大家好，来看一则(zé)突(tū)发消息。

　　美光公司在华销售的产品未通过网络安(ān)全(quán)审查

　　据网信办(bàn)消息，日前，网络安全审查办公室(shì)依法对美光公司在(zài)华销(xiāo)售产品进行(xíng)了网(wǎng)络(luò)安(ān)全审(shěn)查。

　　审查发现，美光(guāng)公司(sī)产(chǎn)品存在较严重网络安(ān)全(quán)问(wèn)题隐患，对我国关键信(xìn)息基础设施供应链造成重大安(ān)全风险(xiǎn)，影响我(wǒ)国国家安(ān)全。为此，网络安全(quán)审查(chá)办公室依法作(zuò)出不予通过网(wǎng)络安全审查的结论。按(àn)照《网络安全(quán)法》等法律法规，我国(guó)内关键信(xìn)息基(定向直招士官到底是不是坑，定向直招士官是个坑亲身经历jī)础设施的运(yùn)营者应停(tíng)止(zhǐ)采购(gòu)美光公(gōng)司(sī)产(chǎn)品。

　　此次对美光公司产品进(jìn)行网络安(ān)全(quán)审查，目(mù)的是(shì)防(fáng)范产品网络安全问题(tí)危害国家关键信(xìn)息(xī)基础设施安(ān)全(quán)，是维护国家安(ān)全的(de)必要措施。中国坚定推进高水平对外开(kāi)放，只要(yào)遵守中国法律法规要求，欢迎各国企业、各类(lèi)平台产品服务进入中国市场。

　　3月31日，中国网信网发(fā)文称(chēng)，为保障关键(jiàn)信息基础设施供应链安全，防范产品(pǐn)问题隐患造成网络安全(quán)风(fēng)险，维护国家安全，依据(jù)《中华人民共和国国家安全法(fǎ)》《中(zhōng)华人民共和国网(wǎng)络安(ān)全(quán)法(fǎ)》，网络安全(quán)审查办公室按照《网络(luò)安全(quán)审查办(bàn)法》，对(duì)美光公司(sī)（Micron）在华销(xiāo)售的产(chǎn)品实施网络安全审查。

　　美光是美国的存储(chǔ)芯片行业龙头，也(yě)是全球存储芯片巨(jù)头之一，2022年收入来自中国市场收入从此前高峰57％降(jiàng)至2022年约(yuē)11％。根据市场咨(zī)询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星电子、 铠侠、西(xī)部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电子(zi)、 SK 海力士、美光在全球(qiú) DRAM （内存(cún)）市场份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司中，江(jiāng)波龙(lóng)、佰维存储(chǔ)等公司披露(lù)过美光等国际存储厂商(shāng)为公司(sī)供应商。

　　美光在江波(bō)龙采购占比已经显(xiǎn)著下(xià)降，至少已经(jīng)不是(shì)主要大供(gōng)应(yīng)商。

　　公告显示， 2021年美光位列江(jiāng)波龙第一大存储晶圆供应(yīng)商，采购(gòu)约31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和第三大供(gōng)应商采(cǎi)购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.定向直招士官到底是不是坑，定向直招士官是个坑亲身经历76％。

　　目(mù)前(qián)江波龙(lóng)已经在存储产业链上下游建立(lì)国内外广(guǎng)泛合作。2022年年报显(xiǎn)示，江波龙与(yǔ)三星、美(měi)光、西部数据等主(zhǔ)要(yào)存储(chǔ)晶圆原厂(chǎng)签(qiān)署了长期合约，确保存储晶圆供应的(de)稳定性，巩固公司(sī)在(zài)下(xià)游市场的供应优势，公司也(yě)与国内国产存储晶圆原厂武汉长江存储、合肥长鑫保持良好(hǎo)的合作。

　　有券(quàn)商此前就(jiù)分(fēn)析，如果美光在中国区销售(shòu)受(shòu)到限(xiàn)制，或将导(dǎo)致下游(yóu)客户转(zhuǎn)而(ér)采(cǎi)购国(guó)外三(sān)星、 SK海(hǎi)力士，国内长江存储、长鑫存储等竞(jìng)对产品

　　分析称，长存、长(zhǎng)鑫的上游设备厂或从中(zhōng)受益(yì)。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到(dào)3维的(de)结构转变使刻蚀和(hé)薄膜成为最关键(jiàn)、最大量的加(jiā)工设(shè)备。3D NAND每层均需要(yào)经过薄膜沉积工艺(yì)步骤，同时刻(kè)蚀目前前沿要刻到 60：1的(de)深孔，未来可能(néng)会更深的孔或者沟槽，催生更多(duō)设备需求(qiú)。据东京电(diàn)子披露，薄膜沉积设备及刻蚀占(zhàn)3D NAND产线资本开支合计为(wèi)75％。自长江存储(chǔ)被加入美国限(xiàn)制名单，设备国产(chǎn)化进程(chéng)加速，看好拓(tuò)荆科(kē)技(jì)（薄膜(mó)沉积）等(děng)相关公司份(fèn)额(é)提升，以(yǐ)及存储(chǔ)业(yè)务占比较高的华海(hǎi)清科(kē)（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长。

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