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大漠孤烟直长河落日圆是什么意思,长河落日圆啥意思 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大(dà)家好,来看一(yī)则突发(fā)消息。

  美光公(gōng)司在华销售的(de)产品未通过网络安全审查

  据(jù)网(wǎng)信办(bàn)消息(xī),日(rì)前,网(wǎng)络安全审查办公室依法(fǎ)对(duì)美(měi)光公司在华(huá)销售产品进行了网络安全审查。

  审查发现,美光公司产品存在较严重网络安全问(wèn)题隐患(huàn),对(duì)我(wǒ)国关(guān)键(jiàn)信息基础设施(shī)供应链(liàn)造成重大安全风(fēng)险(xiǎn),影(yǐng)响我国国家(jiā)安全(quán)。为此,网络安(ān)全审(shěn)查办公室依法作出(chū)不予(yǔ)通(tōng)过大漠孤烟直长河落日圆是什么意思,长河落日圆啥意思网络安(ān)全审查的结(jié)论。按照《网络安(ān)全法(fǎ)》等法律法规,我国内关键信息基础设施的(de)运营(yíng)者(zhě)应停止采购(gòu)美(měi)光公司产品。

  此次对美光公司产品进行(xíng)网络安(ān)全审查(chá),目的是防(fáng)范产品网络安全问题危害国家关键(jiàn)信息(xī)基础设施安全(quán),是维护国家安全的必要措施。中国坚(jiān)定推进高水平对外开放,只要遵守中国法律法(fǎ)规要求,欢迎(yíng)各国企业、各类平台产品(pǐn)服务进入中国市场。

  半导体突发!中国出(chū)手:停止采购!

  3月31日,中国网信网(wǎng)发文称(chēng),为(wèi)保障关(guān)键(jiàn)信息基础设(shè)施供应链安全,防(fáng)范(fàn)产品问题(tí)隐(yǐn)患(huàn)造(zào)成(chéng)网络(luò)安全风(fēng)险,维护(hù)国家(jiā)安(ān)全(quán),依据(jù)《中华人民共和(hé)国国家安全法》《中华人民共和(hé)国网(wǎng)络(luò)安全法》,网络安全(quán)审查办公室按照《网络安全审查办法》,对美(měi)光公(gōng)司(Micron)在华(huá)销(xiāo)售的产(chǎn)品(pǐn)实施网络安全(quán)审查(chá)。

  半导体突发!中国出手:停止(zhǐ)采购!

  美光是(shì)美国的存储(chǔ)芯片行(xíng)业龙头,也(yě)是全(quán)球存(cún)储芯片巨头(tóu)之一(yī),2022年收入来自(zì)中国市(shì)场收入(rù)从(cóng)此(cǐ)前高峰57%降至2022年(nián)约11%。根(gēn)据市场咨询机构(gòu) Omdia(IHS Markit)统计,2021 年三星(xīng)电子、 铠侠(xiá)、西(xī)部数据(jù)、SK 海力(lì)士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash (闪存(cún))市场份额(é)约为 96.76%,三星电子、 SK 海力士、美(měi)光在全球 DRAM (内存(cún))市场(chǎng)份(fèn)额约为 94.35%。

  A股上市公司(sī)中(zhōng),江波(bō)龙、佰(bǎi)维存储等公司(sī)披露过美光等国际存储厂商为公司供应商。

  美(měi)光在江波龙采购占(zhàn)比(bǐ)已经(jīng)显著(zhù)下降,至少已经不是主要大供(gōng)应商。

  公告显示, 2021年(nián)美光位列江波(bō)龙第(dì)一大存储晶圆供应商,采购约31亿元,占比33.52%;2022年,江波龙第一大、第二(èr)大(dà)和第三大供应商采购(gòu)金额占比分(fēn)别是(shì)26.28%、22.85%和5.76%。

  目(mù)前(qián)江波(bō)龙(lóng)已经在存储(chǔ)产(chǎn)业链上(shàng)下游建立国内外广泛合(hé)作。2022年(nián)年报(bào)显示,江波龙与三星、美光(guāng)、西部数(shù)据等主要存(cún)储(chǔ)晶圆原厂签署了长期(qī)合约,确保存储晶圆(yuán)供应的稳定性(xìng),巩固公司在下游市场的供应优势,公司也与国内(nèi)国产存储(chǔ)晶圆原厂武汉长江存储(chǔ)、合肥(féi)长鑫保持良好(hǎo)的合作。

大漠孤烟直长河落日圆是什么意思,长河落日圆啥意思>  有券商此前(qián)就分析,如果美光在中国区销售受到限制,或将导致下游客户转而采购国外三星、 SK海力士,国内长江存(cún)储(chǔ)、长鑫存储(chǔ)等竞对产品

  分析称,长(zhǎng)存、长鑫(xīn)的上游设备厂(chǎng)或从中(zhōng)受益。存储器的生产(chǎn)已经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外(wài)NAND Flash现在已经进入3D NAND时代,2 维到(dào)3维的结构转变使刻蚀和薄(báo)膜成(chéng)为最(zuì)关键、最(zuì)大(dà)量(liàng)的加工设备(bèi)。3D NAND每层均需要经(jīng)过薄膜沉积工艺(yì)步骤,同时刻(kè)蚀目前前沿要刻(kè)到 60:1的深孔,未来可能会更深(shēn)的孔或者(zhě)沟槽,催生更多设备需求。据东京电子披露(lù),薄(báo)膜沉积设备(bèi)及刻蚀占3D NAND产线(xiàn)资本开支(zhī)合计为75%。自长(zhǎng)江存储(chǔ)被加入美国(guó)限制名单,设备国产化进程加速,看好拓荆科(kē)技(jì)(薄膜沉积)等相关公司份额提(tí)升,以(yǐ)及存储业(yè)务占比较高(gāo)的华海清科(CMP)、盛美上海(清洗(xǐ))等收入增长。

 

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