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　　美光(guāng)公司(sī)在(zài)华销售的(de)产品未通(tōng)过网(wǎng)络安全审(shěn)查

　　据网信办消(xiāo)息，日前，网络(luò)安全(quán)审查(chá)办公室依法对美光公(gōng)司在华销售产品进行了网络安全审查。

　　审查发(fā)现(xiàn)，美光公(gōng)司产品存在较严重网络安全问题隐患，对我国关键信(xìn)息基础设施供应链造成重大安(ān)全风险，影响我国(guó)国家安全(quán)。为此，网络安全审查办公室依法(fǎ)作出(chū)不予(yǔ)通过网络安全审查的结论。按照《网络(luò)安全法》等法律法(fǎ)规，我国(guó)内关键信息(xī)基(jī)础(chǔ)设施的运营(yíng)者应停止采购美光公(gōng)司产品。

　　此次对美光(guāng)公司产(chǎn)品进行网络(luò)安全(quán)审查，目的是防范(fàn)产品网络安全问题危害(hài)国(guó)家关键(jiàn)信息基础设施安全(quán)，是(shì)维护国家安全的必要措(cuò)施。中(zhōng)国坚定(dìng)推进(jìn)高水平(píng)对外开放，只要(yào)遵守中国法律法规要求，欢迎(yíng)各国企业、各类(lèi)平台产品(pǐn)服务进(jìn)入中国市(shì)场。

　　3月31日，中(zhōng)国(guó)网信网(wǎng)发(fā)文称，为(wèi)保(bǎo)障关键信息基础设施(shī)供(gōng)应链安(ān)全，防范产品(pǐn)问题隐患造成网络安全风(fēng)险，维护国(guó)家(jiā)安全(quán)，依(yī)据《中华人民共和国国家(jiā)安全法》《中(zhōng)华人民共和国网络安全法》，网(wǎng)络安(ān)全审查办公室按(àn)照《网络安(ān)全审查办法》，对美光公司（Micron）在华销售的产品(pǐn)实施网络(luò)安全审查。

　　美光是美国的存储芯片行业(yè)龙头(tóu)，也是全球(qiú)存储芯片(piàn)巨头之一，2022年收入来(lái)自中(zhōng)国(guó)市场(chǎng)收(shōu)入从此(cǐ)前高峰(fēng)57％降至2022年约(yuē)11％。根(gēn)据市场咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三(sān)星电子、 铠(kǎi)侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存）市场份额(é)约(yuē)为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市场(chǎng)份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股上市公司(sī)中(zhōng)，江波龙、佰维(wéi)存储(chǔ)等公司披露过美光(guāng)等国际存储厂商为公司供应商。

　　美光(guāng)在江(jiāng)波龙(lóng)采购占比已经显著下(xià)降(jiàng)，至少已经不是(shì)主要大(dà)供应商。

　　公告显示， 2021年美光位(wèi)列江波龙(lóng)第(dì)一大(dà)存储晶圆供应商，采购约(yuē)31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年(nián)，江波(bō)龙第(dì)一大、第(dì)二大和(hé)第三大供应商采购金额(é)占(zhàn)比分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波龙已经在存储产业(yè)链上下游建立国(guó)内(nèi)外广泛合作。2022年年报显示，江波龙(lóng)与三(sān)星(xīng)、美光、西部数据等主要(yào)存储晶圆原厂签署了长期合约，确保存(cún)储晶圆供应的稳定性(xìng)，巩(gǒng)固公司在下游(yóu)市(shì)场的供应优势，公司也与国(guó)内(nèi)国产存(cún)国际歌的作者是谁哪国人，国际歌作者是哪个国家的人储晶圆原厂武(wǔ)汉长江存储、合肥长鑫保持良好的合(hé)作。

　　分析称，长存、长鑫的上游设备厂(chǎng)或从(cóng)中受(shòu)益。存储器(qì)的生产已经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现(xiàn)在已经进入3D NAND时(shí)代，2 维到(dào)3维的结构转变使刻蚀和薄膜成为最关(guān)键、最大量(liàng)的加工设备。3D NAND每层均需(xū)要经过薄(báo)膜沉积工艺步骤(zhòu)，同时刻蚀目前前沿(yán)要刻到(dào) 60：1的深孔，未来可能会(h国际歌的作者是谁哪国人，国际歌作者是哪个国家的人uì)更深的孔(kǒng)或者沟槽(cáo)，催生(shēng)更多设备需求(qiú)。据东京电子披(pī)露，薄膜(mó)沉积设(shè)备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合(hé)计为75％。自长江(jiāng)存储被加入美(měi)国限制名单，设备(bèi)国(guó)产化进程加速(sù)，看(kàn)好拓(tuò)荆(jīng)科技（薄膜沉积）等相关(guān)公司份额(é)提(tí)升(shēng)，以及存储业务占比较高的华海(hǎi)清(qīng)科（CMP）、盛(shèng)美上海（清洗(xǐ)）等收入增长。

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