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　　美光公司(sī)在华销(xiāo)售(shòu)的产(chǎn)品未通过网络(luò)安(ān)全审查禁脔是啥意思，女人的玉露是什么意思g>

　　据网(wǎng)信办(bàn)消息，日(rì)前，网络安全审(shěn)查办(bàn)公室依(yī)法对(duì)美光公司(sī)在华销售产品进行了网络安全审(shěn)查。

　　审查(chá)发现，美光(guāng)公(gōng)司产品存在较(jiào)严重(zhòng)网络安全问题隐(yǐn)患(huàn)，对我国关键信息基础设施(shī)供应链造(zào)成重大安全风险(xiǎn)，影响我国(guó)国(guó)家安全。为(wèi)此，网络安全(quán)审(shěn)查办公(gōng)室依(yī)法(fǎ)作出(chū)不予通过网络安全(quán)审查的结论(lùn)。按照《网络安(ān)全法》等法律法规，我国内关(guān)键信息基础设施的运营者应停止采购美(měi)光(guāng)公(gōng)司产品(pǐn)。

　　此次对美(měi)光(guāng)公司产品进行网络安全审查，目的是防范产(chǎn)品网(wǎng)络安全问题危害国家关键信息基础设施安全禁脔是啥意思，女人的玉露是什么意思，是维护(hù)国(guó)家安全的必要(yào)措(cuò)施。中国坚定推(tuī)进高水平(píng)对(duì)外开放，只要遵(zūn)守中国法律(lǜ)法规要求，欢迎各国企业(yè)、各类平台产(chǎn)品服务(wù)进入(rù)中国市场。

　　3月31日，中国网信网(wǎng)发文(wén)称，为保(bǎo)障关键信息基础设(shè)施供应链(liàn)安全，防范产(chǎn)品(pǐn)问题隐患造成网络(luò)安全风险(xiǎn)，维护国家安全(quán)，依据《中华人民共和国(guó)国家安(ān)全法》《中(zhōng)华人(rén)民共和国(guó)网络安全法》，网(wǎng)络安全(quán)审查办公室(shì)按照《网络安全审(shěn)查办法》，对美光(guāng)公司（Micron）在华销(xiāo)售的产(chǎn)品实施网络安全审查。

　　美(měi)光是美国的(de)存储芯(xīn)片行业龙头，也(yě)是全(quán)球存储芯片巨头之一，2022年(nián)收入来自(zì)中(zhōng)国(guó)市(shì)场收入从此(cǐ)前高(gāo)峰57％降至2022年约11％。根(gēn)据(jù)市场咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星电子、 铠侠(xiá)、西部数据、SK 海(hǎi)力(lì)士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在(zài)全球(qiú) DRAM （内存(cún)）市场(chǎng)份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市(shì)公司中(zhōng)，江波(bō)龙、佰(bǎi)维存(cún)储等公司披露过美(měi)光等(děng)国际存储厂商为(wèi)公司供应(yīng)商。

　　美光在江波龙采购占(zhàn)比已经显著下降(jiàng)，至少已经不是(shì)主要大供应(yīng)商。

　　公告(gào)显示， 2021年(nián)美(měi)光位列(liè)江波(bō)龙第一(yī)大存储晶圆供(gōng)应商，采(cǎi)购约31亿元，占比33.52％；2022年，江(jiāng)波(bō)龙第(dì)一大、第二大和第(dì)三大供应商采购金额占比分别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产(chǎn)业链上下游建(jiàn)立国内外广泛合(hé)作。2022年年报显(xiǎn)示，江波(bō)龙(lóng)与三星、美光(guāng)、西部数据等主要存储晶(jīng)圆原(yuán)厂签署(shǔ)了长期合约(yuē)，确保(bǎo)存储晶圆(yuán)供(gōng)应的稳(wěn)定(dìng)性，巩固公司在下(xià)游市场的供应优势，公司也与(yǔ)国内(nèi)国产(chǎn)存储晶圆原厂武(wǔ)汉长江存储、合(hé)肥(féi)长鑫保持良好(hǎo)的合作(zuò)。

　　有券商此前就(jiù)分(fēn)析(xī)，如(rú)果美光在中(zhōng)国区销售受到(dào)限制(zhì)，或将导致下游客(kè)户转而采(cǎi)购国外(wài)三星、 SK海(hǎi)力士，国(guó)内(nèi)长江(jiāng)存储、长鑫存储等竞(jìng)对产(chǎn)品

　　分析称，长存、长鑫的(de)上游设备厂或从中受益。存储器的生产已经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺(yì)。另(lìng)外NAND Flash现在已经进入(rù)3D NAND时代(dài)，2 维到3维的结构转变使刻蚀和薄膜成为最关键、最大(dà)量(liàng)的加(jiā)工设备。3D NAND每层均(jūn)需要经(jīng)过薄膜沉积(jī)工艺步骤，同(tóng)时刻(kè)蚀(shí)目前(qián)前(qián)沿要刻到 60：1的深孔，未来可能会更深的孔(kǒng)或者沟槽，催生更多设备(bèi)需求。据东京电子披露，薄膜沉积设备(bèi)及(jí)刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为75％。自长江存(cún)储被加入美国限制名(míng)单，设备国产化进程加速，看好拓荆科技（薄膜(mó)沉(chén)积）等相关公司份额提升，以及存(cún)储业务占(zhàn)比较高的华海清科(kē)（CMP）、盛美上(shàng)海(hǎi)（清洗）等收入(rù)增长。