大家好，来看一则突发消息。

　　美光(guāng)公司在(zài)华销(xiāo)售的产品未通过网络(luò)安全审查(chá)

　　据网(wǎng)信办消(xiāo)息，日(rì)前，网(wǎng)络安全审查办公室依法(fǎ)对美光(guāng)公(gōng)司在(zài)华(huá)销售产品(pǐn)进(jìn)行(xíng)了网络安(ān)全审查。

　　审(shěn)查发(fā)丬这个偏旁读什么 小说，丬这个偏旁读什么字现，美(měi)光公司产品(pǐn)存(cún)在较严重网络安全问(wèn)题隐患(huàn)，对我国关键信息基础设(shè)施供应链造成(chéng)重大安全风险，影响我(wǒ)国(guó)国(guó)家安全。为此，网(wǎng)络安全审查办公室依法作出(chū)不予通过网络安全审查的结(jié)论(lùn)。按照《网络安全法》等(děng)法律法(fǎ)规(guī)，我国内关键信息基础设施的运(yùn)营者应停止采购美(měi)光公司产(chǎn)品。

　　此次对美光(guāng)公(gōng)司产品进(jìn)行网络安全审查，目(mù)的是防(fáng)范产品(pǐn)网络安全(quán)问(wèn)题危(wēi)害国家关键信(xìn)息基础(chǔ)设施安全，是维护国家安全的必要措施(shī)。中国坚定(dìng)推进高水平(píng)对外开放，只要遵守中(zhōng)国法律法规(guī)要求，欢迎各(gè)国企业、各(gè)类平(píng)台产(chǎn)品服(fú)务进入(rù)中国市场。

　　3月31日，中(zhōng)国(guó)网(wǎng)信网发文称，为保障关键信息(xī)基(jī)础设(shè)施(shī)供应链安全，防范产品问题隐患造成网(wǎng)络安(ān)全风险，维护(hù)国(guó)家安全，依据《中华(huá)人(rén)民(mín)共和国(guó)国家安全法(fǎ)》《中华人(rén)民共(gòng)和国网络(luò)安全法》，网络安(ān)全审查办(bàn)公室(shì)按照(zhào)《网络安全审查办(bàn)法》，对美(měi)光公司（Micron）在华销售的产品实施网(wǎng)络(luò)安全审查。

　　美光是美(měi)国的存储芯片行业(yè)龙(lóng)头，也是全(quán)球存储芯片(piàn)巨头(tóu)之一，2022年收入来自中国(guó)市场(chǎng)收入(rù)从此前高峰57％降至2022年(nián)约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西(xī)部数据(jù)、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存(cún)）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在(zài)全球 DRAM丬这个偏旁读什么 小说，丬这个偏旁读什么字 （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中(zhōng)，江波龙、佰维存储等公司披露过美光(guāng)等国际存(cún)储(chǔ)厂(chǎng)商为(wèi)公司供(gōng)应(yīng)商。

　　美光(guāng)在江波龙采购(gòu)占比已经显著下降(jiàng)，至少已经不(bù)是主要大(dà)供应商。

　　公告(gào)显示(shì)， 2021年美光(guāng)位列江波(bō)龙第一大(dà)存储晶圆供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一(yī)大、第二大和第三大(dà)供应商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江(jiāng)波龙已经在存储产业(yè)链上(shàng)下游建立国(guó)内外广(guǎng)泛合(hé)作。2022年(nián)年(nián)报显示，江波(bō)龙(lóng)与三星、美光(guāng)、西部数据等主要存储晶圆原厂签(qiān)署了长期合(hé)约，确(què)保(bǎo)存(cún)储晶圆供(gōng)应的稳定性，巩固(gù)公司在下游市(shì)场的供应优(yōu)势，公(gōng)司(sī)也与国内国产存储晶圆原(yuán)厂武汉长江存储(chǔ)、合肥长鑫(xīn)保(bǎo)持良好的合作。

　　有(yǒu)券商此(cǐ)前(qián)就分析，如果美光在中国区销售受(shòu)到限制，或将(jiāng)导致下游客户转(zhuǎn)而采购(gòu)国外三星、 SK海力士(shì)，国内长江(jiāng)存储、长鑫存(cún)储等(děng)竞对产(chǎn)品

　　分析称，长存(cún)、长鑫的上游设备(bèi)厂(chǎng)或从中受(shòu)益(yì)。存储器的生产已(yǐ)经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺(yì)。另(lìng)外NAND Flash现(xiàn)在已经进入(rù)3D NAND时代，2 维到(dào)3维的结构(gòu)转变使刻(kè)蚀和薄膜成为最关键、最大量的(de)加工设备(bèi)。3D NAND每层均需要经过(guò)薄(báo)膜沉积工艺(yì)步骤，同时刻蚀目前(qián)前沿要刻到(dào) 60：1的深(shēn)孔，未(wèi)来可能(néng)会更深的孔或者沟槽，催生(shēng)更多设备需求。据东京电子披露，薄膜沉积设备(bèi)及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计(jì)为75％。自长(zhǎng)江存储被加入美(měi)国限制名(míng)单，设备国(guó)产(chǎn)化进程加速，看好拓荆科技（薄膜沉(chén)积(jī)）等相关公司份额(é)提升，以及存储业务占比较高的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗(xǐ)）等收入(rù)增长。

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