大(dà)家好，来看一则突发(fā)消息(xī)。

　　美光公司在(zài)华销售的产品(pǐn)未通过网络安全审查

　　据(jù)网信办(bàn)消息，日前，网络安全审查(chá)办公室依(yī)法对美光公(gōng)司在华销(xiāo)售产(chǎn)品进行了网络安全审查。

　　审查(chá)发现(xiàn)，美光公司产(chǎn)品存在较(jiào)严重网络安全问题隐患，对我国(guó)关键信息基(jī)础设施供应(yīng)链造成(chéng)重大安全(quán)风险(xiǎn)，影响我国(guó)国家(jiā)安全。为(wèi)此，网络(luò)安全审(shěn)查办公室依法作(zuò)出不(bù)予通过网络安全审查的结(jié)论。按照《网(wǎng)络(luò)安全法》等法律法规，我国内关键(jiàn)信息基础设(shè)施的运(yùn)营者(zhě)应停止采(cǎi)购美光公司产品。

　　此(cǐ)次对美(měi)光公司(sī)产品进行网络安全审(shěn)查，目的是防范产品网络安全问题(tí)危害国家关键信息基础设施安(ān)全，是维护国家安全的必要措施(shī)。中国(guó)坚定推(tuī)进高水平对外开放，只要遵守中国法律法规要求，欢迎各国企(qǐ)业、各(gè)类平台产品服务进(jìn)入(rù)中国市场。

　　3月(yuè)31日，中国网信网发文称，为保障关键信息(xī)基础设施供应(yīng)链安全，防范产(chǎn)品问题(tí)隐患造成网络安全风险(xiǎn)，维护国家安全，依据《中华人民共(gòng)和国(guó)国家安全法》《中华人民(mín)共和国网络(luò)安(ān)全法》，网络安(ān)全审查办公(gōng)室按照《网络安全(quán)审(shěn)查办法(fǎ)》，对(duì)美光公司（Micron）在华销售的产品实施网络安(ān)全审查。

　　美光(guāng)是(shì)美(měi)国的存储芯(xīn)片行业龙头，也是全球存储芯片巨头(tóu)之一，2022年收入来自中国市场(chǎng)收入从此前高峰57％降至(zhì)2022年约11％。根据市场咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美(měi)光、Solidigm 在(zài)全(quán)球 NAND Flash （闪存）市场份(fèn)额约为(wèi) 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海力(lì)士、美(měi)光在全球 DRAM （内存）市场份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公(gōng)司中，江波(bō)龙、佰维存储等公司披露(lù)过美光等国(guó)际存储厂商为公司供应(yīng)商。

　　美光(guāng)在(zài)江波龙采购占比已经显著下降，至少已经(jīng)不(bù)是主(zhǔ)要大(dà)供应(yīng)商。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年美(měi)光位列江(jiāng)波龙第一(yī)大存(cún)储(chǔ)晶圆供应商，采购约31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年(nián)，江波龙第一(yī)大(dà)、第二大和第三(sān)大供(gōng)应商采购金额占比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波龙(lóng)已经在(zài)存储(chǔ)产(chǎn)业链上下游建立国内外广泛合(hé)作。2022年年(nián)报(bào)显示，江波龙与三星(xīng)、美(měi)光(guāng)、西部数据等(děng)主要存储晶圆原厂签署了(le)长10根虫草泡8斤酒合适吗，一斤酒放多少冬虫夏草泡合适期合(hé)约，确保存储晶圆供(gōng)应(yīng)的(de)稳定性，巩固公(gōng)司(sī)在(zài)下游(yóu)市场的供应(yīng)优(yōu)势，公(gōng)司也与国(guó)内(nèi)国产存储晶圆原(yuán)厂武(wǔ)汉长江存储、合(hé)肥长鑫保持良好的合(hé)作。

　　有(yǒu)券商此前就分析(xī)，如果美光在中国区销售(shòu)受到限(xiàn)制，或将导(dǎo)致(zhì)下(xià)游客户转而采购(gòu)国外三星、 SK海力士，国内长江存储、长鑫存储等竞对产品

　　分(fēn)析称(chēng)，长存、长鑫的(de)上游设备厂(chǎng)或从中受(shòu)益。存储器(qì)的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至(zhì)1Znm的工艺。另(lìng)外NAND Flash现在已经进(jìn)入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使刻蚀(shí)和薄膜(mó)成为最关键、最大量的加(jiā)工设备。3D NAND每层均需要经(jīng)过薄(báo)膜沉(chén)积工艺步骤，同时刻蚀目(mù)前前沿要刻到 60：1的深孔，未(wèi)来(lái)可能(néng)会更深的孔或者沟槽，催生更多设备需求。据东京电子披露，薄膜沉积设(shè)备及刻(kè)蚀占3D NAND产线资本开(kāi)支合计为75％。自长江(jiāng)存储被加入(rù)美(měi)国限(xiàn)制名单，设备国产化(huà)进(jìn)程(chéng)加速(sù)，看好拓荆科技（薄(báo)膜沉积）等相关公司(sī)份额(é)提(tí)升(shēng)，以及(jí)存储业(yè)务占比较(jiào)高的华海清科（CMP）、盛美上海(hǎi)（清(qīng)洗）等收(shōu)入(rù)增长。

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