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cos2x等于多少二倍角公式,cos2x等于多少公式 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大家好,来(lái)看一则(zé)突发消息(xī)。

  美光(guāng)公司在华销售的产(chǎn)品未(wèi)通过网(wǎng)络安全审查

  据(jù)网信办消息,日前,网络安全审查办公室(shì)依法对美光公司在华销售产品进行(xíng)了(le)网络安全审查。

  审查发现,美光公司产品存(cún)在较严重网络安全问题隐患(huàn),对我国关键信息基础设施供应链造(zào)成(chéng)重大安全风(fēng)险,影响我国国家(jiā)安(ān)全。为(wèi)此,网络安全审查(chácos2x等于多少二倍角公式,cos2x等于多少公式)办公室依法作出不予通过网络安(ān)全审查的结论。按照《网络安全(quán)法》等法(fǎ)律法规(guī),我国内关键(jiàn)信息基础(chǔ)设施的运营者(zhě)应停止采(cǎi)购美光公司产品。

  此(cǐ)次对美光公(gōng)司产品进行网络安(ān)全审查,目(mù)的(de)是防范(fàn)产品网络安(ān)全问题危害国家关键信息基(jī)础设施(shī)安全,是维护国家安(ān)全(quán)的必要(yào)措施。中国坚(jiān)定推进高水平对外开放,只要遵守中国(guó)法律法规要求,欢迎(yíng)各(gè)国(guó)企(qǐ)业、各(gè)类(lèi)平(píng)台产(chǎn)品服务进(jìn)入中(zhōng)国市(shì)场。

  半导体(tǐ)突发!中国出手:停止采购!

  3月31日,中国网(wǎng)信网(wǎng)发文称,为保障关(guān)键信息基础设(shè)施供应链安全,防范产品问题隐患造成网络安全风险,维(wéi)护(hù)国家安全,依据《中华(huá)人民(mín)共和国国家安全法》《中华人民共和国网(wǎng)络安全法(fǎ)》,网络安全(quán)审查办(bàn)公室按照(zhào)《网络安全审查办(bàn)法》,对美(měi)光公司(Micron)在华(huá)销售(shòu)的产(chǎn)品实(shí)施网络安全审查。

  半(bàn)导体突发(fā)!中国出手:停止采购!

  美光(guāng)是美(měi)国的存储(chǔ)芯片行业龙(lóng)头,也是全(quán)球(qiú)存储芯(xīn)片巨头之一,2022年(nián)收(shōu)入来自中国市场收入从此前高(gāo)峰57%降(jiàng)至(zhì)2022年约11%。根据市场咨询机构 Omdia(IHS Markit)统计,2021 年三星(xīng)电(diàn)子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash (闪(shǎn)存)市场(chǎng)份额约为 96.76%,三星电子(zi)、 SK 海力士、美光在全球 DRAM (内存)市场份额(é)约为 94.35%。

  A股上市公司中,江波龙、佰维存储等公司披露过美光等国(guó)际存储厂商为公司供应商。

  美光(guāng)在江波龙采购(gòu)占比已(yǐ)经显著下降,至少已经(jīng)不(bù)是(shì)主要大供应商。

  公告显示, 2021年(nián)美光位(wèi)列江波龙(lóng)第一大存储晶圆供应商,采购约31亿元,占比33.52%;2022年,江波龙(lóng)第一大(dà)、第二大和(hé)第三大供应商采购(gòu)金额(é)占比分别(bié)是26.28%、22.85%和(hé)5.76%。

  目前江波龙已经在(zài)存(cún)储产业链(liàn)上下(xià)游建立国(guó)内外广泛(fàn)合作。2022年年报显示(shì),江波龙(lóng)与(yǔ)三星(xīng)、美光、西部数据等主(zhǔ)要存储(chǔ)晶圆原厂签署了长期合约,确保(bǎo)存储晶(jīng)圆(yuán)供应的稳定性,巩固公司在下游市场的(de)供应优(yōu)势(shì),公司也与国(guó)内国产存(cún)储晶圆原(yuán)厂武(wǔ)汉长江存储(chǔ)、合肥(féi)长鑫(xīn)保持良好的(de)合作(zuò)。

  有(yǒu)券商此(cǐ)前就分析,如果美光在(zài)中国区销售受(shòu)到限(xiàn)制,或(huò)将导(dǎo)致下(xià)游客户转而采购国(guó)外(wài)三星、 SK海力士,国内长江存储、长鑫存储等竞对产品(pǐn)

  分析称,长存、长鑫的上(shàng)游设备厂或(huò)从中受益。存储(chǔ)器的生产已经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的(de)工(gōng)艺。另(lìng)外(wài)NAND Flash现在已经进(jìn)入3D NAND时代,2 维到(dào)3维(wéi)的结构转变使刻(kè)蚀和薄(báo)膜成为最关键、最(zuì)大量的加工(gōng)设备。3D NAND每层均需(xū)要经(jīng)过薄膜沉积工艺步(bù)骤,同时(shí)刻蚀目前前沿(yán)要刻到(dào) 60:1的深孔(kǒng),未来可(kě)能会(huì)更深(shēn)的孔或者沟槽,催生更多设备(bèi)需求。据东京(jīng)电(diàn)子披露(lù),薄膜沉积(jī)设备及刻蚀占3D NAND产(chǎn)线资本开支合计为(wèi)75%。自长(zhǎng)江存储被加(jiācos2x等于多少二倍角公式,cos2x等于多少公式)入美国限制名单,设备国产化(huà)进(jìn)程加速(sù),看好拓荆(jīng)科(kē)技(jì)(薄膜沉积(jī))等(děng)相关(guān)公(gōng)司份额提升,以及存储业务占比(bǐ)较高(gāo)的(de)华海清科(kē)(CMP)、盛美(měi)上海(清(qīng)洗)等收入(rù)增长。

 

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