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  大家好(hǎo),来看一则突发(fā)消息(xī)。

  美光公司在华销售的(de)产品(pǐn)未通过网络安全审查

  据网信(xìn)办(bàn)消(xiāo)息,日(rì)前,网络(luò)安全审查办公室依法(fǎ)对美光公司(sī)在华销售产品进行了网(wǎng)络安全审查。

  审查发现(xiàn),美光公(gōng)司产品存在(zài)较严(yán)重(zhòng)网(wǎng)络安(ān)全问(wèn)题(tí)隐患,对我国关键信息基础设(shè)施(shī)供应链造成重大安全风险,影(yǐng)响我国国家(jiā)安全。为(wèi)此,网络(luò)安全(quán)审查办公室依法(fǎ)作出不予通过网(wǎng)络安全审查的结论。按照《网络安全法》等法律法规(guī),我国内关键信(xìn)息(xī)基础(chǔ)设施的运营者应停止采购(gòu)美光(guāng)公司(sī)产品。

  此次对(duì)美光公司产品进(jìn)行网(wǎng)络安全审查,目(mù)的是防(fáng)范产(chǎn)品网络安全问题危害国家关键(jiàn)信息基础(chǔ)设施安(ān)全,是维护国家(jiā)安全的必要(yào)措施。中国坚(jiān)定推进高(gāo)水平对外(wài)开放,只(zhǐ)要遵守中国法律(lǜ)法规要求(qiú),欢迎各国(guó)企业、各类平台产品服务进入中国市场。

  半导体突发(fā)!中国出手:停止采购!

  3月31日,中(zhōng)国网信网发文称,为(wèi)保(bǎo)障关键信(xìn)息基(jī)础(chǔ)设施(shī)供应链安全,防(fáng)范产品(pǐn)问(wèn)题隐患造成网络安全风险,维护国(guó)家安全,依据《中华(huá)人民共和(hé)国国家(jiā)安(ān)全法》《中华人(rén)民(mín)共和国网络安(ān)全法》,网络安全审查办公室按照《网络安全审查办法》,对(duì)美(měi)光(guāng)公司(Micron)在华销售的(de)产品实施网络安全审查。

  半导体突(tū)发!中(zhōng)国出手:停(tíng)止采购!

  美光是(shì)美(měi)国的存(cún)储(chǔ)芯片行业龙头(tóu),也是(shì)全球(qiú)存储(chǔ)芯片巨头(tóu)之一(yī),2022年(nián)收入来自中(zhōng)国市场收(shōu)入从此前高峰57%降至2022年约(yuē)11%。根据市场咨询(xún)机构 Omdia(IHS Markit)统计(jì),2021 年(nián)三星电子、 铠侠(xiá)、西(xī)部数据、SK 海力士、美(měi)光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash (闪存(cún))市场(chǎng)份额约为 96.76%,三星电子(zi)、 SK 海力士(shì)、美(měi)光在全(quán)球 DRAM (内存)市场份额约为(wèi) 94.35%。

  A股上市公司中,江波龙、佰维存储等公司披(pī)露过美(měi)光等国际(jì)存储厂商为公司供应商。

  美光在江波龙(lóng)采购占比已(yǐ)经显(xiǎn)著(zhù)下降,至少已经不是主要大(dà)供应商。

  公告显示, 2021年美(měi)光位列江波龙(lóng)第(dì)一大(dà)存储(chǔ)晶圆(yuán)供应(yīng)商,采(cǎi)购约31亿元,占比33.52%;2022年,江(jiāng)波龙第一大(dà)、第二大和第(dì)三大(dà)供应商采购金额占比分别是26.28%、22.85%和5.76%。

  目前江波龙已(yǐ)经在存储产业链(liàn)上下(xià)游建立国内外广泛合作(zuò)。2022年年(nián)报显示,江波(bō)龙与(yǔ)三(sān)星、美光、西(xī)部数据(jù)等(děng)主要存储(chǔ)晶(jīng)圆(yuán)原厂(chǎng)签(qiān)署了长期合约,确保(bǎo)存(cún)储晶圆供应的稳定性,巩(gǒng)固公司在(zài)下(xià)游市场的(de)供应优势,公司也与国内国产存储晶(jīng)圆原厂武汉长(zhǎng)江(jiāng)存储、合肥长鑫保持良好甜蜜惩罚类似的有哪些 推荐一下满是车的剧男女的合作。

  有券(quàn)商此前(qián)就分析,如果美光在中国区销售受到限制(zhì),或将导致下游客户转而采购国外(wài)三(sān)星、 SK海力士,国内(nèi)长江存(cún)储(chǔ)、长鑫存储等竞对产品(pǐn)

  分析称,长存(cún)、长鑫的上(shàng)游设备厂或从(cóng)中受益(yì)。存(cún)储器的生产已(yǐ)经(jīng)演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代,2 维到(dào)3维的结构转(zhuǎn)变使刻蚀和薄(báo)膜成为最关键、最大量的加工设(shè)备。3D NAND每(měi)层均(jūn)需要经过薄膜(mó)沉积工(gōng)艺步(bù)骤,同时刻蚀目(m甜蜜惩罚类似的有哪些 推荐一下满是车的剧男女ù)前前沿(yán)要(yào)刻到 60:1的深孔,未来(lái)可能会更深(shēn)的孔(kǒng)或者沟槽(cáo),催生更(gèng)多(duō)设备(bèi)需求。据东京电子(z甜蜜惩罚类似的有哪些 推荐一下满是车的剧男女i)披露,薄膜沉积设(shè)备及(jí)刻蚀占3D NAND产线(xiàn)资本(běn)开支合计为(wèi)75%。自长江存储被加入美国限制(zhì)名单,设备国产化(huà)进(jìn)程加(jiā)速,看好拓荆科技(薄膜沉积)等相(xiāng)关公司份额提升,以(yǐ)及存储(chǔ)业务占比较高的华海清科(CMP)、盛美上海(清洗)等收入增(zēng)长。

 

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