大家好，来看一则突发消息。

　　美光(guāng)公司在华销售的产(chǎn)品未通(tōng)过网络安全审查

　　据网(wǎng)信(xìn)办消(xiāo)息，日前，网络安(ān)全(quán)审(shěn)查办(bàn)公室依法对美光公司在华销售产品进行了(le)网络安全(quán)审查。

　　审查(chá)发现，美光(guāng)公司产品存在较严重(zhòng)网络安全问题隐患，对我国关键信息基(jī)础设施(shī)供应链造成重大(dà)安全(quán)风险，影(yǐng)响我国国家安全(quán)。为此(cǐ)，网络安全审查办(bàn)公(gōng)室依法(fǎ)作出不予(yǔ)通过(guò)网络安全审查的结论。按照《网络安全法》等法(fǎ)律法规，<选墓地的最好方位是什么，墓地的哪个方位的最好strong>我国(guó)内关键(jiàn)信(xìn)息基础设施的运营者应停止采(cǎi)购美光公司产品。

　　此次对美光公(gōng)司产品进行(xíng)网络安全审查，目(mù)的是防范产品网络安全(quán)问题危害国家关(guān)键信息基础(chǔ)设施安全，是维护(hù)国家安全(quán)的必要措(cuò)施。中国坚定推(tuī)进高水平对(duì)外开放，只要遵(zūn)守中(zhōng)国法(fǎ)律法(fǎ)规要求，欢迎各(gè)国企业、各类平台产品服务(wù)进入中国市场(chǎng)。

　　3月31日(rì)，中国网信(xìn)网(wǎng)发文称(chēng)，为保障关键(jiàn)信息基础(chǔ)设施(shī)供应链安全，防范产品问题隐患造成网络安全风险，维护国家安(ān)全(quán)，依(yī)据《中华人(rén)民共(gòng)和国国家安全法》《中华人民共和国网络(luò)安(ān)全法(fǎ)》，网络安全审查办公室按照《网络安全(quán)审(shěn)查办法》，对美光公司（Micron）在华销售的(de)产品实施网(wǎng)络安全审查。

　　美光是美国的存储芯片行业龙头，也是全球存储(chǔ)芯片巨头(tóu)之一，2022年收入来(lái)自(zì)中(zhōng)国(guó)市场收(shōu)入从此前(qián)高(gāo)峰57％降至2022年约11％。根据(jù)市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星(xīng)电子、 铠(kǎi)侠(xiá)、西部数据(jù)、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份(fèn)额约为 96.76％，三(sān)星(xīng)电子(zi)、 SK 海力士、美光(guāng)在全球 DRAM （内(nèi)存）市场份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市(shì)公司中，江波龙、佰维存储等公(gōng)司披(pī)露过美光等国际存储厂商为公司供(gōng)应商。

　　美(měi)光在江(jiāng)波龙采购(gòu)占比已(yǐ)经显著下降，至少已经不(bù)是主要(yào)大(dà)供应商。

　　公告显示(shì)， 2021年美(měi)光位(wèi)列江波龙第一大存储(chǔ)晶圆供应商，采购约31亿元，占比33.52选墓地的最好方位是什么，墓地的哪个方位的最好％；2022年(nián)，江波龙第一大(dà)、第二大(dà)和(hé)第三大供应商采购金额占(zhàn)比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙(lóng)已经(jīng)在存储产(chǎn)业链上下(xià)游(yóu)建立(lì)国内外广泛合作(zuò)。2022年(nián)年报显示，江波(bō)龙与三星、美光(guāng)、西部数据(jù)等主要存(cún)储(chǔ)晶圆原厂签署(shǔ)了(le)长期(qī)合约，确保存(cún)储(chǔ)晶圆供(gōng)应的稳定性，巩固公司在下游市(shì)场的供(gōng)应优(yōu)势，公司也(yě)与国内国产存储晶(jīng)圆原(yuán)厂武(wǔ)汉长(zhǎng)江存储(chǔ)、合(hé)肥长鑫保持(chí)良(liáng)好的合(hé)作。

　　有券商此前(qián)就分析(xī)，如果美(měi)光(guāng)在中国区销售受到(dào)限制，或(huò)将导致下游客(kè)户转而采购国外三星、 SK海(hǎi)力士(shì)，国内(nèi)长江(jiāng)存(cún)储、长鑫存(cún)储等竞对产品

　　分析(xī)称，长存、长鑫(xīn)的上游设备(bèi)厂或从(cóng)中(zhōng)受益。存储(chǔ)器(qì)的生产已经演(yǎn)进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在(zài)已(yǐ)经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转(zhuǎn)变使刻蚀和薄膜成为最关键、最大量的(de)加工设(shè)备。3D NAND每(měi)层均需(xū)要经过薄膜沉积(jī)工(gōng)艺步骤，同时刻蚀选墓地的最好方位是什么，墓地的哪个方位的最好目前前沿要(yào)刻到 60：1的深(shēn)孔，未来可能会更深(shēn)的孔或者沟槽，催生更多(duō)设备需求(qiú)。据(jù)东(dōng)京电子披露，薄膜沉(chén)积(jī)设备及刻蚀占3D NAND产(chǎn)线资本开支合计为75％。自长江存储被加(jiā)入美国限制名单，设备(bèi)国产(chǎn)化进程加速(sù)，看好拓荆科(kē)技（薄(báo)膜沉积）等相关公(gōng)司(sī)份(fèn)额提(tí)升，以(yǐ)及存储(chǔ)业务占(zhàn)比较(jiào)高(gāo)的(de)华海清科(kē)（CMP）、盛(shèng)美上海（清洗）等收入增长。

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