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　　美(měi)光公司(sī)在华销售(shòu)的产品未通过网络安全审查(chá)

　　据网信办消息，日前(qián)，网(wǎng)络安(ān)全(quán)审查办公室依法对(duì)美光公司在华销(xiāo)售产品进行了网络安全(quán)审查。

　　审查发现，美光(guāng)公司(sī)产品存在较严重网络安(ān)全问题隐患(huàn)，对我国关(guān)键信息基础(chǔ)设施供应链(liàn)造成重大(dà)安(ān)全风险，影响我国国家安全。为此，网络安全审查办公室依法作出不予通过网(wǎng)络安全审(shěn)查的结论。按照《网络安全法》等法律法规，我国内关键信息基础设施的运(yùn)营者(zhě)应停止采购美光公司产品。

　　此次对美光(guāng)公司(sī)产品进行网络(luò)安(ān)全审查，目(mù)的是防范产品(pǐn)网络安全问题危(wēi)害国家(jiā)关键信息(xī)基础设施安全，是维(wéi)护(hù)国家安全(quán)的必(bì)要措施(shī)。中国坚定推(tuī)进高水(shuǐ)平对外开(kāi)放，只(zhǐ)要遵守中国法(fǎ)律法规要求，欢(huān)迎各国企业、各类平(píng)台产(chǎn)品服务(wù)进入中(zhōng)国市场。

　　3月31日，中国(guó)网信网(wǎng)发文称，为保障关键信息基础(chǔ)设施供应(yīng)链安全(quán)，防范产品问题隐患造成网络安(ān)全风险(xiǎn)，维护国家安全，依据《中华人民共(gòng)和国国家(jiā)安全法》《中(zhōng)华(huá)人(rén)民共和国(guó)网络安全法(fǎ)》，网络安全(quán)审查办公室按照《网络安全审查办(bàn)法》，对(duì)美光公司（Micron）在华销售的产品(pǐn)实施(shī)网(wǎng)络(luò)安全审查。

　　美光是(shì)美国(guó)的存储芯片行业龙(lóng)头，也是全球存储芯片巨头之(zhī)一，2022年收入来自中(zhōng)国市场收入从(cóng)此前高峰57％降至(zhì康桥在哪里再别康桥，徐志摩康桥在哪里)2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子(zi)、 铠侠、西(xī)部数据、SK 海力士(shì)、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士(shì)、美光在全球 DRAM （内(nèi)存）市(shì)场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司(sī)中，江波龙、佰维存储等公司披露(lù)过美(měi)光等国际存储厂商(shāng)为公(gōng)司供应商。

　　美光在江(jiāng)波龙采(cǎi)购占(zhàn)比康桥在哪里再别康桥，徐志摩康桥在哪里已经(jīng)显著下降，至少已经(jīng)不是主要大供应商。

　　公告显示(shì)， 2021年美光位列江(jiāng)波龙第(dì)一大存储晶圆供应商(shāng)，采购约31亿元(yuán)，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波龙第(dì)一大、第(dì)二大(dà)和第三大供应商采购(gòu)金额(é)占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经(jīng)在(zài)存储产业(yè)链上下(xià)游建立国内外广泛合(hé)作。2022年(nián)年报显示，江波龙与三(sān)星、美光、西(xī)部数据等主要(yào)存储晶(jīng)圆(yuán)原厂签(qiān)署(shǔ)了长期合(hé)约，确(què)保存储晶(jīng)圆供应(yīng)的稳定性，巩固公司在下游市场(chǎng)的(de)供应优势，公司也与国内国产存储晶圆原厂武汉(hàn)长(zhǎng)江存储、合肥长鑫(xīn)保(bǎo)持良好的合作(zuò)。

　　有券商此(cǐ)前就分析，如果美光(guāng)在中国(guó)区销售(shòu)受到限制，或将导致(zhì)下游客(kè)户转(zhuǎn)而采(cǎi)购国(guó)外三(sān)星(xīng)、 SK海力士，国内长江存储、长鑫(xīn)存储等(děng)竞对产(chǎn)品

　　分析称(chēng)，长存、长(zhǎng)鑫(xīn)的(de)上(shàng)游设备厂或从中受益。存储器的生(shēng)产已(yǐ)经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入(rù)3D NAND时代(dài)，2 维到3维的结(jié)构转变(biàn)使刻蚀和(hé)薄膜成为最关键、最(zuì)大量的加工设备。3D NAND每层均需(xū)要经过薄膜沉积工艺步骤(zhòu)，同时刻蚀目前前(qián)沿(yán)要(yào)刻(kè)到 60：1的深孔，未(wèi)来可能会更(gèng)深的孔或(huò)者沟槽，催(cuī)生更多(duō)设备(bèi)需求(qiú)。据东京电子披露，薄(báo)膜沉积设备及(jí)刻蚀占3D NAND产线资本(běn)开支(zhī)合计为75％。自长江存储被(bèi)加(jiā)入美国限制(zhì)名单，设备国产化进(jìn)程加速，看(kàn)好拓荆(jīng)科技（薄(báo)膜沉积）等相关公(gōng)司份额提(tí)升，以及存储(chǔ)业(yè)务占比较高(gāo)的华(huá)海清(qīng)科（CMP）、盛美上海（清洗）等(děng)收入(rù)增长。

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