大(dà)家好，来看一则突发消息。

　　美光公(gōng)司在华销(银川海拔高度是多少 银川有高原反应吗xiāo)售(shòu)的(de)产(chǎn)品(pǐn)未通过网络安全审查

　　据网信办消息，日前，网络安(ān)全审(shěn)查办公(gōng)室依法对美光公司在华销售产(chǎn)品(pǐn)进行了网络安全审查。

　　审查(chá)发现，美光公司产品存在较严重网络安(ān)全问题隐(yǐn)患，对我(wǒ)国关键信息(xī)基(jī)础设施供(gōng)应链造成重大安(ān)全风险，影响我国国家(jiā)安全。为此，网络安全审(shěn)查办(bàn)公室依法(fǎ)作出不予(yǔ)通过(guò)网(wǎng)络安全审查的结论。按(àn)照《网(wǎng)络安全(quán)法(fǎ)》等法律法规，我(wǒ)国内关键信(xìn)息基础设施的运营者应停止采购美光公司产品。<银川海拔高度是多少 银川有高原反应吗/strong>

　　此次(cì)对美(měi)光公司产品进行(xíng)网络安全(quán)审查，目的是防范产品网络安全问题危害国家关键(jiàn)信息基础设施安全，是维护(hù)国(guó)家安(ān)全的必要措施。中(zhōng)国坚(jiān)定(dìng)推进高(gāo)水平对外开放，只要遵守中国法律(lǜ)法(fǎ)规要(yào)求，欢迎(yíng)各国企业、各(gè)类平台产品服(fú)务(wù)进入中(zhōng)国(guó)市场。

　　3月31日，中国(guó)网信网发文称(chēng)，为保障(zhàng)关键信息基础设施供应链安全，防范产(chǎn)品问题隐(yǐn)患造成网络安全风险，维护国家安全，依据《中(zhōng)华人民共和国国家安(ān)全法》《中华人民共和国网络(luò)安全法》，网络(luò)安(ān)全审(shěn)查办公室按照《网络安(ān)全审查办(bàn)法》，对美光公司（Micron）在华(huá)销售的产(chǎn)品(pǐn)实施网络安全审查。

　　美(měi)光是美(měi)国的(de)存储(chǔ)芯片行业龙头(tóu)，也是全球存储芯片巨头(tóu)之(zhī)一，2022年收(shōu)入来(lái)自(zì)中国市(shì)场收入从(cóng)此前高峰57％降至(zhì)2022年约(yuē)11％。根据市场咨(zī)询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星(xīng)电(diàn)子、 铠侠(xiá)、西部数据、SK 海(hǎi)力(lì)士、美光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存）市场份额约(yuē)为(wèi) 96.76％，三星电子(zi)、 SK 海(hǎi)力士、美(měi)光在全球 DRAM （内存(cún)）市场份额约(yuē)为 94.35％。

　　A股(gǔ)上(shàng)市公司中(zhōng)，江波(bō)龙、佰维存储等公司披露过美光等(děng)国(guó)际存储厂商为公司供应商。

　　美光在江波龙(lóng)采购占比已经显著下降，至少已经不是主(zhǔ)要大(dà)供(gōng)应商。

　　公告显示(shì)， 2021年(nián)美光位列江波龙(lóng)第一(yī)大存储晶圆供应商，采购约31亿(yì)元(yuán)，占比33.52％；2022年，江波龙(lóng)第一大、第二大(dà)和第三大供应商采购金额占比分(fēn)别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在(zài)存储产(chǎn)业链(liàn)上下游建(jiàn)立国内外广泛合作。2022年年报(bào)显(xiǎn)示，江(jiāng)波龙与三(sān)星、美光、西部数据等主(zhǔ)要存储晶(jīng)圆原厂签(qiān)署(shǔ)了(le)长期合约，确保存储晶圆供(gōng)应(yīng)的(de)稳(wěn)定(dìng)性(xìng)，巩固(gù)公司在下游市(shì)场的供应优势，公司也与(yǔ)国内(nèi)国产存储晶(jīng)圆原厂(chǎng)武汉长江存储、合(hé)肥长鑫保持良好(hǎo)的合作。

　　有(yǒu)券商此前就(jiù)分析，如果美光(guāng)在中国(guó)区销售受到限制，或将导致下(xià)游客户转而采购国外(wài)三星、 SK海力士，国(guó)内(nèi)长(zhǎng)江(jiāng)存储、长(zhǎng)鑫存储等竞(jìng)对产品

　　分析称，长存(cún)、长鑫(xīn)的上游设备(bèi)厂(chǎng)或(huò)从中受益。存储器的(de)生(shēng)产已(yǐ)经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外(wài)NAND Flash现在已经进入(rù)3D NAND时(shí)代，2 维到3维的结构转变使刻蚀和薄膜(mó)成为(wèi)最关(guān)键、最大量(liàng)的加工(gōng)设备。3D NAND每层均(jūn)需要经过薄膜(mó)沉积工艺步骤，同(tóng)时刻蚀(shí)目(mù)前(qián)前沿(yán)要刻到(dào) 60：1的深孔，未来可(kě)能(néng)会更(gèng)深的孔或者沟槽，催生更多设备需求(qiú)。据东京电(diàn)子披露，薄膜(mó)沉积设(shè)备(bèi)及(jí)刻蚀(shí)占(zhàn)3D NAND产线资本开支合计为75％。自长(zhǎng)江(jiāng)存储被加入美国限制名单，设备(bèi)国(guó)产化进程加(jiā)速，看好拓荆科(kē)技（薄膜沉积）等相(xiāng)关公(gōng)司(sī)份额提(tí)升，以及存储业务占比较(jiào)高的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收(shōu)入增长。