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　　美光公司在华销售的产品未(wèi)通过网络安全审查(chá)

　　据网信办消息，日前，网络安全(quán)审查办公室(shì)依法(fǎ)对美(měi)光公(gōng)司在(zài)华销(xiāo)售产品进(jìn)行了网(wǎng)络安全(quán)审(shěn)查。

　　审查发现，美光公司产品(pǐn)存在较严(yán)重网络安全问题隐患，对我国关键信(xìn)息基础设(shè)施供应链(liàn)造成重大安(ān)全风险，影(yǐng)响我国国家安全。为(w索尼是哪个国家的品牌，索尼是哪个公司的èi)此，网络安(ān)全审查办(bàn)公室依法(fǎ)作出不予通过网(wǎng)络安(ān)全(quán)审(shěn)查的结(jié)论(lùn)。按(àn)照《网络安全法》等法律法规，我(wǒ)国内(nèi)关键信息基础设(shè)施的(de)运营者(zhě)应(yīng)停止(zhǐ)采购美光公(gōng)司产品。

　　此(cǐ)次对美光公司产品(pǐn)进行网络安全(quán)审查，目的是(shì)防范(fàn)产(chǎn)品网络安全问题(tí)危害国家关键信息基础设(shè)施安(ān)全，是维护国(guó)家安全(quán)的必要措施。中(zhōng)国(guó)坚定推进高水平对外(wài)开放，只(zhǐ)要遵守中国法(fǎ)律法规(guī)要求(qiú)，欢迎各(gè)国企业(yè)、各(gè)类(lèi)平台产品服(fú)务(wù)进入中国市场(chǎng)。

　　3月31日(rì)，中国网信网发(fā)文称，为保障关键信息基础设施供应(yīng)链安全，防范产品(pǐn)问题隐患造成网络安(ān)全风险，维护国家安全，依据《中华人民(mín)共和国国家(jiā)安全法》《中华人民共和(hé)国(guó)网络安全法》，网络安全审查办公(gōng)室(shì)按照《网络安(ān)全审查办法》，对美光(guāng)公司（Micron）在华销售的产品(pǐn)实施网络(luò)安全(quán)审查。

　　美(měi)光是美(měi)国的存(cún)储芯片行业龙头，也是(shì)全球存储芯片索尼是哪个国家的品牌，索尼是哪个公司的(piàn)巨头之一，2022年(nián)收入来(lái)自中国市场收入(rù)从此前高峰(fēng)57％降(jiàng)至2022年约11％。根(gēn)据(jù)市场咨(zī)询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年(nián)三星电子、 铠(kǎi)侠、西部(bù)数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存(cún)）市场(chǎng)份额约为(wèi) 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美(měi)光在全球 DRAM （内(nèi)存）市场份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司(sī)中，江波龙、佰维(wéi)存(cún)储(chǔ)等(děng)公司披露过美光(guāng)等国(guó)际存储厂(chǎng)商(shāng)为(wèi)公司供(gōng)应(yīng)商(shāng)。

　　美光在江波龙采购占比(bǐ)已(yǐ)经(jīng)显著(zhù)下降，至少已经不是主要(yào)大供(gōng)应商。

　　公告显示， 2021年美光位列江(jiāng)波龙第(dì)一(yī)大存储(chǔ)晶圆供应商(shāng)，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波(bō)龙第一大、第(dì)二(èr)索尼是哪个国家的品牌，索尼是哪个公司的大和(hé)第三大供应商采购(gòu)金额(é)占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产业链上下游建(jiàn)立国内外(wài)广泛合作。2022年年报显(xiǎn)示，江波龙与三星、美光、西部数据等主要存储晶(jīng)圆原厂签署了长期合约，确保存储晶圆供应的稳定性，巩固公司在下游市(shì)场的供应优(yōu)势(shì)，公司也与国内国产(chǎn)存储晶圆原厂(chǎng)武汉长(zhǎng)江存储、合(hé)肥(féi)长(zhǎng)鑫保持良(liáng)好的合作。

　　有券商此前就分析(xī)，如果美光在中国区销售受到(dào)限制，或(huò)将(jiāng)导致下(xià)游客户转而采购国外三星、 SK海力士，国内(nèi)长江(jiāng)存储、长(zhǎng)鑫存(cún)储等(děng)竞对产品

　　分析称，长(zhǎng)存(cún)、长鑫的上游设备厂或从中受益(yì)。存储(chǔ)器的生产已(yǐ)经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另(lìng)外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构(gòu)转变(biàn)使(shǐ)刻蚀和(hé)薄膜(mó)成为最关(guān)键、最大(dà)量的(de)加工设备。3D NAND每层均需要(yào)经过薄膜沉积工(gōng)艺(yì)步骤，同(tóng)时刻蚀目前前沿要刻到 60：1的深孔，未来可能会(huì)更深的(de)孔或者沟槽，催生更多设备需求。据东(dōng)京电子(zi)披(pī)露，薄膜(mó)沉积设备(bèi)及刻蚀占3D NAND产线(xiàn)资本开支合计(jì)为(wèi)75％。自长江(jiāng)存储被(bèi)加入(rù)美国(guó)限(xiàn)制名单，设(shè)备国产化进程加速，看(kàn)好拓荆科技（薄膜(mó)沉积）等相(xiāng)关(guān)公司份额提升(shēng)，以及存储业(yè)务占比较高的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等(děng)收入增(zēng)长。

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