大家好(hǎo)，来看一则突发(fā)消息(xī)。

　　美光公司在华销售的产品未通过网络(luò)安全审(shěn)查

　　据网(wǎng)信办消息，日(rì)前(qián)，网络安全审(shěn)查办公(gōng)室(shì)依(yī)法对(duì)美光公司在华(huá)销售产品进行了网络安全(quán)审查。

　　审查发现，美光(guāng)公(gōng)司产品存在较严重网(wǎng)络安全问题隐患，对(duì)我国关键信(xìn)息基础设(shè)施(shī)供应(yīng)链造成重(zhòng)大安全风险，影响我国国家安(ān)全。为此，网络安全审查(chá)办公室依法作出不予通过网络(luò)安全审(shěn)查的结论。按(àn)照《网络安全法(fǎ)》等法律法规(guī)，我国(guó)内关(guān)键信(xìn)息基础设施的运营者应(yīng)停止采购美光公司产品(pǐn)。

　　此(cǐ)次对美光公司产品(pǐn)进行网(wǎng)络(luò)安全审查，目的是防范产品网络安全问题危害国家(jiā)关(guān)键信息基(jī)础设施安全，是(shì)维护国(guó)家安全的必要措施(shī)。中国(guó)坚定推进高水平对外(wài)开放，只要遵(zūn)守中国法律法规要求，欢迎(yíng)各国企业、各(gè)类平台产品服务进入中国市场。

　　3月31日，中国网信网(wǎng)发文(wén)称，为保障关键(jiàn)信息基础设施供(gōng)应(yīng)链安全，防范产品问(wèn)题(tí)隐患造(zào)成网络(luò)安全(quán)风险，维(wéi)护国家安全，依据《中(zhōng)华人(rén)民共(gòng)和国国(guó)家安(ān)全(quán)法》《中华人民共(gòng)和国网络安(ān)全法》，网络安全审查办(bàn)公室(shì)按照《网络安全(quán)审查办(bàn)法》，对美光公司（Micron）在华销售的(de)产品实施网络(luò)安(ān)全(quán)审查。

　　美光(guāng)是美(měi)国(guó)的存储芯片行业龙头，也是(shì)全球存储芯片巨头之(zhī)一，2022年收(shōu)入来自(zì)中国市(shì)场收入从此前高(gāo)峰57％降至2022年(nián)约11％。根(gēn)据市场咨(zī)询机(jī)构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠(xiá)、西(xī)部数(一般上大一是多少岁，大一是多少岁哪年的shù)据(jù)、SK 海力士(shì)、美光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光(guāng)在全(quán)球 DRAM （内存）市场份(fèn)额约(yuē)为 94.35％。

　　A股上市公司中(zhōng)，江波龙、佰维存储等(děng)公司(sī)披露过美光等国际存储厂商为公司供应商(shāng)。

　　美(měi)光在江波龙采购占比已经(jīng)显(xiǎn)著下降，至少已经不是(shì)主要(yào)大供应(yīng)商(shāng)。

　　公告(gào)显示， 2021年美(měi)光位列江波龙第一大存储晶圆供(gōng)应商(shāng)，采购(gòu)约31亿(yì)元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波龙第一大(dà)、第二大(dà)和第三(sān)大供应商采购金(jīn)额占比分(fēn)别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前(qián)江波龙已(yǐ)经在存储产业(yè)链上下游建立国(guó)内外广泛(fàn)合作。2022年(nián)年报(bào)显示，江波龙与三星、美光(guāng)、西部数据等主要存储晶(jīng)圆原厂签署(shǔ)了长期合(hé)约，确保存(cún)储晶(jīng)圆供应的稳(wěn)定性，巩(gǒng)固公一般上大一是多少岁，大一是多少岁哪年的(gōng)司在下游市(shì)场的供应优势，公司也与国内国产(chǎn)存储晶(jīng)圆(yuán)原厂武汉长江存(cún)储、合肥长鑫保持良好的合作。

　　有券(quàn)商此前就(jiù)分析，如果美光(guāng)在(zài)中国区销售受到(dào)限制，或将(jiāng)导(dǎo)致下游客户转而采购国外三星(xīng)、 SK海力(lì)士，国内长江(jiāng)存储、长鑫存储等(děng)竞(jìng)对(duì)产品

　　分(fēn)析称，长存、长(zhǎng)鑫的上游设备(bèi)厂或(huò)从中(zhōng)受(shòu)益。存储器的生产已经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺(yì)。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代(dài)，2 维到3维的结构转变使刻蚀和(hé)薄膜成(chéng)为最关键(jiàn)、最大量的加工(gōng)设备(bèi)。3D NAND每层均需要(yào)经过(guò)薄膜沉(chén)积工艺步骤，同时刻蚀(shí)目前前沿要刻到 60：1的深孔，未来可能(néng)会更深(shēn)的孔(kǒng)或(huò)者沟槽，催生(shēng)更(gèng)多设备需求。据东京(jīng)电子披露(lù)，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线(xiàn)资(zī)本开(kāi)支合计(jì)为75％。自长江(jiāng)存储被加入美(měi)国限制(zhì)名单，设备国(guó)产化进程加速，看好拓荆科技(jì)（薄(báo)膜沉积）等相(xiāng)关(guān)公司份额提(tí)升，以及存(cún)储业务占比较(jiào)高的(de)华海清科（CMP）、盛美上(shàng)海（清洗）等收入增(zēng)长。

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