大家好，来看一则突(tū)发消息。

　　美光(guāng)公司在(zài)华销售(shòu)的产品(pǐn)未通过网(wǎng)络(luò)安全审(shěn)查

　　据(jù)网(wǎng)信办(bàn)消息(xī)，日前，网络安全审查办公(gōng)室依法(fǎ)对美光公司(sī)在华(huá)销(xiāo)售(shòu)产品进(jìn)行了网络安全审查(chá)。

　　审查(chá)发现，美光公司(sī)产品存(cún)在较严重网络安全问(wèn)题隐患，对我国关键(jiàn)信息基础设施(shī)供(gōng)应链(liàn)造成重大安全风险，影响我国国(guó)家(jiā)安全。为(wèi)此，网络安全审查办公室依法作出不予通过网络安全审查的结论。按照《网(wǎng)络(luò)安全法(fǎ)》等法律法规，我国内关键信息基(jī)础设施的(de)运营(yíng)者(zhě)应停(tíng)止采(cǎi)购美光(guāng)公司产品(pǐn)。

　　此次对(duì)美光公司(sī)产品(pǐn)进行网络(luò)安全(quán)审查(chá)，目的是防范产品(pǐn)网(wǎng)络安全问题危害国家关键(jiàn)信(xìn)息(xī)基础设施安(ān)全(quán)，是(shì)维护国家安全的必(bì)要措施(shī)。中国坚定(dìng)推进(jìn)高水平对外开(kāi)放(fàng)，只要遵守中国法律法规要求，欢迎各(gè)国企业、各类平(píng)台产品服务(wù)进(jìn)入中国市场。

　　3月31日，中国网(wǎng)信网发文(wén)称，为保(bǎo)障(zhàng)关键信息(xī)基(jī)础设施供应(yīng)链安全，防(fáng)范产品(pǐn)问题隐患造成网络安全风险，维护国家安全，依据(jù)《中华人民共和国(guó)国<西安市城六区是哪几个span style='color: #ff0000; line-height: 24px;'>西安市城六区是哪几个(guó)家安全法》《中华人民共和国网络安全法》，网络安全(quán)审查办(bàn)公室按照《网络安全审查办法》，对美光公司（Micron）在华(huá)销售的产品实施网络安全审查(chá)。

　　美光是美(měi)国的存储芯(xīn)片(piàn)行业龙头，也(yě)是全球存储芯片巨头之一，2022年收入来(lái)自(zì)中国市(shì)场收入从此(cǐ)前高峰(fēng)57％降至2022年约(yuē)11％。根据(jù)市场咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存(cún)）市场份额(é)约为(wèi) 96.76％，三星电子(zi)、 SK 海力士、美光在全(quán)球 DRAM （内(nèi)存）市场份(fèn)额约(yuē)为(wèi) 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司中，江波龙(lóng)、佰维存储(chǔ)等(děng)公(gōng)司披露(lù)过美光等国(guó)际(jì)存储厂商为公司供(gōng)应商。

　　美光在(zài)江波龙采购占比已经显著下(xià)降，至(zhì)少已经不是(shì)主(zhǔ)要大供应(yīng)商。

　　公告显示， 2021年(nián)美光位列江波龙第一大(dà)存储晶圆供应商，采购(gòu)约31亿元，占(zhàn)比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙第(dì)一大、第二大和第(dì)三大(dà)供应商(shāng)采购金额(é)占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前(qián)江(jiāng)波龙已经在存(cún)储产业链上下游建立国内外广(guǎng)泛合作。2022年年报显(xiǎn)示，江波(bō)龙与三星、美(měi)光、西部数据等主要存储晶圆(yuán)原厂(chǎng)签署了长期(qī)合(hé)约，确保(bǎo)存储晶圆(yuán)供(gōng)应的稳定性(xìng)，巩固公司在(zài)下游(yóu)市(shì)场(chǎng)的供应优(yōu)势，公(gōng)司也(yě)与国(guó)内(nèi)国产存储晶圆原厂武汉(hàn)长江存(cún)储、合肥(féi)长鑫保持良好的合作(zuò)。

　　有(yǒu)券商此前就分析，如果美光在(zài)中国区销售(shòu)受到限制(zhì)，或将导致下游客户转而采购国(guó)外三(sān)星、 SK海力士，国内长江存储、长鑫存储等竞对产(chǎn)品

　　分析称，长存(cún)、长(zhǎng)鑫的上游设备厂或(huò)从中受益。存储器的(de)生(shēng)产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入(rù)3D NAND时代，2 维到(dào)3维的结构转变(biàn)使刻蚀和(hé)薄膜(mó)成为最关(guān)键、最(zuì)大量的加工设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积工艺(yì)步骤(zhòu)，同(tóng)时刻蚀目前(qián)前沿要刻到 60：1的深孔(kǒng)，未来可能会更深的孔或者沟槽，催(cuī)生更多设备需求。据东(dōng)京电子(zi)披露，薄膜沉(chén)积设(shè)备及刻(kè)蚀占3D NAND产(chǎn)线资本开支合计为(wèi)75％。自长江存储被加入美国限制名单(dān)，设(shè)备国产化(huà)进(jìn)程加速，看好拓荆科(kē)技（薄膜(mó)沉积）等(děng)相关公司份额提升，以及(jí)存储业(yè)务占比较高的华海清科（CMP）、盛(shèng)美上(shàng)海（清洗）等收入增长(zhǎng)。

未经允许不得转载：成都工装公司_工装装修效果图_专注公装设计装修 - 无同之家装饰 西安市城六区是哪几个