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　　美光公司(sī)在华销售的(de)产品(pǐn)未(wèi)通过网络安全审查

　　据网信办消息，日前，网络(luò)安全审查办公室(shì)依(yī)法对美光(guāng)公(gōng)司在华销售产(chǎn)品进(jìn)行了网络安(ān)全审查。

　　审查发现，美光(guāng)公司产品存(cún)在(zài)较严重网络安全问题隐患，对我国(guó)关键(jiàn)信(xìn)息(xī)基础设施供应(yīng)链造成重大安全(quán)风(fēng)险，影响我(wǒ)国国家安全(quán)。为此，网络安全审查办公室依(yī)法(fǎ)作出不予通(tōng)过网络安全(quán)审查的结论。按照(zhào)《网络安全法》等(děng)法律法规，我(wǒ)国内(nèi)关键信息(xī)基础设施的运营者应停止(zhǐ)采购美光公司(sī)产品。

　　此次对美(měi)光公(太乙天尊是谁 太乙天尊是太乙真人吗gōng)司产品进行网络安全审查，目的是防范(fàn)产品网络安全问(wèn)题危害国家(jiā)关键信息基础设施安全，是维护国家(jiā)安全的必要措施。中国坚定推(tuī)进高水(shuǐ)平对外开放，只要遵守(shǒu)中国法(fǎ)律法规要(yào)求，欢迎(yíng)各(gè)国企业、各类(lè太乙天尊是谁 太乙天尊是太乙真人吗i)平台产品服务进入(rù)中国(guó)市场。

　　3月31日，中国网信网发文(wén)称(chēng)，为保障关键(jiàn)信息基础设施供应链安全，防(fáng)范产品问题隐患造成网络(luò)安(ān)全风险，维护(hù)国(guó)家(jiā)安全，依据(jù)《中(zhōng)华人民共和国国(guó)家(jiā)安全法》《中华人民共(gòng)和国网(wǎng)络(luò)安全法》，网络安全审查办(bàn)公室按照《网络(luò)安全(quán)审查办法》，对美光公司（Micron）在(zài)华销售(shòu)的产品(pǐn)实施网络安全(quán)审查。

　　美光是美(měi)国的存储芯片行业(yè)龙头，也是全球存储芯片巨头(tóu)之一(yī)，2022年收入(rù)来自(zì)中(zhōng)国市(shì)场收(shōu)入从此前高峰57％降至2022年约11％。根据市(shì)场咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠(xiá)、西部数(shù)据、SK 海力士、美光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存(cún)）市(shì)场份额(é太乙天尊是谁 太乙天尊是太乙真人吗)约为(wèi) 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美(měi)光在全球 DRAM （内(nèi)存(cún)）市(shì)场份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司中，江波龙、佰(bǎi)维存储等公司披(pī)露过美光等国(guó)际存储厂商为公司供应商(shāng)。

　　美(měi)光在(zài)江波(bō)龙采(cǎi)购占比(bǐ)已经(jīng)显(xiǎn)著(zhù)下(xià)降，至少已(yǐ)经(jīng)不是主(zhǔ)要大供应商(shāng)。

　　公告显示(shì)， 2021年美光位列江波龙第一大存储晶圆供(gōng)应(yīng)商，采(cǎi)购约(yuē)31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波龙(lóng)第一大、第二大和第三大供应商采购(gòu)金额占比分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波龙已经在存储产业链上下(xià)游建立(lì)国内外广泛合作。2022年年报显示，江(jiāng)波龙与三(sān)星、美光、西部数(shù)据等主要存储晶圆原厂签署了长(zhǎng)期(qī)合约，确保存储晶圆供应(yīng)的稳定(dìng)性，巩固(gù)公司在下游市场的(de)供应(yīng)优势(shì)，公(gōng)司(sī)也与国内国产(chǎn)存储晶圆(yuán)原(yuán)厂武汉长江存储、合肥长鑫(xīn)保持良好的合(hé)作。

　　有(yǒu)券商此前就分析(xī)，如果美(měi)光在中国区销售受到限制(zhì)，或将导致下游(yóu)客户(hù)转而采购国(guó)外三星(xīng)、 SK海力士，国内长江存储、长鑫存储等竞对产品

　　分析称，长存(cún)、长鑫的上游(yóu)设备厂或从(cóng)中(zhōng)受益。存储(chǔ)器的生产(chǎn)已经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺(yì)。另(lìng)外NAND Flash现在已(yǐ)经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构(gòu)转变使刻蚀(shí)和薄膜成为最关键、最大(dà)量的(de)加工设备。3D NAND每(měi)层均需要经(jīng)过薄膜沉积工艺步骤，同时刻蚀目前前(qián)沿(yán)要(yào)刻到 60：1的深孔，未来可能(néng)会更深的孔(kǒng)或者沟槽(cáo)，催生更多设备(bèi)需(xū)求。据(jù)东京电子披露，薄(báo)膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资本开(kāi)支合计(jì)为75％。自(zì)长江(jiāng)存储被(bèi)加入(rù)美(měi)国限制名单，设备(bèi)国产(chǎn)化进程加速，看好拓荆科技（薄膜沉(chén)积(jī)）等相关公司(sī)份额提升，以(yǐ)及存储业(yè)务(wù)占比较高(gāo)的华海清科（CMP）、盛(shèng)美(měi)上(shàng)海（清洗）等收入增长(zhǎng)。

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