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　　美(měi)光公司在(zài)华销售的产品(pǐn)未(wèi)通过网(wǎng)络安全审查

　　据网信(xìn)办消息，日前，网络安全审查办公室(shì)依法对美光公司在华销售产(chǎn)品(pǐn)进行了(le)网络(luò)安全审查。

　　审查(chá)发(fā)现，美光公司产品存在较严重网络安全问题隐(yǐn)患(huàn)，对我国关键信(xìn)息(xī)基础设施供应链造(zào)成(chéng)重大安全风险，影(yǐng)响我国国(guó)家安(ān)全。为此(cǐ)，网络安全审查办公室依法作出不予(yǔ)通(tōng)过网(wǎng)络安全(quán)审查的结(jié)论(lùn)。按照(zhào)《网络安(ān)全法》等法律法规，我国内关键信息基础设(shè)施的运营(yíng)者应停止采购美光公司产品。

　　此次对(duì)美光(guāng)公司产品进(jìn)行网络安(ān)全审(shěn)查(chá)，目的是防(fáng)范产(chǎn)品网络安全(quán)问题危(wēi)害国家关键信息基(jī)础设施安全，是(shì)维护(hù)国家安全的(de)必要(yào)措(cuò)施。中国坚定推进高水(shuǐ)平对外开放，只要遵守中国法律(lǜ)法规要求，欢迎各国企业、各(gè)类(lèi)平台产(chǎn)品服务进入中国市场。

　　3月31日，中国网信网发文(wén)称，为保障关键信息基础设施供应链安全(quán)，防范(fàn)产(chǎn)品(pǐn)问题隐(yǐn)患造成网络(luò)安全风(fēng)险，维(wéi)护国家安全(quán)，依(yī)据《中(zhōng)华人民共和国国家安全法》《中(zhōng)华人民共和国网(wǎng)络(luò)安全法》，网(wǎng)络安全审(shěn)查办公(gōng)室按(àn)照《网络安全(quán)审查办法(fǎ)》，对(duì)美(měi)光公司（Micron）在华(huá)销售的产品实(shí)施网(wǎng)络安(ān)全审查。

　　美光(guāng)是(shì)美(měi)国(guó)的存储芯(xīn)片行(xíng)业龙头(tóu)，也是全球存(cún)储芯片巨头之一(yī)，2022年收(shōu)入来自(zì)中国(guó)市场收(shōu)入从此前高(gāo)峰57％降至2022年(nián)约11％。根(gēn)据市场咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠(kǎi)侠、西部数据、SK 海(hǎi)力士(shì)、美(měi)光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存）市场份(fèn)额(é)约为 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海(hǎi)力士、美光在全球 DRAM （内(nèi)存不走心是啥意思，不走心是啥意思网络用语）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江(jiāng)波(bō)龙、佰(bǎi)维存储(chǔ)等公司披露过美光(guāng)等国(guó)际存储厂商为公司(sī)供(gōng)应(yīng)商(shāng)。

　　美(měi)光在江(jiāng)波龙采购占比已经显著下(xià)降，至少(shǎo)已经不(bù)是主要大供应商。

　　公告显示， 2021年(nián)美(měi)光位列江波龙(lóng)第一(yī)大(dà)存储晶圆供应商，采购约(yuē)31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大(dà)、第二大和第三大供应商采购金额占比分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波龙已经(jīng)在存(cún)储(chǔ)产业链上(shàng)下游建立(lì)国内外广(guǎng)泛合作。2022年年报显示，江波龙与三星、美光(guāng)、西部数(shù)据等(děng)不走心是啥意思，不走心是啥意思网络用语主要存(cún)储晶(jīng)圆原厂签署了长期合约，确保(bǎo)存(cún)储晶圆供应的稳(wěn)定(dìng)性，巩(gǒng)固(gù)公司在下游市场的(de)供应优势(shì)，公(gōng)司也与国内国产存储晶圆(yuán)原厂武汉长江存储、合肥长(zhǎng)鑫保(bǎo)持良好的合(hé)作。

　　有券(quàn)商此前就分(fēn)析，如果(guǒ)美光(guāng)在中国区销售受到限制(zhì)，或将导致下(xià)游客(kè)户转而(ér)采购国(guó)外三(sān)星、 SK海力士，国内长江存储、长鑫存储等竞对产品

　　分析(xī)称，长存、长鑫的上游设备厂或从(cóng)中受益。存储器的生产已经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺(yì)。另外NAND Flash现在(zài)已经进(jìn)入3D NAND时(shí)代，2 维到3维的(de)结构(gòu)转变使刻蚀和薄膜成(chéng)为最关键(jiàn)、最(zuì)大量(liàng)的加(jiā)工设(shè)备。3D NAND每层均需(xū)要经过(guò)薄膜沉积工艺步骤，同时刻蚀目前前(qián)沿要刻到(dào) 60：1的深孔，未来可能(néng)会更深的孔或者沟(gōu)槽(cáo)，催生更(gèng)多设备需求。据东京电子披露，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合(hé)计为75％。自长江存储被加入美(měi)国限制名单(dān)，设(shè)备国产化进程加速(sù)，看好拓荆科(kē)技（薄膜沉积）等(děng)相关公司份额提升(shēng)，以及存储业务占(zhàn)比较(jiào)高的华海(hǎi)清科(kē)（CMP）、盛美(měi)上海（清洗）等收入增长(zhǎng)。

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