大家好，来看一则(zé)突发消(xiāo)息。

　　美光公(gōng)司在华销售的(de)产品未(wèi)通(tōng)过网络安全(quán)审查

　　据网信办消(xiāo)息，日前，网络(luò)安全审查办公室依法对美(měi)光公司(sī)在(zài)华销售产品(pǐn)进行了网(wǎng)络安全审查。

　　审(shěn)查(chá)发现，美光公司(sī)产(chǎn)品(pǐn)存(cún)在(zài)较严重网络安全(quán)问题隐(yǐn)患(huàn)，对(duì)我国关键信息基础设施供应链造成重大安(ān)全风险，影响我国国家安全。为此，网络安全(quán)审查办(bàn)公室(shì)依(yī)法作出(chū)不予通过网(wǎng)络安全审查的(de)结论。按(àn)照(zhào)《网(wǎng)络安全法》等法(fǎ)律(lǜ)法规，我(wǒ)国内(nèi)关(guān)键信息基础设施的运营(yíng)者应停止采购美光(guāng)公司产品(pǐn)。

　　此次对美光公司产品进行(xíng)网络安全(quán)审(shěn)查，目的(de)是防范产(chǎn)品网络(luò)安全问题危(wēi)害国家(jiā)关键(jiàn)信息基础设施安(ān)全，是维(wéi)护国家安全(quán)的必要措施(shī)。中(zhōng)国坚(jiān)定推进高水平对外开放(fàng)，只要遵守中国法律法规要求，欢迎各国企(qǐ)业、各类平台产(chǎn)品服务进(jìn)入(rù)中国(guó)市场。

　　3月31日，中国网信网发文称(chēng)，为(wèi)保(bǎo)障关键信息基础设(shè)施供应链(liàn)安(ān)全，防范(fàn)产品问题隐患造成(chéng)网络安全风险，维护国家安全，依据《中(zhōng)华人民共和国(guó)国家安全法(fǎ)》《中华人民共和国网络安(ān)全法(fǎ)》，网络安全杨震四知的文言文翻译及注释及翻译，杨震四知文言文原文及翻译审查办公室按(àn)照(zhào)《网络(luò)安全(quán)审(shěn)查办法》，对美光公(gōng)司（Micron）在华销售的(de)产品(pǐn)实施网络安(ān)全(quán)审查。

　　美光(guāng)是美国的存储芯片行业(yè)龙头(tóu)，也(yě)是(shì)全球存(cún)储芯片巨头(tóu)之一，2022年收入来自中国市(shì)场收入从(cóng)此前高(gāo)峰(fēng)57％降(jiàng)至2022年约(yuē)11％。根据市(shì)场咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西(xī)部数(shù)据、SK 海(hǎi)力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存(cún)）市(shì)场份额约(yuē)为(wèi) 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市场份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维(wéi)存(cún)储(chǔ)等(děng)公(gōng)司(sī)披露过美光(guāng)等国际存储厂商为公司(sī)供应商。

　　美光在江波龙采购占(zhàn)比(bǐ)已经显著下降，至少已经不是主要大供应商。

　　公告显示， 2021年(nián)美光位列江波龙第一大存储晶圆供应商，采购约(yuē)31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年(nián)，江波龙第一(yī)大、第二(èr)大和第三(sān)大供应商采购(gòu)金(jīn)额占比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波龙已经(jīng)在存储产业(yè)链上下杨震四知的文言文翻译及注释及翻译，杨震四知文言文原文及翻译游建(jiàn)立国内外广泛合作。2022年(nián)年报显示，江波龙(lóng)与三星、美光、西部数据(jù)等主要存储晶圆原厂签署了长期合约，确保(bǎo)存储晶(jīng)圆供应的稳定性，巩(gǒng)固公司在下游(yóu)市场的(de)供应(yīng)优势，公(gōng)司也与国内国产存储晶(jīng)圆原厂(chǎng)武汉长江存(cún)储、合肥长鑫保(bǎo)持良好的合作。

　　有(yǒu)券(quàn)商此前就分析，如(rú)果美光在中(zhōng)国区销售受到限制，或将导致下游客户转而采(cǎi)购(gòu)国外三(sān)星、 SK海力士(shì)，国内长江存储、长(zhǎng)鑫存储等竞对产品

　　分析称，长存、长鑫的上游(yóu)设备厂或从中受益。存储器(qì)的(de)生产已经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺。另(lìng)外NAND Flash现在已经(jīng)进入3D NAND时代，2 维到(dào)3维的结(jié)构转(zhuǎn)变(biàn)使刻蚀和薄膜成为最关键、最大量的加工设备。3D NAND每(měi)层均(jūn)需要经过薄(báo)膜沉积工(gōng)艺步骤(zhòu)，同时刻(kè)蚀目(mù)前(qián)前沿要刻(kè)到 60：1的深孔，未来可能会(huì)更深的孔或者(zhě)沟槽，催生更多设备需(xū)求。据东京电子(zi)披(pī)露，薄(báo)膜沉积设备及(jí)刻蚀占3D NAND产线资本开支合(hé)计为75％。自长江存储被加入美国限制名单，设(shè)备国(guó)产(chǎn)化进程加速，看(kàn)好(hǎo)拓荆科(kē)技（薄(báo)膜沉积(jī)）等相关公司份额提升，以(yǐ)及存储业(yè)务占(zhàn)比较高的(de)华海(hǎi)清科（CMP）、盛美上海（清洗(xǐ)）等收(shōu)入增长(zhǎng)。

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