大家(jiā)好，来看一则(zé)突发消息。

　　美光公司在华销售的产(chǎn)品未(wèi)通过网络(luò)安全审(shěn)查

　　据网(wǎng)信(xìn)办消息，日(rì)前，网络安(ān)全审查办(bàn)公室依法对美光公(gōng)司在华销售产品进行了网(wǎng)络(luò)安全审(shěn)查。

　　审(shěn)查发现，美光公司产品存在较严重网络安全问题隐(yǐn)患，对我国(guó)关键信息基(jī)础设施供(gōng)应链(liàn)造成(chéng)重大安全风险，影响我国(guó)国家安全(quán)。为此(cǐ)，网络安全审查(chá)办(bàn)公(gōng)室依法作出不予通(tōng)过网络安(ān)全审查的(de)结论。按(àn)照《网络安全(quán)法》等(děng)法律法规(guī)，我国内关键(jiàn)信(xìn)息基础设(shè)施的运营者应停止采(cǎi)购美光公(gōng)司产品。

　　此次对美光(guāng)公司产品进行网络安全审查，目的是防(fáng)范产品网(wǎng)络(luò)安全问题危害(hài)国家关键信息基础(chǔ)设施安全(quán)，是(shì)维护国(guó)家安全的必要措施。中国坚(jiān)定推进(jìn)高水平对外开放(fàng)，只要遵守中国法律法规(guī)要求，欢迎各国(guó)企业(yè)、各类平台产品服务(wù)进(jìn)入中国市场(chǎng)。

　　3月31日(rì)，中国网(wǎng)信网发(fā)文(wén)称，为保障关键信(xìn)息基础设施供应链安全(quán)，防范产品问题隐患造成网(wǎng)络安全风险，维护国(guó)家安(ān)全，依据《中(zhōng)华人民(mín)共和国国(guó)家(jiā)安(ān)全(quán)法》《中华人(rén)民共(gòng)和(hé)国网(wǎng)络安全法》，网络安全审(shěn)查办公(gōng)室按(àn)照《网络安全审查(chá)办(bàn)法》，对美(měi)光公司（Micron）在华销售(shòu)的产(chǎn)品(pǐn)实施(shī)网络安(ān)全审(shěn)查。

　　美光是美(měi)国的存储芯片行(xíng)业龙头，也是全球存(cún)储芯片巨头(tóu)之一，2022年(nián)收入来自中国市场收入从此前高峰(fēng)57％降至2022年约11％。根据市场咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力(lì)士、美光(guāng)、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存(cún)）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在(zài)全球(qiú) DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司中，江波龙、佰维存储等公司披(pī)露过美光(guāng)等国际存储厂商(shāng)为公司供(gōng日本男生姓名大全霸气，日本男生的姓名)应商。

　　美光在江(jiāng)波(bō)龙采(cǎi)购占比已经显著下降，至少(shǎo)已经不是主(zhǔ)要(yào)大(dà)供应商。

　　公告显示， 2021年美光位列江波龙第一大存储晶圆(yuán)供(gōng)应商，采购约31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江(jiāng)波龙第一大(dà)、第二大和第三大供应商(shāng)采(cǎi)购金额占(zhàn)比分(fēn)别(bié)是(shì)26.28％、22.85日本男生姓名大全霸气，日本男生的姓名％和(hé)5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产业链(liàn)上(shàng)下游(yóu)建(jiàn)立国内外广泛合作。2022年年(nián)报显示，江波(bō)龙与三星、美光、西部数据等主要存储晶圆原(yuán)厂签(qiān)署了(le)长期合约，确保存(cún)储晶圆(yuán)供(gōng)应(yīng)的稳定性(xìng)，巩固公(gōng)司在下游(yóu)市场(chǎng)的供应优势，公司也与国内国产存储晶圆原厂武汉长江(jiāng)存储、合肥长鑫保持良好的合作(zuò)。

　　有券商此前就分析，如果美光在中国区销售受(shòu)到限制，或将导致下游客户转而采购国外三(sān)星、 SK海(hǎi)力(lì)士，国内长江存储、长鑫(xīn)存储等竞对产品

　　分析(xī)称(chēng)，长存(cún)、长鑫的上(shàng)游设(shè)备厂或从中受(shòu)益。存(cún)储器的生(shēng)产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现(xiàn)在已经进入3D NAND时(shí)代，2 维到3维的(de)结构转变使刻蚀和薄膜成(chéng)为最关键(jiàn)、最大(dà)量的加工设(shè)备(bèi)。3D NAND每(měi)层(céng)均需要经过薄膜沉(chén)积工艺步骤，同(tóng)时刻蚀目前前(qián)沿要刻到 60：1的深(shēn)孔，未来(lái)可(kě)能会更深(shēn)的孔或者沟槽，催生更多(duō)设备需求。据东京电子披露，薄膜沉积(jī)设(shè)备(bèi)及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为75％。自长江(jiāng)存储被加入美(měi)国限制名单，设备(bèi)国产化进(jìn)程加速，看(kàn)好拓荆科技（薄膜沉(chén)积）等相(xiāng)关(guān)公司份额提升，以及(jí)存储业务占比较高的华海清科(kē)（CMP）、盛美上(shàng)海（清洗(xǐ)）等收入增长。

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