大家好，来看一则突发消(xiāo)息。

　　美(měi)光(guāng)公司在华销售的产品未(wèi)通过网络安全审查

　　据网信办消息，日前(qián)，网络安全(quán)审查办公室依法对(duì)美(měi)光(guāng)公(gōng)司在华销售(shòu)产品进行了网络安(ān)全审查。

　　审查发现，美光公(gōng)司(sī)产品存在较严重网络安全问(wèn)题(tí)隐(yǐn)患，对我国关键信息(xī)基(jī)础(chǔ)设施供应链造成(chéng)重(zhòng)大安全风险，影响(xiǎng)我(wǒ)国国(guó)家安(ān)全。为此(cǐ)，网络(luò)安全审查(chá)办公室(shì)依法(fǎ)作出不(bù)予通过网(wǎng)络安全审查的结论。按照《网络(luò)安(ān)全法》等法律(lǜ)法规(guī)，我国内(nèi)关键(jiàn)信息基础设施的运营(yíng)者应停止(zhǐ)采购美光公司产(chǎn)品。

　　此(cǐ)次对美光(guāng)公司产(chǎn)品(pǐn)进(jìn)行网络安全(quán)审查，目的是防范产品(pǐn)网络安全问题危害国家关键信息基础设施安全，是维护国家(jiā)安全的必要措施。中国坚定(dìng)推进高水平(píng)对外(wài)开放，只要遵守中国法律(lǜ)法规要(yào)求，欢迎(yíng)各国(guó)企业、各(gè)类平台产品服务进入中国市场。

　　3月31日，中国网信网(wǎng)发(fā)文称，为保障(zhàng)关键信息基础设施(shī)供应(yīng)链安(ān)全(quán)，防范(fàn)产品问题隐患造成网络安全(quán)风险，维护国家安(ān)全，依(yī)据《中(zhōng)华人民共和国国家安全法》《中华人民共和国网络安(ān)全法(fǎ)》，网络(luò)安(ān)全审查办(bàn)公室按(àn)照《网(wǎng)络安全审查办法》，对美光公(gōng)司（Micron）在华销(xiāo)售的(de)产(chǎn)品实施(shī)网络安全审(shěn)查。

　　美光是(shì)美国的存储(chǔ)芯片行业龙头，也是(shì)全(quán)球存储芯(xīn)片巨头之一，2022年(nián)收(shōu)入来自中国市(shì)场收(shōu)入从此前高峰(fēng)57％降(jiàng)至2022年约(yuē)11％。根(gēn)据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星(xīng)电子、 铠侠(xiá)、西(xī)部(bù)数据、SK 海力士、美(měi)光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场(chǎng)份额约为(wèi) 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海(hǎi)力士(shì)、美(měi)光在全球 DRAM （内存）市场份额(é)约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司中(zhōng)，江波龙(lóng)、佰(bǎi)维存储(chǔ)等公司披露过美(měi)光等国(guó)际存储厂商为公俄罗斯人的尺寸是多少厘米，俄罗斯怎么那么大司供(gōng)应商(shāng)。

　　美光在江波龙采购占比已经显著下降(jiàng)，至少(shǎo)已经(jīng)不是主要大供应(yīng)商。

　　公告(gào)显示， 2021年美光位列江波龙第一大存储晶圆供应商，采购约31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波(bō)龙第一大、第二大和第(dì)三大供应商采购(gòu)金(jīn)额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波(bō)龙(lóng)已经在(zài)存储(chǔ)产业链上下游建(jiàn)立国内外广泛合作。2022年(nián)年(nián)报(bào)显(xiǎn)示(shì)，江波龙与(yǔ)三星、美(měi)光、西部数据等主要存储晶(jīng)圆原厂签署了长(zhǎng)期合约，确保存储晶圆供应的稳定性，巩固公司(sī)在(zài)下游市(shì)场的供应优势，公司也与国内国产存储晶圆(yuán)原厂武(wǔ)汉(hàn)长江存(cún)储(chǔ)、合肥长(zhǎng)鑫保持(chí)良好的合作。

　　有券商此前就(jiù)分析，如果美光(guāng)在中国(guó)区销售(shòu)受到限(xiàn)制，或将(jiāng)导致下(xià)游客户转而(ér)采购国(guó)外三星、 SK海(hǎi)力士，国内长江存(cún)储、长鑫存储(chǔ)等(děng)竞对产(chǎn)品

　　分析称(chēng)，长(zhǎng)存、长(zhǎng)鑫的上游设备厂或从中受益。存(cún)储(chǔ)器的生产(chǎn)已(yǐ)经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经(jīng)进入3D NAND时代，2 维到3维的结构(gòu)转变使刻蚀和薄膜(mó)成为(wèi)最(zuì)关键、最大量(liàng)的加工设备。3D NAND每层(céng)均需(xū)要经过薄膜(mó)沉积工(gōng)艺步骤(zhòu)，同时(shí)刻蚀(shí)目(mù)前(qián)前沿要刻到 60：1的(de)深孔，未(wèi)来(lái)可能会(huì)更深的(de)孔或者沟槽，催(cuī)生更多设备需求。据东(dōng)京电子(zi)披露，薄膜沉积设备及刻(kè)蚀占3D NAND产线资(zī)本开支合计为(wèi)75％。自长江存储被加入(rù)美国限制(zhì)名单，设备国(guó)产化进(jìn)程加速，看好拓荆科技（薄(báo)膜沉(chén)积）等(děng)相关公司份额提升，以及(jí)存储业务占俄罗斯人的尺寸是多少厘米，俄罗斯怎么那么大比较高的华海清科（CMP）、盛美上(shàng)海(hǎi)（清(qīng)洗）等收入增长。

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