大家好，来看一则突发消息。

　　美光公司在华销售的产(chǎn)品未(wèi)通(tōng)过网络安(ān)全(quán)审查

　　据网信办(bàn)消息，日(rì)前，网络安全审查办公室(shì)依法(fǎ)对(duì)美光公司(sī)在华销售产品(pǐn)进行了网络安全审查。

　　审查(chá)发现，美光公司产品(pǐn)存(cún)在较严(yán)重网络安全问(wèn)题(tí)隐患，对我国(guó)关(guān)键信(xìn)息基础设施供应(yīng)链造(zào)成重(zhòng)大安(ān)全风险，影响我国国家安(ān)全。为此，网络安全审查办公室依(yī)法(fǎ)作出(chū)不(bù)予通过网络安全审查(chá)的结(jié)论。按照《网(wǎng)络安(ān)全法(fǎ)》等法律(lǜ)法(fǎ)规，我(wǒ)国内关键信息基础(chǔ)设(shè)施(shī)的运营者应停止采购美光公(gōng)司产品。

　　此(cǐ)次对(duì)美光公(gōng)司产品进行网络安全审查，目(mù)的(de)是(shì)防范产品网络(luò)安全问题危害(hài)国家(jiā)关键信息基础设施安全，是(shì)维护国家安全的必要措施。中国坚定(dìng)推(tuī)进高水平对外开(kāi)放，只(zhǐ)要遵守中(zhōng)国法(fǎ)律法规(guī)要求，欢迎各国企业、各(gè)类平台产品(pǐn)服务进(jìn)入(rù)中国(guó)市(shì)场。

　　3月31日，中国网信网发文称，为保障关键信息(xī)基(jī)础(chǔ)设(shè)施供应链安全，防范产(chǎn)品问(wèn)题隐患(huàn)造成网络安(ān)全风险，维护国家安全，依据《中华(huá)人民共和国国家安全法》《中华人民共(gòng)和国网络安全法》，网络安全审查办公室按(àn)照《网(wǎng)络安全审查办法》，对美光公司（Micron）在华销售的产(chǎn)品实施(shī)网(wǎng)络(luò)安全(quán)审查。

　　美(měi)光(guāng)是美国(guó)的存储芯片行(xíng)业(yè)龙头，也是全球存储芯片(piàn)巨头之一，2022年收入来自中(zhōng)国(guó)市(shì)场收入从此前(qián)高峰57％降至2022年约(yuē)11％。根据市场(chǎng)咨询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星电(diàn)子、 铠侠、西部数(shù)据、SK 海(hǎi)力(lì)士、美(měi)光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存(cún)）市场份额(é)约为 96.76％，三(sān)星电(diàn)子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存(cún)）市场份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上市(shì)公司中(zhōng)，江波龙、佰(bǎi)维存(cún)储等公司披露过美(měi)光等国(guó)际存储厂商为公(gōng)司(sī)供(gōng)应商(shāng)。

　　美光在江(jiāng)波(bō)龙采购占比已经显著下降，至少已(yǐ)经(jīng)不是主要大供应(yīng)商(shāng)。

　　公(gōng)告显示， 2021年美光位列江波龙第一(yī)大存储晶圆供应(yīng)商，采购(gòu)约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一(yī)大、第二大(dà)和第三大供应商采购(gòu)金额占比分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前(qián)江波龙已(yǐ)经在存(cún)储产(chǎn)业链(liàn)上下(xià)游建立国内外广泛合作。2022年年报显示，江波龙与(yǔ)三(sān)星、美光、西部(bù)数(shù)据等主要存储(chǔ)晶(jīng)圆(yuán)原(yuán)厂(chǎng)签署了长(zhǎng)期(qī)合约，确保(bǎo)存(cún)储晶圆供应的稳(wěn)定性(xìng)，巩固公司在下游市场(chǎng)的供(gōng)应(yīng)优势(shì)，公司(sī)也(yě)与(yǔ)国(guó)内国产存储晶圆原厂武汉长江(jiāng)存储、合肥(féi)长鑫(xīn)保持良(liáng)好的合(hé)作。

　　有券商此前就分析，如(rú)果美光在(zài)中(zhōng)国5k是多少钱，5k是多少钱人民币区销售(shòu)受到(dào)限制，或(huò)将导致下游客(kè)户转而(ér)采购国外三星、 SK海力士，国内长江存储5k是多少钱，5k是多少钱人民币、长鑫存(cún)储等(děng)竞对产品

　　分(fēn)析称(chēng)，长存、长鑫(xīn)5k是多少钱，5k是多少钱人民币的上游设备(bèi)厂或从中(zhōng)受益。存储(chǔ)器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代(dài)，2 维到3维(wéi)的结构(gòu)转变使(shǐ)刻蚀和薄膜(mó)成为(wèi)最关(guān)键、最大量的加工(gōng)设(shè)备。3D NAND每层均需要经(jīng)过薄(báo)膜沉积工(gōng)艺步骤，同时刻蚀(shí)目(mù)前前沿要(yào)刻到(dào) 60：1的(de)深(shēn)孔，未来可能会更深的孔或者沟槽，催生(shēng)更多设(shè)备需求(qiú)。据东(dōng)京电子披露，薄(báo)膜沉积设备及刻蚀占(zhàn)3D NAND产线(xiàn)资本开支合计为75％。自(zì)长(zhǎng)江存储被加入美国限制名(míng)单，设备国(guó)产化进程(chéng)加速，看好拓荆科技（薄(báo)膜沉(chén)积）等(děng)相关公司份额提(tí)升，以及(jí)存储业务占比较(jiào)高(gāo)的华海(hǎi)清科（CMP）、盛美上(shàng)海（清洗）等(děng)收入增长(zhǎng)。

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