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一氧化碳密度比空气大还是小 一氧化碳密度小于空气吗

一氧化碳密度比空气大还是小 一氧化碳密度小于空气吗 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大(dà)家好,来看(kàn)一则突发消息。

  美光公司(sī)在(zài)华销售的产品未通(tōng)过网络安全审查

  据网(wǎng)信办消(xiāo)息,日(rì)前,网络安全审查办公室依法对美(měi)光(guāng)公司在华销售(shòu)产品进行了网(wǎng)络安全审查。

  审查发现,美(měi)光公司产(chǎn)品存在较严重网络安全问(wèn)题隐患,对我国关键(jiàn)信息基础设施供应链造(zào)成重大(dà)安全风(fēng)险(xiǎn),影响(xiǎng)我(wǒ)国(guó)国家安全。为此(cǐ),网(wǎng)络安全审查办公室依法作出不予通过网络安全审查(chá)的(de)结论。按(àn)照《网络安全(quán)法》等法(fǎ)律法规,我国(guó)内关键(jiàn)信(xìn)息基(jī)础设施(shī)的运营者应(yīng)停止采购美光公司产品。

  此(cǐ)次(cì)对美光公司(sī)产品(pǐn)进行网络安全审(shěn)查,目的(de)是防范产品网络安全(quán)问题危害国家关键信息(xī)基础(chǔ)设施安全(quán),是维护国家安全的必要措施。中国坚定推(tuī)进高水平对(duì)外开放,只要遵守(shǒu)中国(guó)法律法规要求,欢迎(yíng)各(gè)国企业、各(gè)类平台产(chǎn)品服务进入中国市(shì)场。

  半导(dǎo)体突(tū)发(fā)!中(zhōng)国出手:停(tíng)止(zhǐ)采购!

  3月(yuè)31日,中国网(wǎng)信网发文(wén)称(chēng),为保(bǎo)障关键信息(xī)基(jī)础(chǔ)设施(shī)供应链安全,防范产品(pǐn)问题隐(yǐn)患(huàn)造成网络安全风险,维护国家安全,依据《中华人民共和国国家安全(quán)法》《中华(huá)人(rén)民共和国网络安全(quán)法》,网络安全审查办公室按照《网络安全审查办法》,对美光公司(Micron)在华销售的产品实施网络安全审查。

  半导体突发!中国(guó)出手(shǒu):停止(zhǐ)采购!

  美光是美国(guó)的存储芯片行业龙头,也是全球存储芯片巨(jù)头(tóu)之一(yī),2022年收入(rù)来自中国市场收入(rù)从此前(qián)高峰57%降至2022年约11%。根据市场咨询机构(gòu) Omdia(IHS Markit)统计,2021 年三星电子、 铠侠、西部(bù)数(shù)据、SK 海力(lì)士、美光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash (闪存)市场份额约为 96.76%,三(sān)星电子、 SK 海力士、美光在全(quán)球 DRAM (内(nèi)存)市(shì)场份额约为 94.35%。

  A股(gǔ)上市(shì)公司中,江波龙、佰维存储等(děng)公司(sī)披露过美光等(děng)国际(jì)存储厂商(shāng)为公司供应商。

  美光在江波龙(lóng)采购(gòu)占(zhàn)比已经显著(zhù)下降,至(zhì)少已(yǐ)经不是(shì)主(zhǔ)要(yào)大供应商(shāng)。

  公告显示, 2021年美(měi)光位列江波龙(lóng)第(dì)一(yī)大存储晶圆供应商(shāng),采购约31亿元,占(zhàn)比33.52%;2022年,江波龙(lóng)第(dì)一大、第二大和第三(sān)大供应商采(cǎi)购金额占(zhàn)比(bǐ)分别是26.28%、22.85%和5.76%。

  目(mù)前江波龙已经在存储(chǔ)产业链上下游建立国内外广泛合(hé)作。202一氧化碳密度比空气大还是小 一氧化碳密度小于空气吗2年年报显示,江一氧化碳密度比空气大还是小 一氧化碳密度小于空气吗波龙与三星、美(měi)光(guāng)、西部数据等(děng)主要存储晶圆原厂签署了长期合约,确保存储晶圆供应(yīng)的稳(wěn)定(dìng)性,巩固(gù)公司在下(xià)游市场的(de)供(gōng)应(yīng)优势,公(gōng)司(sī)也与国内国产存储(chǔ)晶(jīng)圆原厂武汉长江存储、合肥长鑫保持良好的合(hé)作。

  有券(quàn)商此前就分析(xī),如果(guǒ)美光(guāng)在中国(guó)区(qū)销售受到限制,或将导致下游客户转而(ér)采购国外三星、 SK海力士,国内(nèi)长江存(cún)储、长鑫(xīn)存储等竞对产品

一氧化碳密度比空气大还是小 一氧化碳密度小于空气吗>  分析称,长存、长鑫的上游设备厂或从中受益。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现在已经(jīng)进(jìn)入3D NAND时代,2 维到(dào)3维(wéi)的(de)结构转变使刻蚀(shí)和薄膜(mó)成为最关键(jiàn)、最大量的(de)加工设备。3D NAND每(měi)层均需要(yào)经(jīng)过薄膜沉积工艺步(bù)骤(zhòu),同时(shí)刻(kè)蚀目前(qián)前沿要刻(kè)到 60:1的深孔,未来可能会更深的孔或(huò)者(zhě)沟槽,催生更(gèng)多设(shè)备需求。据东京电(diàn)子披(pī)露,薄膜(mó)沉积(jī)设备(bèi)及刻蚀占3D NAND产线(xiàn)资本开(kāi)支合计为75%。自长江存储(chǔ)被加入美(měi)国(guó)限制名单,设备国(guó)产化进程加速,看好拓(tuò)荆(jīng)科技(薄膜沉积)等(děng)相(xiāng)关公司(sī)份额(é)提(tí)升,以及存储业务占比较高(gāo)的华海清科(CMP)、盛美上海(清洗(xǐ))等收入(rù)增(zēng)长。

 

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