大家好，来看一则(zé)突发消息。

　　美(měi)光公司在华销售的产品未通(tōng)过网络安全(quán)审查

　　据网信办消息，日(rì)前，网络安全审查(chá)办(bàn)公室(shì)依法对美(měi)光公司在华销售产品进(jìn)行了网(wǎng)络安全审查。

　　审查(chá)发(fā)现，美光公司产品存在较(jiào)严重(zhòng)网络安全问题隐患，对(duì)我国关键(jiàn)信(xìn)息基础设(shè)施供(gōng)应链造成重大(dà)安全风(fēng)险，影响我国国家安全。为此，网络安(ān)全审查办公(gōng)室(shì)依法作出不(bù)予通过网络安(ān)全(quán)审查(chá)的(de)结(jié)论。按照《网(wǎng)络安全法》等法律(lǜ)法规，我国内关键信息(xī)基(jī)础设施的运营者(zhě)应停止(zhǐ)采(cǎi)购(gòu)美光公(gōng)司产品(pǐn)。

　　此次(cì)对美光公司产品进行(xíng)网络安全(quán)审查，目的是防范产品网络(luò)安全(quán)问题危害(hài)国家关键(jiàn)信息(xī)基(jī)础设施安全，是(shì)维护国家安(ān)全的必要措施。中(zhōng)国(guó)坚定(dìng)推进(jìn)高水平对外(wài)开放(fàng)，只要遵守中国法律(lǜ)法规要求，欢(huān)迎各(gè)国企业、各类平台(tái)产品服务(wù)进入中国市场。

　　3月31日，中(zhōng)国网信网发文称(chēng)，为保(bǎo)障关键信息基础设施供应链安全，防范产品问题隐患造成网络(luò)安全(quán)风(fēng)险，维护国(guó)家安全，依据《中华人(rén)民共和(hé)国国家(jiā)安(ān)全法》《中(zhōng)华人(rén)民共和国(guó)网络安全法》，网络安(ān)全审查办公室按照《网(wǎng)络安(ān)全审查(chá)办法(fǎ)》，对美光公(gōng)司（Micron）在华销售的产品(pǐn)实施网络安全(quán)审查。

　　美光是美国的存储(chǔ)芯(xīn)片行(xíng)业龙(lóng)头，也(yě)是全球存储芯片巨头之一，2022年收入来自(zì)中国市(shì)场(chǎng)收(shōu)入从此前高(gāo)峰57％降至2022年约(yuē)11％。根据(jù)市场(chǎng)咨询(xún)机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电(diàn)子、 铠侠、西部数(shù)据、SK 海力士、美(měi)光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三(sān)星(xīng)电子(zi)、 SK 海力(lì)士、美光在全球 DRAM （内存）市场(chǎng)份额约为 94.35％。

　　A股上市(shì)公司中(zhōng)，江波龙、佰维存储等(děng)公司披(pī)露过美(měi)光等(děng)国际存(cún)储(chǔ)厂商为公司供应商(shāng)。

　　美光在(zài)江波龙采购(gòu)占比已经显著(zhù)下降，至(zhì)少已经不是主要(yào)大供(gōng)应商。

　　公告(gào)显示， 2021年美(měi)光位(wèi)列(liè)江波龙第一大(dà)存(cún)储晶(jīng)圆供(gōng)应商，采购约31亿(yì)元，占比33.52％；2022年(nián)，江(jiāng)波龙第一大、第二大和第(dì)三大供应商采购金额占比分别(bié)是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙已经在存储产业链(liàn)上下游建立(lì)国(guó)内外广泛合作。2022年年报显示，江波龙与三星、美光、西部数(shù)据等主要存储晶圆原厂签署了长期合(hé)约，确保存储晶圆供应的(de)稳定(dìng)性，巩固公司在(zài)下游市场的供应优势，公司也与国内国产存储晶(jīng)圆原厂(chǎng)武汉(hàn)长江存储、合肥(féi)长(zhǎng)鑫保(bǎo)持良好的合作(zuò)。<岳飞满江红多少字不含标点，岳飞《满江红》多少字加标点/p>

　　有券(quàn)商此前就(jiù)分(fēn)析，如果美光在(zài)中国岳飞满江红多少字不含标点，岳飞《满江红》多少字加标点区销(xiāo)售受到限制，或(huò)将导致下游客户转而采购国外(wài)三星(xīng)、 SK海力士，国内长(zhǎng)江存储、长鑫存储等竞(jìng)对(duì)产(chǎn)品

　　分析称，长存、长鑫的上游(yóu)设备厂或从中受益。存(cún)储器的生产(chǎn)已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现(xiàn)在已经(jīng)进入(rù)3D NAND时代，2 维(wéi)到3维(wéi)的结构转变使(shǐ)刻蚀和(hé)薄膜成为最关(guān)键、最大量的加工设备(bèi)。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积工艺步骤(zhòu)，同时刻蚀目(mù)前前(qián)沿要(yào)刻到 60：1的深孔(kǒng)，未来可能会更深的孔或者沟槽，催生更多设备需求。据(jù)东京电子披露(lù)，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为75％。自(zì)长江(jiāng)存储(chǔ)被加入(rù)美(měi)国限制名单，设备国产(chǎn)化进程加速(sù)，看好拓(tuò)荆科技（薄膜沉积）等相(xiāng)关公司份额提(tí)升，以及存储业(yè)务占比(bǐ)较(jiào)高(gāo)的华海(hǎi)清科（CMP）、盛美上海（清(qīng)洗）等(děng)收入增长。

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