大(dà)家好，来看一则突发消息。

　　美光(guāng)公司在华销售的产品未通(tōng)过网络安全审(shěn)查

　　据网(wǎng)信办消息，日前，网络安全(quán)审(shěn)查办(bàn)公室(shì)依(yī)法对美光公司在华销售产品进行了(le)网(wǎng)络(luò)安全(quán)审查。

　　审查发(fā)现，美光公司产(chǎn)品存在较严重网络(luò)安全(quán)问题隐患(huàn)，对我国(guó)关键(jiàn)信息基础设(shè)施(shī)供应链造成重大安全风险，影响我国国家安全。为(wèi)此，网络(luò)安全(quán)审(shěn)查办公室依(yī)法作出不予通过(guò)网络安(ān)全审查的(de)结(jié)论。按照《网络安全(quán)法》等法(fǎ)律(lǜ)法规(guī)，我国内(nèi)关(guān)键(jiàn)信息基础设施(shī)的运营者应停止(zhǐ)采(cǎi)购美光公司(sī)产品。

　　此次对美光(guāng)公司产(chǎn)品进行网络安全(quán)审查，目的是防范产品网络安全(quán)问题危害国家关(guān)键信息基(jī)础设施安全，是维护国家安全的(de)必要措施。中国坚定推进(jìn)高水(shuǐ)平对外开放，只(zhǐ)要遵守(shǒu)中国法律法规要求，欢迎各国(guó)企业(yè)、各类平台产品服(fú)务进(jìn)入中国市场(chǎng)。

　　3月31日(rì)，中国网信网发文(wén)称，为保障关键(jiàn)信息基础(chǔ)设施供应(yīng)链安全，防(fáng)范产品问题(tí)隐(yǐn)患造成网络安全(quán)风险(xiǎn)，维护国家安全，依(yī)据(jù)《中华人民共(gòng)和(hé)国国家安(ān)全法(fǎ)》《中华人民共和国网络安(ān)全法(fǎ)》，网络安全审(shěn)查办公(gōng)室按照《网络安全审查(chá)办(bàn)法》，对(duì)美光公(gōng)司（Micron）在华销售(shòu)的(de)产品实施网络安全审查。

　　美(měi82厘米的腰围是多少尺 82厘米是多少裤头)光(guāng)是(shì)美(měi)国(guó)的存储芯片行业(yè)龙头，也是全(quán)球存储(chǔ)芯片巨头之(zhī)一，2022年(nián)收入来自中国市场收入从(cóng)此(cǐ)前高(gāo)峰57％降至2022年(nián)约(yuē)11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三(sān)星(xīng)电子、 铠(kǎi)侠、西(xī)部数据、SK 海力士、美光(guāng)、Solidigm 在(zài)全(quán)球 NAND Flash （闪(shǎn)存(cún)）市(shì)场(chǎng)份额约为 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海力士、美光(guāng)在全球 DRAM （内(nèi)存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司中，江波龙、佰维(wéi)存(cún)储等公(gōng)司(sī)披(pī)露(lù)过美(měi)光等国(guó)际存储厂商(shāng)为公司(sī)供应商(shāng)。

　　美(měi)光在江波(bō)龙采(cǎi)购占比已经(jīng)显著下降，至少已(yǐ)经不(bù)是(shì)主要(yào)大供应商(shāng)。

　　公告(gào)显示， 2021年(nián)美(měi)光位列江(jiāng)波(bō)龙(lóng)第一大存储晶圆(yuán)供应商，采购约31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波(bō)龙第一大、第二(èr)大和第三大供应商采购(gòu)金额占比分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙已经在存储产(chǎn)业链上下游(yóu)建立国内(nèi)外广泛合作。2022年(nián)年报显(xiǎn)示(shì)，江波龙与(yǔ)三星、美光、西(xī)部数据等主要(yào)存储晶圆原(yuán)厂签署了(le)长(zhǎng)期合约，确(què)保存储晶圆供应的稳定(dìng)性，巩固公司在下游市(shì)场的(de)供应优势，公司(sī)也(yě)与(yǔ)国内国产存(cún)储晶圆原厂武汉长江存储、合肥长鑫保(bǎo)持(chí)良好的(de)合(hé)作。

　　有券商(shāng)此(cǐ)前就分析，如果美光在中国区(qū)销售受到限制，或将导(dǎo)致下游(yóu)客(kè)户转而采(cǎi)购国(guó)外三星、 SK海力士，国内长江存储、长鑫(xīn)存储(chǔ)等竞(jìng)对产品

　　分(fēn)析称，长存、长鑫的上游设备厂或从中受益。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时(shí)代，2 维到3维的结构转(zhuǎn)变使刻蚀和薄膜成为最(zuì)关键、最大(dà)量的加工设(shè)备(bèi)。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积工艺步骤，同(tóng)时刻蚀(shí)目前前沿要刻到 60：1的深(shēn)孔(kǒng)，未(wèi)来可能会更(gèng)深(shēn)的孔或者沟(gōu)槽(cáo)，催生更多设备需求。据东京(jīng)电子(zi)披露，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合(hé)计为75％。自长江存(cún)储被(bèi)加入美国限制名单，设备国(guó)产化(huà)进程加速，看好拓荆(jīng)科技（薄膜(mó)沉积）等相关公司份额提升，以及(jí)存储业务占比较高(gāo)的(de)华(huá)海清(qīng)科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长。

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