大(dà)家好，来看一则(zé)突发消息。

　　美光(guāng)公司在华销售的产品(pǐn)未通过网络安(ān)全审查

　　据网信办消息，日前，网络安(ān)全审查办(bàn)公室依法对美光公司在(zài)华销(xiāo)售(shòu)产品进行了网(wǎng)络安全(quán)审查。

　　审查发现，美光公司产品存(cún)在(zài)较(jiào)严重网(wǎng)络安全问题隐患，对我(wǒ)国关键信息基础设(shè)施供应链造(zào)成重大(dà)安全(quán)风(fēng)险，影响我(wǒ)国国家安全。为(wèi)此，网(wǎng)络安全审(shěn)查(chá)办公(gōng)室依法作出不(bù)予通过网(wǎng)络安全审查的结论。按照《网络安全法(fǎ)》等(děng)法(fǎ)律法(fǎ)规，我国内(nèi)关键信息基础(chǔ)设(shè)施的(de)运营者应停止(zhǐ)采购(gòu)美光公司产品。

　　此次对美(měi)光公司产品进行网(wǎng)络安全(quán)审查，目(mù)的是防范(fàn)产品网络(luò)安全问题危害国家关(guān)键信息基础设施安(ān)全，是维护国家安全的必要措(cuò)施(shī)。中国坚定推进高水平对外开放，只(zhǐ)要遵守(shǒu)中国法律(lǜ)法规要求(qiú)，欢迎各国企(qǐ)业、各类平台产(chǎn)品服务进(jìn)入中(zhōng)国市场。

　　3月31日，中国网信网发文称(chēng)，咋能把自己弄成小喷泉呢，如何把女朋友弄成小喷泉为保障关键信息基础(chǔ)设(shè)施(shī)供(gōng)应链(liàn)安全(quán)，防范产品(pǐn)问(wèn)题隐(yǐn)患造成(chéng)网络(luò)安全风险(xiǎn)，维护(hù)国家(jiā)安全，依据《中华人(rén)民共和(hé)国国家(jiā)安全法》《中(zhōng)华(huá)人(rén)民共和国(guó)网络安全法》，网络安(ān)全(quán)审查办公室按照(zhào)《网络安全审查办法(fǎ)》，对美光公司（Micron）在华销售(shòu)的(de)产(chǎn)品实施(shī)网络安全(quán)审查。

　　美光是美(měi)国的存储芯片行业(yè)龙头，也是全球存储芯片(piàn)巨(jù)头之一，2022年(nián)收入来自(zì)中(zhōng)国市场收入(rù)从(cóng)此(cǐ)前高峰57％降至2022年(nián)约11％。根(gēn)据市场(chǎng)咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星电(diàn)子、 铠侠、西部数据、SK 海力(lì)士、美(měi)光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存）市场份(fèn)额约为 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海力(lì)士、美光在全(quán)球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上(shàng)市公司中，江波龙、佰维存储等(děng)公(gōng)司披露过美(měi)光等国际(jì)存储厂商为公司供(gōng)应商。

　　美光在江波龙采购(gòu)占比已(yǐ)经显著下(xià)降(jiàng)，至少已经不是主(zhǔ)要大供应商。

　　公(gōng)告显(xiǎn)示， 2021年美(měi)光位列江波(bō)龙第一大存(cún)储晶圆供应商(shāng)，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第(dì)一大、第二(èr)大和第三(sān)大(dà)供应商采购(gòu)金(jīn)额(é)占比分别(bié)是(shì)26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前(qián)江波(bō)龙已经在存储产业链上下游建立(lì)国内(nèi)外广泛合作。2022年年报显示，江波龙与三(sān)星、美光、西部数(shù)据等主要(yào)存(cún)储晶圆原厂签(qiān)署了长(zhǎ咋能把自己弄成小喷泉呢，如何把女朋友弄成小喷泉ng)期合约，确保存储晶圆供应(yīng)的稳定性，巩固公司在下游市场(chǎng)的供应优势，公司也(yě)与国内国(guó)产存储晶圆原厂武(wǔ)汉长江存储、合肥长鑫保持良好的(de)合作。

　　有券商此前(qián)就分析，如果(guǒ)美(měi)光在中国区销(xiāo)售受到限制，或(huò)将(jiāng)导(dǎo)致下游(yóu)客(kè)户转而采购(gòu)国外(wài)三星、 SK海(hǎi)力士，国(guó)内长江存储、长鑫(xīn)存(cún)储等竞对产品

　　分析称，长存、长鑫(xīn)的上游设(shè)备厂或从(cóng)中受益(yì)。存储(chǔ)器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另外(wài)NAND Flash现在已经进入3D NAND时代(dài)，2 维到3维的结构转(zhuǎn)变(biàn)使刻蚀和薄(báo)膜成为最关(guān)键、最大量的加工设备。3D NAND每(měi)层(céng)均需要经过薄膜沉积工艺步骤，同时刻蚀目前(qián)前(qián)沿要刻到 60：1的深孔，未来可能会更深的孔或者(zhě)沟(gōu)槽(cáo)，催生更多设备需(xū)求(qiú)。据(jù)东京电子披露，薄膜(mó)沉积(jī)设备及刻蚀(shí)占3D NAND产线资本开支合计为75％。自长(zhǎng)江存(cún)储被加入(rù)美国(guó)限(xiàn)制名(míng)单(dān)，设备国产化进程(chéng)加速，看好拓荆(jīng)科技（薄膜沉积）等(děng)相关(guān)公司份额提(tí)升，以及存储(chǔ)业务占(zhàn)比较(jiào)高的华(huá)海(hǎi)清科（CMP）、盛美上海（清(qīng)洗(xǐ)）等收(shōu)入增长。

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