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　　美(měi)光公(gōng)司在华销售的产品未通过网络安全审查

　　据网信(xìn)办消息(xī)，日前，网络(luò)安全审查办公室依法对(duì)美光公司在华销(xiāo)售产品(pǐn)进行了网(wǎng)络(luò)安全(quán)审查。

　　审查发现，美光公司产品存在较严重网络安(ān)全问(wèn)题(tí)隐患，对我国关键信息基础设(shè)施供应链(liàn)造(zào)成重(zhòng)大安(ān)全风险，影(yǐng)响我(wǒ)国国家安全。为(wèi)此，网(wǎng)络安(ān)全审查办公室依法作出不予通过网络安(ān)全审查的结论(lùn)。按(àn)照(zhào)《网络安全法(fǎ)》等法律法规，我国内关键信息基础设施的运营(yíng)者应停止采购美光公司产品。

　　此次(cì)对(duì)美光公司产品进行网(wǎng)络安全审查(chá)，目的是防(fáng)范产(chǎn)品(pǐn)网(wǎng)络安全问(wèn)题(tí)危(wēi)害国(guó)家(jiā)关键信(xìn)息基础设施安全，是维护国(guó)家安全(quán)的必要(yào)措施。中国(guó)坚定推进高(gāo)水平对外(wài)开放，只要遵守中国法(fǎ)律法规要求，欢迎各(gè)国企业、各类平台(tái)产品服务进(jìn)苟以天下之大而从六国破亡之故事是又在六国下矣翻译，苟以天下之大而从六国古今异义入中国市场。

　　3月31日(rì)，中国网信网发文(wén)称，为保障关(guān)键信息基础设施(shī)供应链安全(quán)，防范产品问题隐患造成网络安全风险，维护国(guó)家(jiā)安全，依据(jù)《中华人民共(gòng)和国国苟以天下之大而从六国破亡之故事是又在六国下矣翻译，苟以天下之大而从六国古今异义家(jiā)安全法》《中华人(rén)民共和国网络安全法》，网(wǎng)络(luò)安(ān)全审查办公(gōng)室按照《网络(luò)安全(quán)审(shěn)查办(bàn)法》，对美光公司(sī)（Micron）在华(huá)销售(shòu)的产品(pǐn)实施网络安全审查。

　　美光是(shì)美国的存储芯片(piàn)行业龙头，也是(shì)全球(qiú)存储(chǔ)芯片巨头之一，2022年收入来自中国市场收入从此前(qián)高(gāo)峰57％降至2022年(nián)约11％。根(gēn)据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电(diàn)子(zi)、 铠侠、西部数(shù)据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存）市(shì)场(chǎng)份额(é)约为 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海力(lì)士、美光在全球(qiú) DRAM （内存(cún)）市(shì)场份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波(bō)龙(lóng)、佰(bǎi)维(wéi)存储等公司(sī)披(pī)露过美光(guāng)等(děng)国(guó)际存(cún)储厂(chǎng)商为公司供应商。

　　美光在江波龙采购(gòu)占比已(yǐ)经显著(zhù)下降，至(zhì)少(shǎo)已经不是主要大(dà)供应商。

　　公(gōng)告显(xiǎn)示， 2021年(nián)美光位(wèi)列江波龙(lóng)第一(yī)大存储晶圆供应商，采购约(yuē)31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第(dì)一大、第二大和第三大(dà)供应商采购(gòu)金额占比分(fēn)别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波龙已经在存储(chǔ)产业(yè)链上(shàng)下游建立国内(nèi)外(wài)广(guǎng)泛(fàn)合作。2022年年(nián)报(bào)显示，江波(bō)龙与三星(xīng)、美光、西部数据等主要存储晶(jīng)圆原厂签署了长期(qī)合(hé)约，确(què)保存储晶圆供应的稳(wěn)定性(xìng)，巩固公司(sī)在下(xià)游市场的供应优(yōu)势，公司也与(yǔ)国内国产(chǎn)存储晶圆原厂武汉长(zhǎng)江(jiāng)存储、合(hé)肥长鑫保持(chí)良好(hǎo)的(de)合作。

　　有券商此前苟以天下之大而从六国破亡之故事是又在六国下矣翻译，苟以天下之大而从六国古今异义就分(fēn)析，如果美光在中国区销售受到(dào)限制，或(huò)将(jiāng)导致下游(yóu)客(kè)户转(zhuǎn)而(ér)采购国外三星、 SK海力士，国内(nèi)长江存储、长鑫(xīn)存储等竞对产品

　　分析称，长存、长鑫(xīn)的上游设备厂或从中受益。存储器的生产(chǎn)已经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工(gōng)艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使刻(kè)蚀和(hé)薄膜成(chéng)为最关键、最大量的加工设备。3D NAND每层均需(xū)要(yào)经过薄膜沉(chén)积(jī)工(gōng)艺步骤，同时刻蚀目(mù)前前沿要刻(kè)到 60：1的深(shēn)孔，未来可能会更深的孔或者沟槽，催生更(gèng)多设备需求。据东京电子披露，薄膜沉积设备及刻(kè)蚀占(zhàn)3D NAND产线(xiàn)资(zī)本开支合计(jì)为(wèi)75％。自长江存储被加入美国(guó)限制名单(dān)，设备国产化进程加速，看(kàn)好拓荆(jīng)科技（薄(báo)膜(mó)沉积）等相关公司份额提升，以及存(cún)储(chǔ)业务占比较高的华海清科（CMP）、盛美(měi)上(shàng)海（清洗）等收(shōu)入增长。

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