAM （内存）市场(chǎng)份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江(jiāng)波(bō)龙、佰维存储(chǔ)等公司披露过美光等国际存储厂商为(wèi)公(gōng)司供应商。

　　美光(guāng)在(zài)江(jiāng)波龙采购占(zhàn)比已经(jīng)显(xiǎn)著下(xià)降，至少已经不是主要大供应商。

　　公告显示， 2021年美光位列江波龙第一大存储晶圆供应商，采(cǎi)购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和第(dì)三大(dà)供应(yīng)商采购金额占比分别是(sh大冤种什么意思，大冤种是骂人吗ì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波(bō)龙已经在存储产业链上下游建(jiàn)立国内(nèi)外(wài)广泛合作。2022年(nián)年(nián)报显示，江波龙与三(sān)星、美光、西(xī)部数(shù)据(jù)等主(zhǔ)要存储(chǔ)晶圆原厂签署了长期合约，确保存储晶(jīng)圆供应的稳定性，巩固公司在下游市(shì)场的(de)供(gōng)应优势，公司(sī)也与国内国产存储(chǔ)晶圆原厂武汉长江(jiāng)存(cún)储、合(hé)肥(féi)长(zhǎng)鑫保持良好的(de)合作(zuò)。

　　有券商此前就分析(xī)，如果美光在中(zhōng)国区销售受到限制(zhì)，或将(jiāng)导(dǎo)致(zhì)下(xià)游客户大冤种什么意思，大冤种是骂人吗转(zhuǎn)而采购国外三(sān)星(xīng)、 SK海力士，国(guó)内长(zhǎng)江(jiāng)存储、长鑫存储等竞对(duì)产品

　　分(fēn)析称，长存(cún)、长鑫的上游(yóu)设备厂或从中受益。存储器(qì)的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺。另(lìng)外NAND Flash现在已经(jīng)进入3D NAND时代，2 维到3维的结(jié)构转变使刻蚀和薄膜(mó)成为最关键、最大量(liàng)的(de)加工(gōng)设备(bèi)。3D NAND每(měi)层均需要经过薄膜(mó)沉积(jī)工艺步骤，同时刻蚀目前前沿要(yào)刻到 60：1的深孔，未来可(kě)能会更深的孔或(huò)者沟槽，催(cuī)生更(gèng)多设备需求(qiú)。据(jù)东京电子披(pī)露，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为75％。自(zì)长江存储被加(jiā)入美国(guó)限制名单，设备国(guó)产化进程加(jiā)速，看好(hǎo)拓荆(jīng)科技(jì)（薄膜沉积）等相(xiāng)关公司份(fèn)额(é)提升(shēng)，以及(jí)存储(chǔ)业务占比较高的华海清(qīng)科（CMP）、盛美上海（清洗）等收(shōu)入增长。

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