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name是什么意思 name是姓还是名 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大家好,来看一则(zé)突发消息。

  美光公司在华销售的产品未通过网络(luò)安(ān)全审查

  据网信(xìn)办消息,日前(qián),网络安全审(shěn)查办公(gōng)室(shì)依法对美光公司在华销售产(chǎn)品进行了网络安(ān)全审查。

  审查发(fā)现,美光(guāng)公司产品存(cún)在较严重网(wǎng)络安全(quán)问题隐患,对我国关键信息基础设施供(gōng)应(yīng)链造成重(zhòng)大(dà)安全风险,影(yǐng)响我国(guó)国家安(ān)全(quán)。为(wèi)此(cǐ),网络name是什么意思 name是姓还是名安全审(shěn)查办公室依法作出不予(yǔ)通(tōng)过网(wǎng)络安全审查的结论(lùn)。按照《网络安全法》等法律法规,我国内关键信息基础设施的运营者应停name是什么意思 name是姓还是名止(zhǐ)采购美光公(gōng)司产品。

  此(cǐ)次对美光公司产品进行(xíng)网(wǎng)络安全(quán)审查,目的是防范产品网络(luò)安全问题危害国家关键信息基(jī)础设施安全,是维护(hù)国家安全(quán)的必要措施。中国坚定推进(jìn)高水平对外开(kāi)放,只要遵守中国法律法规要求,欢迎(yíng)各国(guó)企业、各类平台产(chǎn)品服务进入(rù)中国市场(chǎng)。

  半导体突发!中国出手:停止采购!

  3月31日(rì),中国网信网发文称,为(wèi)保障关键信息基础设(shè)施供应(yīng)链安(ān)全,防范产(chǎn)品问题隐(yǐn)患造成(chéng)网络安(ān)全风险(xiǎn),维护(hù)国家安全,依据(jù)《中(zhōng)华人民共和国国家(jiā)安全法》《中华(huá)人民共和国网络安全法》,网络(luò)安全(quán)审(shěn)查办公(gōng)室按照《网(wǎng)络安(ān)全审查办法(fǎ)》,对(duì)美(měi)光公司(Micron)在华销售的产(chǎn)品实施(shī)网络安全(quán)审查。

  半导体(tǐ)突发!中国(guó)出手:停止采(cǎi)购!

  美光是美国的存储(chǔ)芯片行(xíng)业(yè)龙(lóng)头,也是全球存储芯片巨(jù)头之一,2022年收入来自中国市场收入(rù)从此前高峰57%降至2022年约11%。根据市(shì)场(chǎng)咨询(xún)机构 Omdia(IHS Markit)统(tǒng)计,2021 年三星(xīng)电(diàn)子(zi)、 铠(kǎi)侠、西部数(shù)据(jù)、SK 海(hǎi)力士、美(měi)光、Solidigm 在全球 NAND Flash (闪(shǎn)存)市场(chǎng)份额约为 96.76%,三星电子(zi)、 SK 海力(lì)士、美光在全球(qiú) DRAM (内(nèi)存)市场份额约(yuē)为 94.35%。

  A股上市公司(sī)中,江波龙、佰维存储等公司(sī)披露过美光(guāng)等国际存储厂商为公司供应商(shāng)。

  美光在江波龙采购(gòu)占比已经(jīng)显著下降,至少已经不是主要大供应商。

  公告显示, 2021年美光位(wèi)列(liè)江波龙第一大(dà)存(cún)储(chǔ)晶圆供应(yīng)商,采(cǎi)购约31亿元,占比33.52%;2022年,江波龙(lóng)第一(yī)大(dà)、第二大和第(dì)三(sān)大供应(yīng)商(shāng)采购(gòu)金额占比分别(bié)是26.28%、22.85%和(hé)5.76%。

  目前(qián)江波龙已(yǐ)经在存储产业链(liàn)上(shàng)下游建立国内外广泛合作。2022年年报显示,江波龙与三星、美光、西部数据等主(zhǔ)要存储晶圆原(yuán)厂签署(shǔ)了(le)长期合约,确(què)保存储晶圆(yuán)供应(yīng)的(de)稳(wěn)定性,巩(gǒng)固公司在下游市(shì)场的供应优势,公司也与国内(nèi)国(guó)产存储(chǔ)晶圆原厂武(wǔ)汉长江存储(chǔ)、合肥长鑫保持良好的合作。

  有券商此前就分析,如果美光在(zài)中国区销售受到限制,或将(jiāng)导(dǎo)致下游客户转而采(cǎi)购(gòu)国外三星、 SK海力士,国内长(zhǎng)江存储(chǔ)、长(zhǎng)鑫存(cún)储等(děng)竞对(duì)产品(pǐn)

  分析称,长存、长鑫(xīn)的(de)上(shàng)游设备厂或从中受益。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至(zhì)1Znm的工艺。另(lìng)外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代,2 维到3维的结构转变(biàn)使刻蚀和(hé)薄膜成为最关键、最大(dà)量的加(jiā)工(gōng)设备。3D NAND每层均需要经(jīng)过薄膜沉积工艺步骤,同时刻蚀目前(qián)前(qián)沿(yán)要刻到 60:1的深孔,未来可能会更深的(de)孔或(huò)者(zhě)沟槽,催(cuī)生(shēng)更(gèng)多设备需(xū)求。据(jù)东京电(diàn)子(zi)披露(lù),薄(báo)膜沉积设备(bèi)及刻(kè)蚀占3D NAND产线资(zī)本开支合计为75%。自长江存(cún)储(chǔ)被加(jiā)入美国限制(zhì)名单,设备国产化(huà)进程(chéng)加速,看好拓荆(jīng)科技(薄膜沉积)等(děng)相关(guān)公司份额提(tí)升,以(yǐ)及存储业务占(zhàn)比较高(gāo)的华海清科(CMP)、盛美(měi)上海(清洗)等收入增(zēng)长。

 

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