大家好，来看一则突发消息。

　　美光公司在华(huá)销(xiāo)售的(de)产品未通过网络安全审查

　　据网信办消(xiāo)息，日前，网络安全审查(chá)办公室依(yī)法对美光公司在华(huá)销售产品进行了(le)网络安全审查(chá)。

　　审查发现，美光公司产品存在较严重网络安全(quán)问题隐患(huàn)，对我(wǒ)国关键信息基(jī)础设施供应链造(zào)成重大安(ān)全风险，影(yǐng)响我国国家安全。为(wèi)此，网络安全(quán)审查办(bàn)公室(shì)依(yī)法作出不予通过网络安全(quán)审查的结论。按照《网络安全法》等法律法规，我(wǒ)国(guó)内关键信息基础设(shè)施的运营(yíng)者应(yīng)停止采购美光公(gōng)司产品。

　　此(cǐ)次对美光公司产品进(jìn)行网络(luò)安全审(shěn)查(chá)，目的是(shì)防范产品(pǐn)网(wǎng)络安全问题危害国家关键信息基础设施(shī)安全，是维护(hù)国家安全的(de)必要措(cuò)施。中国(guó)坚定推进高水平对外开(kāi)放，只(zhǐ)要遵守(shǒu)中国法律法(fǎ)规要(yào)求(qiú)，欢迎各国(guó)企(qǐ)业、各类平台产品服务进入(rù)中国(guó)市场。

　　3月31日，中国网信网发文(wén)称，为保障关(guān)键(jiàn)信息(xī)基础设施(shī)供应链安全，防(fáng)范产品(pǐn)问题隐患(huàn)造成网络安全风(fēng)险，维护国家安全，依据(jù)《中华人民(mín)共和(hé)国国(guó)家安全法(fǎ)》《中华人民共和国(guó)网络安全法》，网络安全审查办(bàn)公室按照《网(wǎng)络(luò)安全审查办(bàn)法》，对美(měi)光公司（Micron）在华销售的(de)产品实施网络安全审查。

　　美(měi)光是美国的存储芯片(piàn)行(xíng)业龙头，也是全球存储芯片巨头(tóu)之一，2022年收入来自中国市场收(shōu)入(rù)从此前高(gāo)峰(fēng)57％降至2022年约11％。根据市场咨询(xún)机构(gòu) Omdia（《风起陇西》讲述了什么故事，《风起陇西》讲述了什么故事情节IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠(kǎi)侠(xiá)、西部数据、SK 海力(lì)士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市(shì)场份额约(yuē)为 96.76％，三星(xīng)电(diàn)子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市(shì)场份额约为 94.35％。

　　A股上市(shì)公司中(zhōng)，江波龙、佰维(wéi)存(cún)储等公司披露过美光等国际存储厂商为(wèi)公司供应商(shāng)。

　　美光在江波龙采(cǎi)购占比已(yǐ)经显著下降，至(zhì)少已(yǐ)经不是(shì)主要大供应商。

　　公告显示， 2021年美(měi)光位列江波龙(lóng)第一大(dà)存储晶圆供应商，采购(gòu)约(yuē)31亿(yì)元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二(èr)大和(hé)第三(sān)大供应商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波龙已经在存储产业链上下游建立国(guó)内外广(guǎng)泛合作。2022年年报显示(shì)，江波龙与三星、美光、西(xī)部数据(jù)等主要(yào)存储(chǔ)晶圆原厂签署了长期合约，确保存储晶(jīng)圆(yuán)供应的(de)稳定(dìng)性，巩(gǒng)固(gù)公司在下游市场(chǎng)的供应优势，公司也与(yǔ)国内国(guó)产存储晶圆原厂武汉(hàn)长(zhǎng)江存储(chǔ)、合肥(féi)长鑫保持良好(hǎo)的合作(zuò)。

　　有(yǒu)券商此前就分析，如(rú)果美光(guāng)在中国区销售(shòu)受到限制，或将导致下游客户转而采购国(guó)外三星、 SK海力(lì)士，国(guó)内长江存储、长鑫存(cún)储(chǔ)等竞(jìng)对产品

　　分析《风起陇西》讲述了什么故事，《风起陇西》讲述了什么故事情节称(chēng)，长存、长鑫的上游设备厂或(huò)从中(zhōng)受(shòu)益。存储器的生产已经(jīng)演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工(gōng)艺。另外(wài)NAND Flash现在已经进入(rù)3D NAND时(shí)代，2 维(wéi)到3维的结(jié)构转变(biàn)使刻(kè)蚀和薄(báo)膜成为最关键、最大(dà)量的加工设备。3D NAND每(měi)层均需(xū)要(yào)经过薄膜沉(chén)积工艺(yì)步(bù)骤，同时刻蚀目前(qián)前沿要(yào)刻到 60：1的深孔，未来(lái)可(kě)能会更(gèng)深的孔或(huò)者沟槽，催生《风起陇西》讲述了什么故事，《风起陇西》讲述了什么故事情节更多设备需(xū)求(qiú)。据东京(jīng)电子披露(lù)，薄(báo)膜沉积设备及(jí)刻蚀(shí)占(zhàn)3D NAND产线资本(běn)开(kāi)支合计为75％。自长(zhǎng)江存储被加(jiā)入(rù)美国限制名单，设备国(guó)产化进程加速，看好拓(tuò)荆科(kē)技（薄膜沉积(jī)）等相关公司份(fèn)额提升(shēng)，以及存储(chǔ)业(yè)务占比较高(gāo)的(de)华(huá)海清(qīng)科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入(rù)增长(zhǎng)。

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