大家好，来看一则突发(fā)消息(xī)。

　　美光公(gōng)司在华销(xiāo)售的产品未通(tōng)过网(wǎng)络安全审查

　　据网信(xìn)办消息，日前，网络(luò)安全审查办公(gōng)室依法对美光(guāng)公司在华销售产品进行了(le)网络安全审查。

　　审查发现，美(měi)光公司(sī)产品存在较(jiào)严重网络安全问题隐(yǐn)患，对我国关键(jiàn)信(xìn)息基(jī)础设施供应链造成重大安全风险，影响我(wǒ)国国家安全。为此(cǐ)，网(wǎng)络(luò)安全审查办公室依法作出不予通过(guò)网(wǎng)络安全(quán)审查的结论(lùn)。按照《网络(luò)安全法》等法律法(fǎ)规，我国内关键信(xìn)息基础设施的运营者应停止采购(gòu)美(měi)光公司产品。

　　此(cǐ)次(cì)对美光公(gōng)司产品进行网(wǎng)络安(ān)全审查，目的是(shì)防(fáng)范产品网络安全问题危(wēi)害国家关键信息基础设施安全，是(shì)维护(hù)国家安(ān)全的必要措施。中国(guó)坚定推进(jìn)高水(shuǐ)平对外开放，只要遵守中国法律法规要(yào)求，欢(huān)迎各国企业、各(gè)类平台产品服务进入中国市场(chǎng)。

　　3月31日，中国(guó)网信网发文称，为保障关键(jiàn)信(xìn)息基础(chǔ)设施供应链安(ān)全，防范产(chǎn)品问(wèn)题隐患造成网络(luò)安全(quán)风(fēng)险，维护国家安全，依据《中华人(rén)民共和国国家安全法》《中华人民共和国网(wǎng)络安全法》，网络安(ān)全审(shěn)查办公(gōng)室按(àn)照《网络(luò)安全审(shěn)查办法》，对美(měi)光公司(sī)（Micron）在华销售(shòu)的(de)产品实施网络(luò)安(ān)全审查。

　　美光是(shì)美国的(de)存储(chǔ)芯片行业龙头，也是全遭天谴什么意思，天谴什么意思解释球存储芯片(piàn)巨头之一，2022年(nián)收(shōu)入来(lái)自中国(guó)市场收入从此前高峰57％降至2022年约11％。根据(jù)市场(chǎng)咨(zī)询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星(xīng)电子(zi)、 铠侠(xiá)、西(xī)部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三(sān)星(xīng)电(diàn)子、 SK 海力(lì)士、美(měi)光在全球(qiú) DRAM （内存(cún)）市场份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股(gǔ)上市(shì)公司中，江波龙、佰维存储等公司披(pī)露(lù)过美光等国际存(cún)储厂(chǎng)商为(wèi)公司供应商。

　　美光在江波(bō)龙采(cǎi)购(gòu)占比已经显著下降，至少已经不是主要大供(gōng)应商。

　　公告显示， 2021年美光(guāng)位列江波(bō)龙第一(yī)大存储晶(jīng)圆供应商(shāng)，采购(gòu)约(yuē)31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和第三大供(gōng)应商采购金额占比分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波龙已经(jīng)在存储产业链上下游建立国内外广(guǎng)泛合作。2022年年报显示，江波龙与三(sān)星、美光(guāng)、西部数(shù)据等(děng)主要存储晶(jīng)圆(yuán)原厂签(qiān)署了(le)长期合约(yuē)，确保存储晶圆(yuán)供应的稳(wěn)定(dìng)性，巩(gǒng)固(gù)公司在下游市场的供应优势，公司(sī)也与国内国产(chǎn)存储晶圆原厂武汉长(zhǎng)江存(cún)储、合肥长鑫保持良好的合作。

　　有券商此前就(jiù)分析(xī)，如(rú)果(guǒ)美光在中(zhōng)遭天谴什么意思，天谴什么意思解释国区(qū)销(xiāo)售(shòu)受到限制，或将导致下(xià)游客(kè)户转而采购国外三星、 SK海力士，国(guó)内长江存(cún)储(chǔ)、长鑫(xīn)存储等竞对产品

　　分析称(chēng)，长存、长鑫的上游(yóu)设备厂或从中受益(yì)。存储器的生(shēng)产已经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺。另外NAND Flash现在已经进入(rù)3D NAND时(shí)代，2 维(wéi)到3维的结构转变使刻蚀和薄膜(mó)成为最关键、最大(dà)量(liàng)的加工设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积工艺步骤，同时刻蚀目前前(qián)沿要刻(kè)到(dào) 60：1的深(shēn)孔，未来可能会更(gèng)深的孔或者沟槽，催生更多设备需求。据东(dōng)京电子披露(lù)，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产(chǎn)线资本开支(zhī)合计为(wèi)75％。自长江存储(chǔ)被(bèi)加入美国限制名单，设备国产(chǎn)化进(jìn)程(chéng)加速，看好拓(tuò)荆科技（薄膜沉积(jī)）等相(xiāng)关公司份额提升，以(yǐ)及存储业务占(zhàn)比(bǐ)较高的华海清(qīng)科（CMP）、盛(shèng)美上海(hǎi)（清洗）等收入增(zēng)长。

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