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　　美(měi)光公司在华销(xiāo)售的产(chǎn)品未通过网络(luò)安全审查一睹人间盛世颜 远赴人间惊鸿宴全诗，远赴人间惊鸿宴全诗作者p>

　　据(jù)网信办消(xiāo)息，日前(qián)，网络安全审查办(bàn)公室(shì)依(yī)法对(duì)美光(guāng)公(gōng)司(sī)在华销售产品进行(xíng)了网(wǎng)络安全审查。

　　审查发现，美光公司(sī)产(chǎn)品存在较(jiào)严重网(wǎng)络安全(quán)问(wèn)题(tí)隐患，对我(wǒ)国关键信息基础(chǔ)设(shè)施供应(y一睹人间盛世颜 远赴人间惊鸿宴全诗，远赴人间惊鸿宴全诗作者īng)链造成重大安全风(fēng)险，影响我国国家安(ān)全。为此，网(wǎng)络安全(quán)审查办公室依(yī)法作(zuò)出不(bù)予通(tōng)过网络安(ān)全审查的结论。按照《网络(luò)安全法》等法律法规(guī)，我国(guó)内关键信息基础设施(shī)的运营者应(yīng)停(tíng)止采购(gòu)美光公司产品(pǐn)。

　　此(cǐ)次对(duì)美光公司产品(pǐn)进行网络安全审查，目的是防范产品网络(luò)安全问题危害(hài)国家关键信(xìn)息基础(chǔ)设(shè)施安全，是维(wéi)护国家安全的必要措(cuò)施。中国(guó)坚定推进高(gāo)水平对外开(kāi)放，只要遵守中国法律法规要(yào)求，欢迎各国企业、各类平(píng)台产(chǎn)品服(fú)务(wù)进入中国市场。

　　3月31日，中国网信(xìn)网发文(wén)称(chēng)，为(wèi)保障关(guān)键(jiàn)信息基础设施供应(yīng)链安(ān)全，防范产品(pǐn)问题隐患造成网络(luò)安全风险(xiǎn)，维护(hù)国家(jiā)安全(quán)，依据《中华人民共和国国(guó)家安(ān)全法》《中华人民共和国网络安全法》，网(wǎng)络(luò)安全(quán)审查办公室按照《网络安全审查办法》，对美光(guāng)公司(sī)（Micron）在华销售的产品实(shí)施网络(luò)安全审查。

　　美光是美国的(de)存储芯片行业龙头，也(yě)是全球存储芯片(piàn)巨头(tóu)之(zhī)一，2022年收(shōu)入来自中国市场收入从此前高峰57％降至(zhì)2022年约11％。根据市场咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西(xī)部(bù)数(shù)据(jù)、SK 海力(lì)士、美(měi)光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在(zài)全球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公(gōng)司中一睹人间盛世颜 远赴人间惊鸿宴全诗，远赴人间惊鸿宴全诗作者，江波(bō)龙、佰维存储等公司披露过美光等国际存储(chǔ)厂商(shāng)为公司供(gōng)应商。

　　美(měi)光在(zài)江波龙采购(gòu)占比(bǐ)已经显(xiǎn)著下降，至少已经(jīng)不是主要大供应商。

　　公告(gào)显示， 2021年(nián)美光位列江波龙第一(yī)大存储晶圆供应商，采购约31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年，江波龙第(dì)一(yī)大(dà)、第二大和(hé)第(dì)三大(dà)供应商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在(zài)存储产业(yè)链上下游建立(lì)国(guó)内(nèi)外广泛合作。2022年(nián)年报显(xiǎn)示(shì)，江波龙与三(sān)星、美光、西部数据等主要存储晶圆(yuán)原厂签(qiān)署了长期合约，确保存储晶圆供应的(de)稳定(dìng)性，巩固公司在下(xià)游(yóu)市场的供(gōng)应(yīng)优(yōu)势，公司也与国内(nèi)国产存(cún)储晶圆原(yuán)厂武汉长江存(cún)储、合肥长鑫(xīn)保持良好(hǎo)的合作。

　　有券商此(cǐ)前就分析，如果美光在中国(guó)区销(xiāo)售受到限制，或将导致(zhì)下(xià)游客户转而采购国(guó)外三星、 SK海力士，国内长(zhǎng)江存储、长鑫存储(chǔ)等竞对产品(pǐn)

　　分析称，长(zhǎng)存(cún)、长鑫的上游(yóu)设(shè)备厂或从中(zhōng)受益(yì)。存储(chǔ)器的(de)生产已经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至(zhì)1Znm的工艺(yì)。另外NAND Flash现(xiàn)在已经进入3D NAND时代，2 维(wéi)到3维(wéi)的结构转变使刻(kè)蚀和(hé)薄(báo)膜(mó)成为(wèi)最关键、最大量的加工设备。3D NAND每(měi)层均需(xū)要经过薄膜(mó)沉(chén)积工艺步骤(zhòu)，同时刻蚀目前(qián)前(qián)沿要(yào)刻(kè)到(dào) 60：1的(de)深孔，未(wèi)来可能(néng)会更(gèng)深的孔或者沟槽，催(cuī)生更多设备需(xū)求。据东(dōng)京电(diàn)子披露，薄膜沉积设备及刻蚀占(zhàn)3D NAND产(chǎn)线资本开支(zhī)合计为75％。自长江存储被(bèi)加入(rù)美国限制(zhì)名单，设备国产化进(jìn)程加速(sù)，看(kàn)好(hǎo)拓荆科技（薄膜沉(chén)积(jī)）等(děng)相关公司份额提升，以(yǐ)及存储业务占比较(jiào)高的华海清科(kē)（CMP）、盛美(měi)上海（清洗）等收入(rù)增(zēng)长。

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