大家好，来看一则突发(fā)消息。

　　美(měi)光公司在华(huá)销(xiāo)售的产(chǎn)品未通过网络安全审(shěn)查

　　据网信办消息，日(rì)前，网络安全审(shěn)查办公(gōng)室(shì)依(yī)法对(duì)美光公司在华销售产(chǎn)品进(jìn)行了网络(luò)安全审(shěn)查。

　　审查发(fā)现，美光公司产品存(cún)在较严(yán)重网络(luò)安全问题隐(yǐn)患，对我国关(guān)键信息(xī)基础设施供(gōng)应链(liàn)造成重(zhòng)大安(ān)全风险，影响我(wǒ)国国家安(ān)全。为(wèi)此，网络(luò)安(ān)全审查办公(gōng)室依(yī)法作出不(bù)予通过网(wǎng)络安全审(shěn)查的结(jié)论。按照《网络安全法(fǎ)》等法律法规，我国内关键(jiàn)信(xìn)息基础设施(shī)的运营者应停止(zhǐ)采购美(měi)光公司产品。

　　此(cǐ)次对(duì)美光(guāng)公(gōng)司(sī)产品进行网络安全审(shěn)查(chá)，目的(de)是防范产品网络安全问题(tí)危害国(guó)家关键(jiàn)信息基础设施(shī)安全，是维护国(guó)家安全的必(bì)要(yào)措施。中国坚定推进高水平对(duì)外开放，只要(yào)遵守中(zhōng)国法律法(fǎ)规要求，欢迎各国(guó)企业、各类平台产品服(fú)务进入中(zhōng)国(guó)市场。

　　3月31日，中国网(wǎng)信网发文称(chēng)，为保障关(guān)键信息基础设施供应(yīng)链安(ān)全，防范产品问(wèn)题隐(yǐn)患造成网络安全(quán)风险，维(wéi)护(hù)国(guó)家安全，依据《中华人民共和国国家安(ān)全法》《中(zhōng)华人民共和国网络安全法》，网(wǎng)络安(ān)全审(shěn)查(chá)办公室按照(zhào)《网络(luò)安全审查办法》，对美光公司（Micron）在华销售的产品实施网络安全审查(chá)。

　　美光是美国(guó)的存储(chǔ)芯片行业龙(lóng)头，也是全(quán)球存储(chǔ)芯(xīn)片(piàn)巨头之一，2022年收入来(lái)自中国市场收入(rù)从(cóng)此(cǐ)前高峰57％降至(zhì)2022年约11％。根(gēn)据市场咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星(xīng)电(diàn)子、 铠侠、西部数据、SK 海力(lì)士、美光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市(shì)场(chǎng)份额约为 96.76％，三(sān)星(xīng)电子、 SK 海(hǎi)力士、美光在(zài)全球 DRAM （内存）市场(chǎng)份额约为 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司中，江波龙(lóng)、佰维(wéi)存(cún)储等公司披露过美(měi)光等国际存储(chǔ)厂商为(wèi)公司供应商(shāng)。

　　美光(guāng)在江波龙(lóng)采购(gòu)占比已经显著下降(jiàng)，至(zhì)少已(yǐ)经不是主要大供应(yīng)商(shāng)。

　　公告显示， 2021年美光位列江(jiāng)波龙第一(yī)大(dà)存储晶圆供(gōng)应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙(lóng)第一大(dà)、第二大和第(dì)三大(dà)供应商采(cǎi)购金(jīn)额占比分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已(yǐ)经(jīng)在存(cún)储产业链上下游建立国内外广泛合作(zuò)。2022年年(nián)报显示，江波龙与三星(xīng)、美(měi)光、西(xī)部数据(jù)等主要存储晶圆原(yuán)厂签(qiān)署(shǔ)了长期合约，确保(bǎo)存储晶圆供应的(de)稳定性，巩固公(gōng)司在(zài)下(xià)游(yóu)市场(chǎng)的供应优势，公司也与国内国(guó)产存储晶圆原厂(chǎng)武汉(hàn)长江存储(chǔ)、合肥(féi)长(zhǎng)鑫保持良好的合作。

　　有券商(shāng)此前就分析，如果美光在中国区销(xiāo)售受到限制，或将导致下游客(kè)户(hù)转(zhuǎn)而采购国外三星、 SK海力士，国内长(zhǎng)江存储、长鑫存储等竞(jìng)对(duì)产品

　　分(fēn)析称，长存、长鑫(xīn)的(de)上游设备厂或从中受益。存储器(qì)的(de)生产已经演进(jìn)到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另(lìng)外(wài)NAND Flash现(xiàn)在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的(de)结构转变使(shǐ)刻蚀(shí)和薄膜成为最关键、最大量(l古代诗人称号大全全部，古代诗人称号大全诗圣诗仙等pan style='color: #ff0000; line-height: 24px;'>古代诗人称号大全全部，古代诗人称号大全诗圣诗仙等iàng)的加(jiā)工(gōng)设备。3D NAND每层均需要(yào)经过薄膜沉积工艺步骤，同时刻蚀目前(qián)前沿要刻到 60：1的(de)深孔，未来(lái)可能会更深的孔或者沟槽(cáo)，催生更(gèng)多设备需求。据(jù)东京电子披露，薄(báo)膜沉(chén)积(jī)设备及刻蚀(shí)占3D NAND产线资(zī)本开支合计为75％。自长江存(cún)储(chǔ)被(bèi)加入(rù)美国限制名单，设备(bèi)国产化(huà)进(jìn)程加速，看(kàn)好(hǎo)拓(tuò)荆(jīng)科技（薄膜沉积）等相(xiāng)关公司份额(é)提(tí)升，以及(jí)存储(chǔ)业务占比较高的华海清科古代诗人称号大全全部，古代诗人称号大全诗圣诗仙等（CMP）、盛美上(shàng)海（清洗）等收入增长(zhǎng)。

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