大家好(hǎo)，来看(kàn)一则突(tū)发(fā)消息。

　　美光公司(sī)在华(huá)销售(shòu)的产品未通过(guò)网络安全审查

　　据网信办(bàn)消息，日前，网络安(ān)全审查办公室依法对美光公司(sī)在华销售产品进行了网络(luò)安全审查。

　　审查发现(xiàn)，美光公司产品存(cún)在较严重网(wǎng)络安全问题隐患(huàn)，对(duì)我(wǒ)国关键信(xìn)息基础设施供(gōng)应链造(zào)成(chéng)重大安全(quán)风险，影响我国国家安全。为此，网络安全(quán)审查办公室(shì)依(yī)法作出不(bù)予通过网(wǎng)络(luò)安全审查的结(jié)论。按照(zhào)《网络(luò)安全法》等法律法规，我国内关键信息(xī)基础(chǔ)设施(shī)的运营(yíng)者应停(tíng)止采购美(měi)光(guāng)公司产品。

　　此次对(duì)美光公司产(chǎn)品进行(xíng)网络安全审查，目的(de)是防范产品网络安全问题危(wēi)害国家关键信息(xī)基础设施(shī)安(ān)全，是维护国家安(ān)全的必要(yào)措(cuò)施。中国(guó)坚定推进高水平对外(wài)开(kāi)放，只要遵守(shǒu)中国法律法规要(yào)求，欢迎各(gè)国(guó)企业、各类(lèi)平台产(chǎn)品服务进(jìn)入中国(guó)市场。

　　3月圣诞节可以同房吗，元旦节可以同房吗(yuè)31日，中(zhōng)国网(wǎng)信网发(fā)文称(chēng)，为保障关键信息基础设施供应链安全，防(fáng)范产(chǎn)品(pǐn)问题(tí)隐患造成网络安全风险，维护(hù)国家安全，依据《中华人民共和国(guó)国(guó)家(jiā)安全(quán)法》《中华(huá)人民共和国网(wǎng)络安全法》，网络安全审查(chá)办公室(shì)按照(zhào)《网络(luò)安全(quán)审查办法》，对美(měi)光公司（Micron）在华(huá)销(xiāo)售的产品实施(shī)网络安(ān)全(quán)审查。

　　美(měi)光是美国的存储芯(xīn)片行业龙头(tóu)，也是全(quán)球存储芯片(piàn)巨头之一，2022年收入来自中国市场收入从此(cǐ)前高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电(diàn)子(zi)、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海(hǎi)力士、美光在全球 DRAM （内(nèi)存）市(shì)场份额约(yuē)为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司中(zhōng)，江波龙、佰维(wéi)存储等(děng)公(gōng)司披露过美光等国际(jì)存储厂商(shāng)为公(gōng)司(sī)供应商(shāng)。圣诞节可以同房吗，元旦节可以同房吗p>

　　美光(guāng)在江波(bō)龙(lóng)采(cǎi)购占比已经显著(zhù)下降(jiàng)，至少已经不是(shì)主要大供应(yīng)商。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年(nián)美光位(wèi)列江波龙(lóng)第一大存储晶(jīng)圆供应商(shāng)，采购约31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和第三大供应商采购金额占比分(fēn)别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波龙(lóng)已经在存储产业链上下游建立国内(nèi)外广(guǎng)泛合作。2022年年报显示，江波龙与三星、美光、西(xī)部(bù)数据(jù)等主要(yào)存储晶圆原厂签署(shǔ)了长期(qī)合约，确(què)保(bǎo)存储晶圆供应(yīng)的稳定性(xìng)，巩(gǒng)固公司在下游(yóu)市场(chǎng)的供应优势，公司也与国内国产存储(chǔ)晶圆原厂武汉(hàn)长(zhǎng)江存储、合肥长鑫保(bǎo)持(chí)良(liáng)好的(de)合作。

　　有券(quàn)商此前就(jiù)分析，如果(guǒ)美光在中国区销售受到限制，或(huò)将(jiāng)导致下游客户转(zhuǎn)而采购国(guó)外三星、 SK海力士(shì)，国内长江存储、长鑫存储等竞对产品

　　分(fēn)析称，长存、长鑫的上游(yóu)设备厂或从(cóng)中(zhōng)受益。存储(chǔ)器的生产(chǎn)已(yǐ)经演(yǎn)进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺。另外NAND Flash现(xiàn)在已经进(jìn)入3D NAND时代(dài)，2 维到(dào)3维的结构转变使刻(kè)蚀和薄膜(mó)成为最关键、最大量(liàng)的加工设备。3D NAND每层均需要经过(guò)薄膜沉积工艺步骤，同(tóng)时刻蚀(shí)目前(qián)前沿要刻(kè)到 60：1的深孔，未来可能会更深的孔或者沟槽(cáo)，催生更多设备(bèi)需求。据东京(jīng)电子(zi)披露，薄膜沉积(jī)设备及刻(kè)蚀(shí)占3D NAND产(chǎn)线资本开(kāi)支(zhī)合计为75％。自长(zhǎng)江存储被(bèi)加入美国限(xiàn)制名(míng)单，设备国(guó)产化进程加速，看好拓荆科技(jì)（薄膜(mó)沉积）等相(xiāng)关公司份额(é)提升(shēng)，以(yǐ)及存储业务占比(bǐ)较高的华海(hǎi)清(qīng)科(kē)（CMP）、盛美上(shàng)海(hǎi)（清洗）等收入(rù)增长。

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