大家好，来看一则突发消息。

　　美光(guāng)公司在华销售的产品未通过网络安(ān)全(quán)审查

　　据网信办消息，日前(qián)，网络安全审查办公室依法对美光公(gōng)司在华销售产品进行(xíng)了(le)网络安全审查。

　　审查发现，美光公司产品存在(zài)较严重(zhòng)网络安(ān)全问题隐患，对我国关键信(xìn)息基础设施供(gōng)应链造成重大安全风险，影响(xiǎng)我(wǒ)国国家安全(quán)。为此，网络安全(quán)审查(chá)办(bàn)公室(shì)依法作出(chū)不予通(tōng)过网(wǎng)络安全审查的(de)结论。按照《网络安全(quán)法(fǎ)》等(děng)法律法规，我(wǒ)国内关键(jiàn)信息(xī)基础设施的运营者应停止采(cǎi)购美光公司产(chǎn)品。

　　此次(cì)对美光公司(sī)产(chǎn)品进行(xíng)网(wǎng)络(luò)安(ān)全(quán)审(shěn)查，目的是防范产品网络安全(quán)问题危害(hài)国(guó)家关键信息基础设(shè)施(shī)安全，是(shì)维护国家安全的必要措施。中国(guó)坚定推进高水平对(duì)外开放，只要遵守中国法律法规要求，欢迎各(gè)国企业、各类(lèi)平台(tái)产品服务进入中(zhōng)国市场。

　　3月31日，中(zhōng)国网(wǎng)信(xìn)网发文(wén)称，为保(bǎo)障(zhàng)关键(jiàn)信(xìn)息基础设(shè)施(shī)供应(yīng)链安全(quán)，防范产(chǎn)品问题隐(yǐn)患(huàn)造成网络安(ān)全风险(xiǎn)，维护国家安全，依(yī)据《中华人民共和国国家安(ān)全法(fǎ)》《中华人民共和国网络安全(quán)法》，网络安全审查办公室按(àn)照(zhào)《网络安全(quán)审查办法》，对美光(guāng)公司（Micron）在华销售的(de)产品实施网络安全审查。

　　美光是美国(guó)的存储(chǔ)芯(xīn)片(piàn)行业(yè)龙头，也是全(quán)球存储芯片(piàn)巨头之一，2022年收入来自中国市(shì)场收入从此前高(gāo)峰57％降至(zhì)2022年约(yuē)11％。根(gēn)据市场咨(zī)询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据(jù)、SK 海力士、美(měi)光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三(sān)星(xīng)电子、 SK 海力士、美光(guāng)在(zài)全球(qiú) DRAM （内存(cún)）市场份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司中，江波龙、佰(bǎi)维存(cún)储等公司披露过美光等(děng)国际存储厂商为公司(sī)供应商。

　　美光在江波龙采购占(zhàn)比已经显著(zhù)下降，至少已(yǐ)经不是主(zhǔ)要大供应商。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年美光位列(liè)江波龙第(dì)一(yī)大存(cún)储晶圆供应商，采购约31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大(dà)和第三(sān)大供应(yīng)商(shāng)采购(gòu)金额(é)占比分(fēn)别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波龙(lóng)已经在存储产(chǎn)业(yè)链(liàn)上下游建立(lì)国内外广泛合(hé)作。2022年年(nián)报显示(shì)，江波(bō)龙(lóng)与三星、美(měi)光、西部数据(jù)等主(zhǔ)要存储晶圆原厂签署了长期合约，确保存储晶圆供应的稳定性，巩固公司(sī)在(zài)下游(yóu)市场的供应优势，公司也(yě)与国内国产存储(chǔ)晶圆(yuán)原厂武汉长江存储、合肥(féi)长鑫保持(chí)良好的合作。

　　有券商此前就分析，如果美(měi)光(gu82厘米的腰围是多少尺 82厘米是多少裤头āng)在(zài)中国区销售受到限(xiàn)制，或(huò)将导(dǎo)致下游客户(hù)转而采购国外(wài)三星、 SK海(hǎi)力士(shì)，国内长江存储、长鑫存储等竞对产(chǎn)品

　　分析称(chēng)，长(zhǎng)存、长鑫(xīn)的上游设备厂(chǎng)或从中受(shòu)益(yì)。存储器的生(shēng)产已(yǐ)经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外(wài)NAND Flash现在(zài)已经进入3D NAND时(shí)代，2 维(wéi)到3维的(de)结构转变(biàn)使刻蚀和薄膜成(chéng)为最关键(jiàn)、最大量的加工设(shè)备。3D NAND每层(céng)均需要经过薄(báo)膜沉(chén)积工艺步骤，同(tóng)时刻蚀(shí)目(mù)前前(qián)沿要刻到 60：1的(de)深孔，未来(lái)可能会(huì)更深的孔或者沟槽，催生更多设(shè)备需求。据东(dōng)京电子披露，薄膜(mó)沉(chén)积设备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合(hé)计为(wèi)75％。自长江存储(chǔ)被加入美国限制名单，设备(bèi)国产化进程(chéng)加(jiā)速，看好拓荆科技（薄膜沉(chén)积）等(děng)相关公司份(fèn)额提升，以及存(cún)储业务占比较高的华海清科（CMP）、盛美上海（清(qīng)洗(xǐ)）等收入增长。

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