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本番什么意思 日语里本番什么意思 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大家好,来看(kàn)一(yī)则突(tū)发消(xiāo)息。

  美光公司在(zài)华(huá)销售的(de)产品未通过网络安全审(shěn)查

  据网信办消息,日(rì)前,网络安全审查办公(gōng)室依法对美光公(gōng)司在华销售产品进行了网络(luò)安全(quán)审查。

  审查发现,美光(guāng)公司产(chǎn)品(pǐn)存(cún)在较严(yán)重网(wǎng)络安全(quán)问题隐患,对我国(guó)关键(jiàn)信息基础设施供本番什么意思 日语里本番什么意思应链造成重大安(ān)全风险,影响我国国家安全(quán)。为(wèi)此,网络安全审(shěn)查办公室依法(fǎ)作出(chū)不予(yǔ)通过(guò)网络安全审查的(de)结论。按照《网络安全法(fǎ)》等法(fǎ)律(lǜ)法(fǎ)规,我国内关键信(xìn)息基础(chǔ)设施的运营者应停止采购美(měi)光公司产(chǎn)品。

  此(cǐ)次对美光公司产品进行(xíng)网络安全审查,目的是防范产品网络安(ān)全问题危(wēi)害国家关键(jiàn)信息基础设施安全,是维护国家安全的必要措施(shī)。中国坚(jiān)定推进高水(shuǐ)平(píng)对外开放,只要遵守(shǒu)中国(guó)法律法规要求,欢迎各国企业、各类平台产品服(fú)务进(jìn)入中国市(shì)场。

  半导体突发!中国出手:停(tíng)止采购!

  3月31日,中(zhōng)国(guó)网信网发文称(chēng),为保障关(guān)键信息基础(chǔ)设施供(gōng)应链(liàn)安全(quán),防范产品问题隐患造成网络安全风险,维护国家(jiā)安全,依(yī)据《中华人民(mín)共和国国家安全法》《中华人(rén)民(mín)共和国网络安全法》,网络安全审(shěn)查办公室按照(zhào)《网络安全审查办(bàn)法》,对美(měi)光公(gōng)司(sī)(Micron)在华销售的产品实(shí)施网络安全审查。

  半导体突发!中国出手:停止采购!

  美光是美国的存储芯片(piàn)行业龙头,也是(shì)全(quán)球(qiú)存储芯(xīn)片巨头(tóu)之一(yī),2022年(nián)收入来自中国市场收入从此前高峰57%降至2022年约11%。根(gēn)据市场咨询(xún)机(jī)构 Omdia(IHS Markit)统(tǒng)计(jì),2021 年三星(xīng)电子、 铠侠、西部(bù)数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash (闪存)市(shì)场份额约为 96.76%,三星(xīng)电子(zi)、 SK 海力(lì)士、美(měi)光在全球 DRAM (内存)市场份额(é)约为 94.35%。

  A股上(shàng)市公司中,江波(bō)龙、佰维(wéi)存储等公司披露过美光等国际存(cún)储厂商(shāng)为公司供(gōng)应商(shāng)。

  美光在江波龙采购(gòu)占比已经显(xiǎn)著下(xià)降,至少已(yǐ)经不是主(zhǔ)要大供(gōng)应(yīng)商(shāng)。

  公(gōng)告显(xiǎn)示(shì), 2021年(nián)美光位列江波龙第(dì)一(yī)大存储晶圆供应商,采购(gòu)约31亿元,占(zhàn)比33.52%;2022年,江波龙第一(yī)大、第二(èr)大和第三大供(gōng)应商采购金(jīn)额占比分别(bié)是26.28%、22.85%和5.76%。

  目前江波龙已经在(zài)存(cún)储产业链上下游建(jiàn)立国内外广泛合作。2022年年报显示(shì),江波龙与三星(xīng)、美光、西部数据等(děng)主要(yào)存(cún)储晶圆原厂签署了(le)长期(qī)合(hé)约,确保存储晶(jīng)圆供应的(de)稳定性,巩固(gù)公司在下游市场的供应优(yōu)势,公司(sī)也与国内(nèi)国(guó)产(chǎn)存储晶圆(yuán)原厂武汉长江存储、合肥长鑫保(bǎo)持良(liáng)好的合作。

  有(yǒu)券商(shāng)此前就分析,如果(guǒ)美光在中国区销售受到限制,或将导致下游客户转而采购国外(wài)三(sān)星、 SK海力(lì)士,国(guó)内长江存(cún)储、长鑫存储(chǔ)等竞(jìng)对产品(pǐn)

  分析称,长存(cún)、长(zhǎng)鑫的(de)上游设备厂(chǎng)或(huò)从中受益。存(cún)储器的生(shēng)产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺。另外NAND Flash现在已经(jīng)进入3D NAND时代,2 维到3维(wéi)的结构转变使刻蚀和(hé)薄膜成为最关键、最(zuì)大量的(de)加工设备。3D NAND每层(céng)均(jūn)需(xū)要经过(guò)薄膜(mó)沉积(jī)工艺(yì)步骤,同时刻蚀目前前(qián)沿要刻到 60:1的深孔,未来可能会(huì)更深的孔或者沟槽,催生(shēng)更多设备需(xū)求。据东京(jīng)电子披露,薄膜(mó)沉(chén)积设(shè)备及刻蚀占(zhàn)3D NAND产线(xiàn)资本开支合计(jì)为75%。自长江存储被加入(rù)美国限制名单(dān),设备国产化进(jìn)程加(jiā)速,看好拓(tuò)荆(jīng)科技(薄膜(mó)沉积)等相关公司(sī)份额提升,以及存储业务占比较高(gāo)的(de)华海(hǎi)清科(kē)(CMP)、盛美上海(hǎi)(清洗)等收(shōu)入增长。

 

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