大家好，来看一则突发消息。

　　美光公司在华销售的产品未通过网络安全(quán)审(shěn)查

　　据网信(xìn)办消息，日前，网络(luò)安全审(shěn)查办公室依法对美(měi)光公司在华(huá)销售产品(pǐn)进行了网络安(ān)全审查。

　　审查发现，美光(guāng)公司产品存在(zài)较严重网(wǎng)络安全问题隐患，对我国关键(jiàn)信息基础(chǔ)设施(shī)供应链造成重大安(ān)全风险，影响(xiǎng)我国国家安全。为此，网络(luò)安全审查办(bàn)公室依(yī)法(fǎ)作出不予通过网络安全审查的(de)结论。按照《网络安全法》等(děng)法律法(fǎ)规(guī)，我国内关键信息基础设施(shī)的(de)运营者应(yīng)停止采购美(měi)光公(gōng)司(sī)产品。

　　此次对美光公(gōng)司产(chǎn)品进(jìn)行网(wǎng)络(luò)安全审(shěn)查，目的是(shì)防范(fàn)产品(pǐn)网(wǎng)络(luò)安(ān)全问题(tí)危害国家关键信息基础(chǔ)设施安全，是维护(hù)国家安(ān)全的(de)必(bì)要措施(shī)。中国(guó)坚定推进高水平对外(wài)开(kāi)放，只要遵守(shǒu)中(zhōng)国(guó)法律(lǜ)法规要求，欢迎各国(guó)企业(yè)、各类平台产品服务(wù)进入(rù)中国市场。

　　3月31日(rì)，中(zhōng)国网(wǎng)信网发文称，为保障关键信息基础设(shè)施供应链安全(quán)，防范产(chǎn)品问题隐患造成网(wǎng)络安全风险，维(wéi)护(hù)国(guó)家安全，依(yī)据(jù)《中华(huá)人(rén)民共和国(guó)国家安(ān)全法(fǎ)》《中华人民共和国网络安全法》，网络安全审查办公室按(àn)照(zhào一氧化碳密度比空气大还是小 一氧化碳密度小于空气吗)《网络(luò)安全(quán)审查办法》，对美光(guāng)公司（Micron）在(zài)华销售的产品实施网(wǎng)络(luò)安全审查(chá)。

　　美光是(shì)美(měi)国的存储芯片(piàn)行业(yè)龙头，也是全球存储(chǔ)芯片(piàn)巨头之(zhī)一(yī)，2022年收(shōu)入来(lái)自中(zhōng)国市场收入从此(cǐ)前高峰57％降(jiàng)至(zhì)2022年(nián)约11％。根据市场咨(zī)询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子(zi)、 铠侠、西部数据、SK 海(hǎi)力士(shì)、美光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份(fèn)额约为(wèi) 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海力士(shì)、美光(guāng)在全球(qiú) DRAM （内存）市场份额(é)约为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公司(sī)中，江波龙、佰(bǎi)维存储等公司(sī)披露过(guò)美(měi)光等国际存储厂商为公(gōng)司供应商。

　　美(měi)光在江波龙采购(gòu)占(zhàn)比已经(jīng)显著下降，至(zhì)少已经不是主要(yào)大供应商。

　　公告(gào)显示， 2021年美光位列江波(bō)龙第(dì)一大存储晶圆供应商，采购约(yuē)31亿(yì)元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二(èr)大(dà)和(hé)第三大(dà)供应商采购金(jīn)额占比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产业(yè)链(liàn)上(shàng)下游建(jiàn)立(lì)国内(nèi)外广泛合作。2022年(nián)年(nián)报显示，江波龙与(yǔ)三星、美光、西部数(shù)据等主要(yào)存储晶圆(yuán)原(yuán)厂签署(shǔ)了长期(qī)合(hé)约(yuē)，确(què)保存储(一氧化碳密度比空气大还是小 一氧化碳密度小于空气吗chǔ)晶圆供应(yīng)的稳定性，巩固公司(sī)在下游市场的(de)供(gōng)应(yīng)优(yōu)势，公司也与国内国产存(cún)储晶圆原厂武汉长江存储(chǔ)、合肥长鑫(xīn)保持(chí)良好的合作。

　　有券商此前就分析(xī)，如(rú)果(guǒ)美(měi)光(guāng)在中国区(qū)销售受到(dào)限(xiàn)制(zhì)，或将导致下游(yóu)客户转而(ér)采购国外(wài)三星、 SK海力士，国内长江存储、长(zhǎng)鑫存储等(děng)竞对(duì)产品

　　分析称，长(zhǎng)存(cún)、长鑫的(de)上游设(shè)备(bèi)厂或从中受益。存储(chǔ)器的生产已经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另外NAND Flash现(xiàn)在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的(de)结构转变(biàn)使刻蚀和薄(báo)膜成为最关(guān)键、最大量的(de)加(jiā)工设备。3D NAND每层均需要(yào)经过(guò)薄膜(mó)沉积工艺步骤，同时(shí)刻蚀目前前沿要(yào)刻到 60：1的深孔，未来(lái)可能会(huì)更(gèng)深(shēn)的孔或者沟槽(cáo)，催生更多设备需求。据东京电(diàn)子披露，薄膜沉积(jī)设备及刻蚀占3D NAND产线资(zī)本开(kāi)支合计为75％。自长江存储被(bèi)加入美(měi)国限制名(míng)单，设备(bèi)国(guó)产(chǎn)化进程加速，看好拓荆(jīng)科技(jì)（薄膜沉积）等相关公司(sī)份(fèn)额提升，以及(jí)存储业(yè)务占比较高的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等(děng)收入增长。

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