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　　美光公司在(zài)华销售的产品未通过网络安(ān)全审查(chá)

　　据网信(xìn)办(bàn)消(xiāo)息(xī)，日(rì)前，网络安全审查办公室依法(fǎ)对美光公司(sī)在(zài)华(huá)销(xiāo)售产品进行了网络安全审查。

　　审(shěn)查发现，美光公司产品存在较(jiào)严(yán)重网络安全问题隐患，对我国(guó)关(guān)键信息(xī)基础(chǔ)设(shè)施供应链造成重(zhòng)大安(ān)全风险，影响我国国家(jiā)安全。为此，网络安全(quán)审查办公室依法作出不予通(tōng)过网络(luò)安(ān)全审(shěn)查(chá)的结论。按(àn)照《网络(luò)安全硝酸银的相对原子质量是多少整数，硝酸银的相对原子法》等法律法规，我国内关(guān)键信息基础(chǔ)设施的(de)运(yùn)营者(zhě)应停止采购美光公司(sī)产品。

　　此次对美光公司产品进(jìn)行网(wǎng)络(luò)安全审查，目的是防范产(chǎn)品网络安全(quán)问题危(wēi)害(hài)国(guó)家关键信息基础设施安全，是维护国家安全的(de)必要(yào)措施。中国坚定推进高水(shuǐ)平对外开放(fàng)，只(zhǐ)要遵守(shǒu)中国法律法规要求(qiú)，欢迎各(gè)国企业、各(gè)类平(píng)台(tái)产品服(fú)务进入中国市(shì)场(chǎng)。

　　3月31日，中国网(wǎng)信(xìn)网(wǎng)发文称(chēng)，为保障关(guān)键信(xìn)息(xī)基础设施供应链安全，防范(fàn)产品(pǐn)问题(tí)隐患造成网络安全风险，维护国家(jiā)安(ān)全，依据《中华人(rén)民共和国(guó)国家安全法》《中华人民共和国网(wǎng)络安全法》，网络安全审查办公室按照《网(wǎng)络安(ān)全审(shěn)查(chá)办法(fǎ)》，对美光公(gōng)司（Micron）在华销(xiāo)售的产品实施网络安全审查。

　　美(měi)光(guāng)是美国的存储芯片行业龙(lóng)头，也是全球存储芯片(piàn)巨头之(zhī)一，2022年收(shōu)入(rù)来自中(zhōng)国市(shì)场收入从此前(qián)高峰(fē硝酸银的相对原子质量是多少整数，硝酸银的相对原子ng)57％降至2022年约11％。根(gēn)据市场咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存(cún)）市场份额(é)约为 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海力士(shì)、美光在全球 DRAM （内存）市场份额约(yuē)为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰(bǎi)维存储等公司披露过美光等国际(jì)存储厂(chǎng)商为(wèi)公司供应商。

　　美光在江波龙采购占(zhàn)比已经显著下降，至(zhì)少已经不是主要大(dà)供应(yīng)商。

　　公告显示(shì)， 2021年美光位列江波(bō)龙第一大存储晶圆供应商，采(cǎi)购约31亿(yì)元，占比33.52％；2022年(nián)，江波龙第一(yī)大、第二大(dà)和第(dì)三大供应商采购(gòu)金额占比分(fēn)别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波(bō)龙已经在(zài)存储产业链上下游建(jiàn)立国内外广泛合作。2022年年(nián)报显示，江波龙与三星、美光、西(xī)部数据(jù)等主要存(cún)储(chǔ)晶圆原厂签(qiān)署了(le)长期合约(yuē)，确保存储晶圆供应的稳定性，巩固公司在下游市场的供(gōng)应(yīng)优(yōu)势，公司也与国内国产(chǎn)存储(chǔ)晶圆原厂武汉长(zhǎng)江存储、合肥长鑫保持良好的合(hé)作。

　　有券(quàn)商(shāng)此前就分(fēn)析(xī)，如果美(měi)光在(zài)中国区销(xiāo)售受到限制，或将导致(zhì)下游(yóu)客户(hù)转而采购国外三星、 SK海力士，国内长江存储、长鑫存储等(děng)竞对产(chǎn)品

　　分(fēn)析称，长存、长(zhǎng)鑫(xīn)的上(shàng)游设备厂或从中受益。存储器(qì)的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在(zài)已(yǐ)经进入3D NAND时(shí)代，2 维到3维的结构转(zhuǎn)变使刻蚀和薄膜成为最关(guān)键(jiàn)、最大量的(de)加工(gōng)设备。3D NAND每层(céng)均需要经过(guò)薄(báo)膜沉积工艺步骤，同(tóng)时(shí)刻蚀(shí)目前前沿要(yào)刻到 60：1的深孔，未来可能(néng)会更深(shēn)的孔或者(zhě)沟(gōu)槽(cáo)，催生更多设备需求。据东京电子(zi)披(pī)露，薄膜沉积设备(bèi)及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为75％。自长江存储被(bèi)加入美国限制名单，设备国产化进(jìn)程加(jiā)速(sù)，看好(hǎo)拓荆科(kē)技(jì)（薄膜沉积）等相关公(gōng)司(sī)份额提升，以及存储业务占(zhàn)比(bǐ)较高的华(huá)海清科（CMP）、盛美上海（清洗(xǐ)）等收入增长。

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