大家好，来看一则(zé)突发(fā)消(xiāo)息。

　　美光公(gōng)司在华(huá)销售的产品(pǐn)未通过网络安全审查

　　据网信办消息，日前(qián)，网络安(ān)全审查办公室(shì)依法对美光公(gōng)司在(zài)华销售(shòu)产品(pǐn)进(jìn)行了网(wǎng)络安全审查(chá)。

　　审查发(fā)现，美光(guāng)公司产品存在较严重网(wǎng)络安(ān)全问题隐患，对我国关键信息基础(chǔ)设施供应链造(zào)成重大安全风险(xiǎn)，影(yǐng)响我国(guó)国(guó)家安(ān)全。为此，网络安全审查办公(gōng)室依法作出不予通过网络(luò)安(ān)全审查的结论。按照《网络(luò)安全法》等法(fǎ)律法规，我国内(nèi)关键信息(xī)基础设施的运营(yíng)者应停止(zhǐ)采购美光(guāng)公司产(chǎn)品(pǐn)。

　　此次对美光(guāng)公司产品进行网络(luò)安全审查，目的(de)是防范产品网络安全问题危害国家关键信息(xī)基础(chǔ)设施安全(quán)，是维护国家安全的必要措施。中(zhōng)国(guó)坚定(dìng)推(tuī)进高水平对外开放，只(zhǐ)要遵(zūn)守(shǒu)中国法律(lǜ)法规要(yào)求，欢迎各国企业、各类(lèi)平台产品服务(wù)进入中国市场。

　　3月31日(rì)，中国网(wǎng)信网发文称(chēng)，为保障关(guān)键信息基础设施供应链安全，防范产品问题(tí)隐患造(zào)成网(wǎng)络安全风险，维(wéi)护国家安(ān)全，依据《中华人民共和国国家安(ān)全法》《中华(huá)人民共(gòng)和国网络(luò)安全(quán)法》，网(wǎng)络安全审查(chá)办公室按照《网络(luò)安全审查办法》，对美光(guāng)公司（Micron）在华(huá)销售的产(chǎn)品(pǐn)实施网(wǎng)络安全审(shěn)查。

　　美光(guāng)是(shì)美(měi)国的(de)存储芯片行业龙头(tóu)，也是全球存储芯片巨(jù)头之(zhī)一，2022年收入(rù)来(lái)自中(zhōng)国市(shì)场收入从此前(qián)高峰57％降至2022年约11％。根据市(shì)场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计(jì)，2021 年三星电子、 铠(kǎirx550相当于什么显卡，rx580相当于什么显卡)侠、西(xī)部(bù)数据、SK 海力(lì)士、美光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存）市场份(fèn)额约为 96.76％，三星电子(zi)、 SK 海(hǎi)力士、美(měi)光在(zài)全球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司中(zhōng)，江(jiāng)波龙、佰维存储等公(gōng)司披(pī)露过(guò)美光等国(guó)际存(cún)储(chǔ)厂商(shāng)为公司供应商。

　　美光在江波龙采(cǎi)购占比已经显著下降，至少(shǎo)已经不是(shì)主要大供(gōng)应商。

　　公告显示， 2021年(nián)美光位列江波龙第一大存储晶圆供应商，采购(gòu)约(yuē)31亿元(yuán)，占(zhàn)比(bǐ)33.52％；2022年，江波(bō)龙第(dì)一大、第二大和(hé)第三大供应商采购(gòu)金额(é)占比分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波(bō)龙已经(jīng)在存储产(chǎn)业(yè)链上(shàng)下游建立国内外广泛(fàn)合作。2022年年报显示，江波(bō)龙与三(sān)星、美光、西部数(shù)据等主要存储晶圆原厂签(qiān)署了(le)长期合约，确保(bǎo)存储晶圆供应(yīng)的稳定性，巩固(gù)公(gōng)司在下(xià)游市场的供(gōng)应优势，公司(sī)也与国内国产存储(chǔ)晶(jīng)圆原(yuán)厂武汉长(zhǎng)江存(cún)储、合肥长鑫保(bǎo)持良(liáng)好(hǎo)的合(hé)作。

　　有券商此前就分析，如果美(měi)光在中国区(qū)销售(shòu)受到限制，或(huò)将导致(zhì)下(xià)游客户转而采购国外三星、 SK海力士(shì)，国内(nèi)长江存储、长鑫存储等(děng)竞对产品

　　分(fēn)析称，长存、长鑫的上游(yóu)设备厂或从(cóng)中受益(yì)。存储(chǔ)器(qì)的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已(yǐ)经进(jìn)入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使刻蚀(shí)和薄(báo)膜成为(wèi)最(zuì)关键、最大量(liàng)的加(jiā)工设备(bèi)。3D NAND每(měi)层均需要(yào)经(jīng)过薄膜沉积工艺步骤(zhòu)，同时刻蚀目前前(qián)沿要刻到 60：1的深孔，未(wèi)来可(kě)能会更深的孔或者沟槽，催(cuī)生更多设备需求。据东京电子披露，薄膜沉(chén)积设备及刻蚀占(zhàn)3D NAND产线(xiàn)资本开支合计为75％。自长江存储被加入美(měi)国限制名单，设备(bèi)国产化进程加(jiā)速，看好拓荆科(kē)技（薄膜(mó)沉(chén)积）等相关公司(sī)份额提升(shēng)，以及(jí)存储(chǔ)业务占比(bǐ)较高的(de)华海清科（CMP）、盛美上(shàng)海（清洗）等收入增长。

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