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德国柏林气候相当于中国哪 德国冬天冷还是北京冷

德国柏林气候相当于中国哪 德国冬天冷还是北京冷 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大家好,来(lái)看一(yī)则突(tū)发消息。

  美光公司在华销售的产品未(wèi)通过(guò)网络安(ān)全审查

  据网信办消息,日前,网络安全审查办公室依法(fǎ)对(duì)美(měi)光公(gōng)司(sī)在(zài)华销售产品进行了网(wǎng)络安(ān)全审查。

  审查发现,美光公司产品存在较严重网络(luò)安全(quán)问题隐患,对我国关键信息基础设施供应链造成重大安全风(fēng)险,影(yǐng)响(xiǎng)我国国家安(ān)全。为此,网络(luò)安全审查办公室依(yī)法作(zuò)出(chū)不予通过网络(luò)安全审查的结论。按(àn)照《网(wǎng)络安全法》等法(fǎ)律法规,我国内关键信息(xī)基础设施的运营者应停止采购美光公司产品。

  此次对美光公司产(chǎn)品(pǐn)进行网络安全审查,目的是(shì)防范产品网(wǎng)络安全问题危害国家关(guān)键信息基础设施安全,是维(wéi)护国家安全的必(bì)要(yào)措施。中(zhōng)国坚定推进(jìn)高水平对外开放,只要遵(zūn)守中(zhōng)国法律(lǜ)法规要求(qiú),欢(huān)迎各国企业、各(gè)类平台产品(pǐn)服务进入中国市场。

  半导体突发!中国出手(shǒu):停止采购!

  3月31日,中国(guó)网信德国柏林气候相当于中国哪 德国冬天冷还是北京冷网发文称,为保障关键(jiàn)信息基(jī)础设施供应(yīng)链安(ān)全,防范(fàn)产品问题隐患造成(chéng)网(wǎng)络安(ān)全(quán)风险,维(wéi)护国家安(ān)全,依(yī)据《中华(huá)人民(mín)共和国国家安全法(fǎ)》《中华人民共和国(guó)网(wǎng)络安全法》,网络安(ān)全审查办公室按(àn)照《网络(luò)安全审查办法》,对(duì)美(měi)光(guāng)公司(sī)(Micron)在华销售的产品(pǐn)实施(shī)网(wǎng)络安(ān)全审查。

  半导体突发(fā)!中国(guó)出手:停止采购!

  美光是美国的(de)存(cún)储芯片(piàn)行(xíng)业龙头,也是全球(qiú)存储芯片(piàn)巨头之一,2022年收入(rù)来自中国(guó)市场收入(rù)从(cóng)此前高峰57%降至(zhì)2022年约(yuē)11%。根据市场咨(zī)询机构 Omdia(IHS Markit)统计,2021 年三(sān)星电子、 铠侠、西部数(shù)据、SK 海力(lì)士、美(měi)光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash (闪存(cún))市(shì)场份额(é)约为 96.76%,三星电子(zi)、 SK 海力士、美光在全球(qiú) DRAM (内存)市场份额约为(wèi) 94.35%。

  A股(gǔ)上市公(gōng)司中,江波龙、佰维存储等(děng)公司披露过美光(guāng)等国际存(cún)储(chǔ)厂(chǎng)商为(wèi)公司供应商。

  美光在江波龙采购占(zhàn)比已经显著(zhù)下降(jiàng),至少已(yǐ)经不是主要(yào)大供应商。

  公告显示, 2021年美(měi)光(guāng)位列江波(bō)龙第一大存储晶(jīng)圆供应商,采购约31亿(yì)元,占比33.52%;2022年,江波龙第一大、第二大和第三大供应商采购金额占比分别是26.28%、22.85%和5.76%。

  目前江波龙已经在存储产业(yè)链(liàn)上下(xià)游建立国内外广泛合作。2022年年(nián)报显示,江(jiāng)波龙与三星、美光、西部数据等主要存储晶(jīng)圆原厂签署(shǔ)了(le)长期合约,确保(bǎo)存储(chǔ)晶圆(yuán)供应的稳定性,巩固公司(sī)在下(xià)游市场(chǎng)的供应优(yōu)势,公司也(yě)与国(guó)内国产存储晶(jīng)圆原厂(chǎng)武汉长江存储、合(hé)肥长(zhǎng)鑫保持良好的合作。

  有(yǒu)券商此前就分析,如果(guǒ)美光在中国区销售受(shòu)到(dào)限制,或将导致下游客户转而采购国外三星、 SK海力士,国内长江存(cún)储、长鑫存储等竞对产品

  分析称(chēng),长存(cún)、长鑫的(de)上游设备厂或从(cóng)中受益。存储器(qì)的(de)生(shēng)德国柏林气候相当于中国哪 德国冬天冷还是北京冷产已经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在(zài)已经(jīng)进入3D NAND时代,2 维到3维(wéi)的结构转变使(shǐ)刻蚀和薄膜(mó)成(chéng)为最关键、最大(dà)量的加工设备。3D NAND每层均需要经过(guò)薄膜(mó)沉积工艺步骤,同时刻蚀目(mù)前前沿要刻到 60:1的深孔,未来(lái)可能会更(gèng)深(shēn)的(de)孔或(huò)者沟槽(cáo),催生(shēng)更(gèng)多设(shè)备需求(qiú)。据东(dōng)京(jīng)电子披露(lù),薄膜沉(chén)积(jī)设(shè)备及刻蚀(shí)占3D NAND产线资本开支合计为75%。自(zì)长江存储被加入美国限制(zhì)名单,设备国产化进程加速(sù),看(kàn)好拓荆(jīng)科技(薄膜沉积)等相关公司份额提升,以及存储德国柏林气候相当于中国哪 德国冬天冷还是北京冷(chǔ)业务(wù)占比较高的(de)华(huá)海(hǎi)清科(CMP)、盛美(měi)上海(清洗)等收入增长。

 

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